本发明涉及一种有机发光二极管，所述有机发光二极管包含基底，阳极，阴极，发光层，电子注入层，和电子传输层叠层结构；并且涉及包含该有机发光二极管的显示器件或照明器件。该有机发光二极管的显示器件或照明器件。该有机发光二极管的显示器件或照明器件。

本发明涉及一种具有式(I)的化合物，所述化合物的中间体、所述化合物的制备方法、包含所述化合物的有机半导体材料及包含所述有机半导体材料的有机电子器件。本发明还涉及包含所述有机电子器件的显示器件或照明器件。所述有机电子器件的显示器件或照明器...

本发明涉及一种包含半导体层的有机电子器件，所述半导体层包含异构化合物的混合物。所述半导体层包含异构化合物的混合物。所述半导体层包含异构化合物的混合物。

本发明涉及一种有机电子器件、一种有机半导体材料以及一种含1,3,5

本发明涉及一种有机电子器件，所述有机电子器件包含基底(110)、阳极层(120)、阴极层(190)、至少一个第一发光层(150)和空穴注入层(130)，其中

本发明涉及一种有机发光二极管，其包括阳极、阴极、第一发光层、第二发光层、第一电荷产生层和第一电子传输层叠层；以及一种包括所述有机发光二极管的显示装置或照明装置。有机发光二极管的显示装置或照明装置。有机发光二极管的显示装置或照明装置。

本发明涉及一种有源OLED显示器、制备有源OLED显示器的方法和化合物。具体地，本发明涉及一种显示器件，所述显示器件包含：

本发明涉及有机发光二极管，所述有机发光二极管包含阳极、阴极、第一发光层、第二发光层、第一电荷产生层和第一电子传输层叠层结构；并且涉及包含该有机发光二极管的显示器件或照明器件。或照明器件。或照明器件。

本发明涉及电子半导体器件和制备所述电子半导体器件的方法。具体地，本发明涉及一种电子器件，其在第一电极与第二电极之间包含至少一个第一空穴传输层，其中所述第一空穴传输层包含：(i)至少一种由共价结合的原子构成的第一空穴传输基质化合物，和(i...

本发明涉及一种包含阳极层、阴极层和空穴注入层的有机电子器件，其中空穴注入层布置在阳极层和阴极层之间，并且其中空穴注入层包含空穴传输化合物和金属络合物。空穴传输化合物和金属络合物。空穴传输化合物和金属络合物。

本发明涉及一种包括包含发光层、空穴传输层和电子传输层的限定层布置的电致发光器件。具体地，本发明涉及一种电致发光器件，其包括：

本发明涉及一种包括包含发光层、空穴传输层和电子传输层的限定层布置的电致发光器件。具体地，本发明涉及一种电致发光器件，其包括：

本发明涉及一种有机电子器件，所述有机电子器件包括阳极层、阴极层、至少一个发光层(EML)和至少一个空穴注入层(HIL)，其中所述空穴注入层布置在所述阳极层和所述至少一个发光层之间。光层之间。光层之间。

本发明涉及一种包含半导体层的有机电子器件，所述半导体层包含式(1)的化合物。所述半导体层包含式(1)的化合物。所述半导体层包含式(1)的化合物。

本发明涉及一种包含半导体层的有机电子器件，所述半导体层包含式(1)的化合物。所述半导体层包含式(1)的化合物。所述半导体层包含式(1)的化合物。所述半导体层包含式(1)的化合物。

本发明涉及一种有机电子器件，其包括半导体层，所述半导体层包含式(1)的化合物。所述半导体层包含式(1)的化合物。所述半导体层包含式(1)的化合物。

本发明涉及一种有机电子器件，其包括半导体层，所述半导体层包含式(1)的化合物。所述半导体层包含式(1)的化合物。所述半导体层包含式(1)的化合物。

本发明涉及包含取代或未取代吖啶基团的化合物、包含至少一种具有取代或未取代吖啶基团的化合物的有机半导体层以及包含所述有机半导体层的有机电子器件。本发明还涉及包含所述有机电子器件的显示装置。述有机电子器件的显示装置。述有机电子器件的显示装置。

本发明涉及一种有机材料和一种包含所述有机材料的电子器件，特定地是一种电致发光器件，特定地是一种有机发光二极管(OLED)，其中所述半导体材料包含四元取代的不对称吡嗪。所述半导体材料包含四元取代的不对称吡嗪。所述半导体材料包含四元取代的不...

本发明涉及一种包含半导体层的有机电子器件，所述半导体层包含式(1)的化合物。所述半导体层包含式(1)的化合物。所述半导体层包含式(1)的化合物。