装置结构和其制造方法制造方法及图纸

本公开涉及一种装置结构和用于制造装置结构的方法。所述装置结构包括堆叠结构、介电材料和电极导孔。所述堆叠结构包括第一金属氧化物层、第二金属氧化物层和金属层。所述第二金属氧化物层与所述第一金属氧化物层相对。所述金属层插入于所述第一金属氧化物层与所述第二金属氧化物层之间。所述介电材料贯穿所述第一金属氧化物层。所述电极导孔贯穿所述介电材料，并且电连接到所述金属层。

【技术实现步骤摘要】
装置结构和其制造方法
本公开涉及一种装置结构和制造方法，并且涉及一种包括电极导孔的装置结构和用于制造所述装置结构的方法。
技术介绍
可嵌入无源组件(embeddablepassivecomponent)的制造通常基于多层材料(multi-layermaterial)。例如，可以使用多层材料来形成嵌入式电容器(embeddedcapacitor)。为了形成嵌入式电容器的阳极和阴极，需要许多穿孔(throughholes)以形成导电导孔(conductivevias)。通常使用激光钻孔(laserdrilling)来形成穿孔，因为激光能量可以穿透多层材料的金属氧化物层(metaloxidelayer)和介电层(dielectriclayer)。在激光钻孔期间，激光能量在穿透金属氧化物层之后，会形成穿孔的下部开口，并且同时在介电层上形成穿孔的上部开口。然而，对于介电层来说，激光能量太高，因此，当下部开口的尺寸达到期望尺寸时，上部开口的尺寸将由于较高的激光能量对介电层的上部部分过度蚀刻而大于期望尺寸。
技术实现思路
在一些实施例中，一种装置结构包括堆叠结构、介电材料和电极导孔。所述堆叠结构包括第一金属氧化物层、第二金属氧化物层和金属层。所述第二金属氧化物层与所述第一金属氧化物层相对。所述金属层插入于所述第一金属氧化物层与所述第二金属氧化物层之间。所述介电材料贯穿所述第一金属氧化物层。所述电极导孔贯穿所述介电材料，并且电连接到所述金属层。在一些实施例中，一种装置结构包括堆叠结构、介电材料、电极导孔和第一重布结构。所述堆叠结构包括第一金属氧化物层、第二金属氧化物层和金属层。所述第二金属氧化物层与所述第一金属氧化物层相对。所述金属层插入于所述第一金属氧化物层与所述第二金属氧化物层之间。所述介电材料贯穿所述第一金属氧化物层。所述电极导孔贯穿所述介电材料，并且电连接到所述金属层。所述第一重布结构设置在所述堆叠结构上，并且电连接到所述堆叠结构。在一些实施例中，一种用于制造装置结构的方法包括：(a)提供堆叠结构，所述堆叠结构包括：第一金属氧化物层；第二金属氧化物层，其与所述第一金属氧化物层相对；金属层，其插入于所述第一金属氧化物层与所述第二金属氧化物层之间；第一电极结构，其设置为邻近所述第一金属氧化物层；以及第一介电结构，其覆盖所述第一电极结构；(b)形成至少一个中心穿孔，所述中心穿孔贯穿所述第一介电结构、所述第一电极结构和所述第一金属氧化物层，以显露所述金属层的一部分；(c)形成介电材料于所述中心穿孔中和所述金属层的显露部分上；(d)形成中心开口，所述中心开口贯穿所述介电材料，以显露所述金属层的所述显露部分的一部分；以及(e)形成电极导孔于所述中心开口中和所述金属层的所述显露部分上。附图说明当结合附图阅读时，可从以下具体实施方式容易地理解本公开的一些实施例的各方面。应注意，各种结构可能未按比例绘制，且各种结构的尺寸可出于论述的清楚起见而任意增大或减小。图1显示本公开的一些实施例的装置结构的剖视图。图2显示本公开的一些实施例的装置结构的剖视图。图3显示本公开的一些实施例的装置结构的剖视图。图4显示本公开的一些实施例的装置结构的剖视图。图5显示本公开的一些实施例的装置结构的剖视图。图6显示本公开的一些实施例的装置结构的剖视图。图7显示本公开的用于制造装置结构的方法的一些实施例的一或多个阶段。图8显示本公开的用于制造装置结构的方法的一些实施例的一或多个阶段。图9显示本公开的用于制造装置结构的方法的一些实施例的一或多个阶段。图10显示本公开的用于制造装置结构的方法的一些实施例的一或多个阶段。图11显示本公开的用于制造装置结构的方法的一些实施例的一或多个阶段。图12显示本公开的用于制造装置结构的方法的一些实施例的一或多个阶段。图13显示本公开的用于制造装置结构的方法的一些实施例的一或多个阶段。图14显示本公开的用于制造装置结构的方法的一些实施例的一或多个阶段。图15显示本公开的用于制造装置结构的方法的一些实施例的一或多个阶段。图16显示本公开的用于制造装置结构的方法的一些实施例的一或多个阶段。图17显示本公开的用于制造装置结构的方法的一些实施例的一或多个阶段。图18显示本公开的用于制造装置结构的方法的一些实施例的一或多个阶段。图19显示本公开的用于制造装置结构的方法的一些实施例的一或多个阶段。图20显示本公开的用于制造装置结构的方法的一些实施例的一或多个阶段。图21显示本公开的用于制造装置结构的方法的一些实施例的一或多个阶段。图22显示本公开的用于制造装置结构的方法的一些实施例的一或多个阶段。图23显示本公开的用于制造装置结构的方法的一些实施例的一或多个阶段。图24显示本公开的用于制造装置结构的方法的一些实施例的一或多个阶段。图25显示本公开的用于制造装置结构的方法的一些实施例的一或多个阶段。具体实施方式贯穿图式及详细描述使用共用参考编号来指示相同或类似组件。本公开的实施例从结合附图进行的以下详细描述将更容易理解。以下公开内容提供用于实施所提供主题的不同特征的许多不同实施例或实例。下文描述组件和布置的具体实例来阐释本公开的某些方面。当然，这些只是实例且并不意图是限制性的。举例来说，在以下描述中，第一特征在第二特征上方或第二特征上的形成可包括第一特征和第二特征直接接触地形成或设置的实施例，并且还可包括额外特征可在第一特征与第二特征之间形成或设置，使得第一特征和第二特征可不直接接触的实施例。另外，本公开可在各种实例中重复参考标号和/或字母。此重复是出于简化和清楚的目的，且本身并不指示所论述的各种实施方案和/或配置之间的关系。本公开的至少一些实施例提供了可以将导孔尺寸调整为期望尺寸的装置结构。在一些实施例中，装置结构包括电极导孔，所述电极导孔贯穿介电材料，并且电连接到金属层。本公开的至少一些实施例进一步提供了用于制造所述装置结构的技术，以防止电极导孔大于期望尺寸。图1显示本公开的一些实施例的装置结构1的剖视图。装置结构1包括堆叠结构(stackedstructure)10、介电材料(dielectricmaterial)(包括例如介电材料20、介电材料20a、介电材料20b和介电材料20c)、电极导孔(electrodevia)30、多个第一内部导孔(firstinnervias)40、多个外部导孔(outervias)50和多个第二内部导孔(secondinnervias)60。在一些实施例中，装置结构1可以是电容器(capacitor)。堆叠结构10包括第一金属氧化物层(firstmetaloxidelayer)11、第二金属氧化物层(secondmetaloxidelayer)12、金属层(metallayer)13、第一电极结构(firstelectrodestru本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种装置结构，其包括：/n堆叠结构，其包括：/n第一金属氧化物层；/n第二金属氧化物层，其与所述第一金属氧化物层相对；以及/n金属层，其插入于所述第一金属氧化物层与所述第二金属氧化物层之间；/n介电材料，其贯穿所述第一金属氧化物层；以及/n电极导孔，其贯穿所述介电材料，并且电连接到所述金属层。/n

【技术特征摘要】
20191001 US 16/590,1731.一种装置结构，其包括：
堆叠结构，其包括：
第一金属氧化物层；
第二金属氧化物层，其与所述第一金属氧化物层相对；以及
金属层，其插入于所述第一金属氧化物层与所述第二金属氧化物层之间；
介电材料，其贯穿所述第一金属氧化物层；以及
电极导孔，其贯穿所述介电材料，并且电连接到所述金属层。


2.根据权利要求1所述的装置结构，其中所述介电材料覆盖所述金属层的一部分。


3.根据权利要求1所述的装置结构，其中所述介电材料向下逐渐变小。


4.根据权利要求1所述的装置结构，其中所述堆叠结构进一步包括设置为邻近所述第一金属氧化物层的第一电极结构和覆盖所述第一电极结构的第一介电结构，并且界定中心穿孔，所述中心穿孔贯穿所述第一介电结构、所述第一电极结构和所述第一金属氧化物层，以显露所述金属层的一部分，所述介电材料设置在所述中心穿孔中，并且界定中心开口，所述中心开口贯穿所述介电材料，并且所述电极导孔设置在所述中心开口中。


5.根据权利要求4所述的装置结构，其中所述第一电极结构包括设置在所述第一金属氧化物层上的绝缘层和设置在所述绝缘层上的电极层，所述电极层界定开口，所述开口贯穿所述电极层且对应于所述中心穿孔，并且所述第一介电结构包括第一介电层，所述第一介电层覆盖所述电极层和所述开口。


6.根据权利要求4所述的装置结构，其中所述第一介电结构包括第一介电层、设置在所述第一介电层上的至少一个第二介电层以及嵌入在所述第二介电层中的多条纤维，并且所述纤维的一部分延伸到所述中心穿孔中。


7.根据权利要求6所述的装置结构，其中所述介电材料覆盖所述纤维延伸到所述中心穿孔中的所述部分。


8.根据权利要求4所述的装置结构，其中所述堆叠结构进一步界定多个外部穿孔和多个第一内部穿孔，所述外部穿孔贯穿所述堆叠结构，所述第一内部穿孔位于所述中心穿孔与所述外部穿孔之间并贯穿所述第一介电结构，以显露所述第一电极结构的一部分。


9.根据权利要求4所述的装置结构，其中所述装置结构是电容器。


10.一种装置结构，其包括：
堆叠结构，其包括：
第一金属氧化物层；
第二金属氧化物层，其与所述第一金属氧化物层相对；以及
金属层，其插入于所述第一金属氧化物层与所述第二金属氧化物层之间；
介电材料，其贯穿所述第一金属氧化物层；
电极导孔，其贯穿所述介电材料，并且电连接到所述金属层；以及
第一重布结构，其设置在所述堆叠结构上，并且电连接到所述堆叠结构。


11.根据权利要求10所述的装置结构，其中所述第一重布结构包括设置在所述第一介电结构上的至少一个介电层和与所述介电层接触的重布层。


12.根据权利要求10所述的装置结构，其中所述堆叠结构进一步包括设置为邻近所述第一金属氧化物层的第一电极结构、覆盖所述第一电极结构的第一介电结构、设置为邻近所述第二金属氧化物层的第二电极结构以及覆盖所述第二电极结构的第二介电结构，并且界定中心穿孔，所述中心穿孔贯穿所述第一介电结构、所述第一电极结构和所述第一金属氧化物层，以显露所述金...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄文宏，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71