有机发光二极管以及包含其的器件制造技术

本发明专利技术涉及有机发光二极管，所述有机发光二极管包含阳极、阴极、第一发光层、第二发光层、第一电荷产生层和第一电子传输层叠层结构；并且涉及包含该有机发光二极管的显示器件或照明器件。或照明器件。或照明器件。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】有机发光二极管以及包含其的器件


[0001]本专利技术涉及一种有机发光二极管以及包含其的器件。
[0002]作为自发光器件的有机发光二极管(OLED)，具有宽视角、优异的对比度、迅速的响应、高亮度、优异的驱动电压特性、和色彩再现。典型的OLED包括阳极、空穴传输层(HTL)、发光层(EML)、电子传输层(ETL)和阴极，它们依次层叠在基底上。在这方面，HTL、EML和ETL是由有机化合物和/或有机金属化合物形成的薄膜。
[0003]当向阳极和阴极施加电压时，从阳极电极注入的空穴经由HTL移动到EML，而从阴极电极注入的电子经由ETL移动到EML。空穴和电子在EML中复合而产生激子。当激子从激发态降至基态时，发出光。空穴和电子的注入和流动应该是平衡的，使得具有上述结构的OLED具有优异的效率。
[0004]多种包含不同电子传输材料的有机电子二极管是本领域中公知的。然而，仍然需要改善此类器件的性能，特别是需要改善单发光层顶部发光型OLED的性能，具体而言在效率和电压方面。
[0005]因此，本专利技术的目的是提供一种克服现有技术的缺点的有机发光二极管，特别是具有改善的性能、改善的效率和改善的电压的单发光层顶部发光型OLED。

技术实现思路

[0006]所述目的是通过一种有机发光二极管实现的，所述有机发光二极管包含不透明基底、阳极、阴极、发光层、电子注入层、和电子传输层叠层结构；其中
[0007]‑
所述电子传输层叠层结构布置在所述发光层和所述电子注入层之间；
[0008]‑
所述电子传输层叠层结构包含第一电子传输层和第二电子传输层；
[0009]‑
所述第一电子传输层包含式(I)的化合物
[0010](Ar1‑
A
c
)
a
‑
X
b
ꢀꢀꢀ
(I)；
[0011]‑
a和b独立地为1或2；
[0012]‑
c独立地为0或1；
[0013]‑
Ar1独立地选自C6至C
60
芳基或C2至C
42
杂芳基，
[0014]‑
其中每个Ar1可被一个或两个独立地选自下列中的取代基取代：C6至C
12
芳基，C3至C
11
杂芳基，C1至C6烷基，D，C1至C6烷氧基，C3至C6支链烷基，C3至C6环状烷基，C3至C6支链烷氧基，C3至C6环状烷氧基，部分或全氟化的C1至C6烷基，部分或全氟化的C1至C6烷氧基，部分或全氘化的C1至C6烷基，部分或全氘化的C1至C6烷氧基，卤素，CN，或PY(R
10
)2；其中Y选自O、S或Se，优选O，并且R
10
独立地选自C6至C
12
芳基、C3至C
12
杂芳基、C1至C6烷基、C1至C6烷氧基、部分或全氟化的C1至C6烷基、部分或全氟化的C1至C6烷氧基、部分或全氘化的C1至C6烷基、部分或全氘化的C1至C6烷氧基；
[0015]‑
其中Ar1上的每个C6至C
12
芳基取代基和Ar1上的每个C3至C
11
杂芳基取代基可被C1至C4烷基或卤素取代；
[0016]‑
A独立地选自C6至C
30
芳基，
烷基、部分或全氟化的C1至C6烷氧基、部分或全氘化的C1至C6烷基、部分或全氘化的C1至C6烷氧基；
[0032]‑
其中Z上的每个C6至C
12
芳基取代基可被C1至C4烷基或卤素取代；
[0033]‑
选择G，使得化合物G
‑
苯基的偶极矩为≥1D且≤7D；并且
[0034]‑
所述第一电子传输层和所述第二电子传输层不含电掺杂剂。
[0035]所述目的还通过包含本专利技术的有机发光二极管的器件来实现，其中所述器件是显示器件或照明器件。
[0036]第一电子传输层
[0037]第一电子传输层包含式(I)的化合物
[0038](Ar1‑
A
c
)
a
‑
X
b
ꢀꢀꢀ
(I)。
[0039]第一电子传输层可由式(I)的化合物组成。或者，第一电子传输层可由式(I)的化合物和一种或多种其它化合物的混合物组成，条件是其它化合物都不是电掺杂剂。第一电子传输层可包含多于一种式(I)的化合物。特别地，第一电子传输层可由式(I)的化合物和本领域中已知作为电子传输基质化合物的其它化合物的混合物组成。可包含的示例性其它电子传输基质化合物在下文公开。
[0040]在式(I)的化合物中，基团“A”是连接基团Ar1和基团X的间隔基部分(如果存在的话，即在c>1的情况下)。在式(I)的化合物包含多于一个基团(Ar1‑
A
c
)的情况下，所述基团可以或可以不独立地包含间隔基A。
[0041]在式(I)的化合物中，a和b独立地为1或2。或者，a和b可以都为1。
[0042]在式(I)的化合物中，c独立地为0或1。
[0043]Ar1独立地选自C6至C
60
芳基或C2至C
42
杂芳基，或者选自C6至C
54
芳基或C2至C
39
杂芳基，或者选自C6至C
48
芳基或C2至C
36
杂芳基，或者选自C6至C
42
芳基或C2至C
36
杂芳基，或者选自C6至C
36
芳基或C2至C
30
杂芳基，或者选自C6至C
30
芳基或C2至C
24
杂芳基。
[0044]Ar1可以独立地为C6至C
54
芳基，任选地为C6至C
48
芳基，任选地为C6至C
42
芳基，任选地为C6至C
36
芳基，任选地为C6至C
30
芳基，以及任选地为C6至C
24
芳基。
[0045]Ar1可以独立地为C2至C
42
杂芳基，任选地为C2至C
40
杂芳基，任选地为C2至C
36
杂芳基，任选地为C2至C
30
杂芳基，以及任选地为C2至C
24
杂芳基。
[0046]在一个实施方式中，Ar1与X不同。
[0047]Ar1可包含两个或更多个稠合的芳族环、优选三个或更多个稠合的芳族环的体系。
[0048]Ar1可包含至少一个sp3‑
杂化碳原子。
[0049]Ar1可包含至少一个没有整合到芳族环结构中的碳
‑
碳sp2烯烃键。在一个实施方式中，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种有机发光二极管，所述有机发光二极管包含不透明基底、阳极、阴极、发光层、电子注入层、和电子传输层叠层结构；其中
‑
所述电子传输层叠层结构布置在所述发光层和所述电子注入层之间；
‑
所述电子传输层叠层结构包含第一电子传输层和第二电子传输层；
‑
所述第一电子传输层包含式(I)的化合物(Ar1‑
A
c
)
a
‑
X
b
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
(I)；
‑
a和b独立地为1或2；
‑
c独立地为0或1；
‑
Ar1独立地选自C6至C
60
芳基或C2至C
42
杂芳基，
‑
其中每个Ar1可被一个或两个独立地选自下列中的取代基取代：C6至C
12
芳基，C3至C
11
杂芳基，C1至C6烷基，D，C1至C6烷氧基，C3至C6支链烷基，C3至C6环状烷基，C3至C6支链烷氧基，C3至C6环状烷氧基，部分或全氟化的C1至C6烷基，部分或全氟化的C1至C6烷氧基，部分或全氘化的C1至C6烷基，部分或全氘化的C1至C6烷氧基，卤素，CN，或PY(R
10
)2；其中Y选自O、S或Se，优选O，并且R
10
独立地选自C6至C
12
芳基、C3至C
12
杂芳基、C1至C6烷基、C1至C6烷氧基、部分或全氟化的C1至C6烷基、部分或全氟化的C1至C6烷氧基、部分或全氘化的C1至C6烷基、部分或全氘化的C1至C6烷氧基；
‑
其中Ar1上的每个C6至C
12
芳基取代基和Ar1上的每个C3至C
11
杂芳基取代基可被C1至C4烷基或卤素取代；
‑
A独立地选自C6至C
30
芳基，
‑
其中每个A可被一个或两个独立地选自下列中的取代基取代：C6至C
12
芳基，C1至C6烷基，D，C1至C6烷氧基，C3至C6支链烷基，C3至C6环状烷基，C3至C6支链烷氧基，C3至C6环状烷氧基，部分或全氟化的C1至C6烷基，部分或全氟化的C1至C6烷氧基，部分或全氘化的C1至C6烷基，部分或全氘化的C1至C6烷氧基，卤素，CN，或PY(R
10
)2；其中Y选自O、S或Se，优选O，并且R
10
独立地选自C6至C
12
芳基、C3至C
12
杂芳基、C1至C6烷基、C1至C6烷氧基、部分或全氟化的C1至C6烷基、部分或全氟化的C1至C6烷氧基、部分或全氘化的C1至C6烷基、部分或全氘化的C1至C6烷氧基；
‑
其中A上的每个C6至C
12
芳基取代基可被C1至C4烷基或卤素取代；
‑
X独立地选自C2至C
42
杂芳基和C6至C
60
芳基，
‑
其中每个X可被一个或两个独立地选自下列中的取代基取代：C6至C
12
芳基，C3至C
11
杂芳基，C1至C6烷基，D，C1至C6烷氧基，C3至C6支链烷基，C3至C6环状烷基，C3至C6支链烷氧基，C3至C6环状烷氧基，部分或全氟化的C1至C6烷基，部分或全氟化的C1至C6烷氧基，部分或全氘化的C1至C6烷基，部分或全氘化的C1至C6烷氧基，卤素，CN，或PY(R
10
)2；其中Y选自O、S或Se，优选O，并且R
10
独立地选自C6至C
12
芳基、C3至C
12
杂芳基、C1至C6烷基、C1至C6烷氧基、部分或全氟化的C1至C6烷基、部分或全氟化的C1至C6烷氧基、部分或全氘化的C1至C6烷基、部分或全氘化的C1至C6烷氧基；
‑
其中X上的每个C6至C
12
芳基取代基和X上的每个C3至C
11
杂芳基取代基可被C1至C4烷基或卤素取代；
‑
所述式(I)的化合物的分子偶极矩为≥0D且≤4D；
‑
所述第二电子传输层包含式(II)的化合物
(Ar2)
m
‑
(Z
k
‑
G)
n
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
(II)；
‑
m和n独立地为1或2；
‑
k独立地为0、1或2；
‑
Ar2独立地选自C2至C
42
杂芳基和C6至C
60
芳基，
‑
其中每个Ar2可被一个或两个独立地选自下列中的取代基取代：C6至C
12
芳基，C3至C
11
杂芳基，C1至C6烷基，D，C1至C6烷氧基，C3至C6支链烷基，C3至C6环状烷基，C3至C6支链烷氧基，C3至C6环状烷氧基，部分或全氟化的C1至C6烷基，部分或全氟化的C1至C6烷氧基，部分或全氘化的C1至C6烷基，部分或全氘化的C1至C6烷氧基，卤素，CN，或PY(R
10
)2；其中Y选自O、S或Se，优选O，并且R
10
独立地选自C6至C
12
芳基、C3至C
12
杂芳基、C1至C6烷基、C1至C6烷氧基、部分或全氟化的C1至C6烷基、部分或全氟化的C1至C6烷氧基、部分或全氘化的C1至C6烷基、部分或全氘...

【专利技术属性】
技术研发人员：安斯加尔，
申请(专利权)人：诺瓦尔德股份有限公司，
类型：发明
国别省市：