有机电子器件和包含所述有机电子器件的显示器件以及用于有机电子器件的组合物制造技术

本发明专利技术涉及一种包含半导体层的有机电子器件，所述半导体层包含异构化合物的混合物。所述半导体层包含异构化合物的混合物。所述半导体层包含异构化合物的混合物。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】有机电子器件和包含所述有机电子器件的显示器件以及用于有机电子器件的组合物


[0001]本专利技术涉及一种有机电子器件和包含所述有机电子器件的显示装置。本专利技术还涉及能够用于有机电子器件中的新型组合物。

技术介绍

[0002]作为自发光器件的诸如有机发光二极管OLED的有机电子器件具有宽视角、优异的对比度、快速响应、高亮度、优异的工作电压特性和色彩再现。典型的OLED包含阳极、空穴传输层HTL、发光层EML、电子传输层ETL和阴极，它们顺序层叠在基底上。在这方面，HTL、EML和ETL是由有机化合物形成的薄膜。
[0003]当将电压施加到阳极和阴极时，从阳极注入的空穴通过HTL移动到EML，并且从阴极注入的电子通过ETL移动到EML。空穴和电子在EML中重组以产生激子。当激子从激发态下降到基态时，发出光。空穴和电子的注入和流动应当平衡，使得具有上述结构的OLED具有优异的效率和/或长的寿命。
[0004]有机发光二极管的性能可受有机半导体层的特性的影响，其中，可受包含在所述有机半导体层中的材料的特性的影响。
[0005]本领域普遍认为，必须使用基本上不含杂质且不含异构体的超纯材料。然而，这些要求大大降低了在实践中获得此类化合物的可能性。
[0006]仍然需要寻找新的有机半导体材料以及有机半导体层和包含所述材料的有机电子器件，特别是所述材料的可用性。

技术实现思路

[0007]本专利技术的一个方面提供一种有机电子器件，所述有机电子器件包含阳极层、阴极层和至少一个有机半导体层，其中所述至少一个有机半导体层布置在阳极层与阴极层之间；并且其中所述至少一个有机半导体层包含组合物(在下文中也称为“根据本专利技术的组合物”)，所述组合物包含式(I)化合物
[0008][0009]和至少一种式(II)化合物
[0010][0011]其中
[0012]‑
B1选自式(IIIa)
[0013][0014]‑
B2选自式(IIIb)
[0015][0016]‑
B3选自式(IIIc)
[0017][0018]其中
[0019]A1、A3和A5独立地选自CN、部分或完全氟化的C1至C6烷基、部分或完全氟化的C1至C6烷氧基、取代或未取代的C6至C
18
芳基或C2至C
18
杂芳基，其中取代基选自氘、卤素、F、Cl、CN、部分或完全氟化的C1至C6烷基、部分或完全氟化的C1至C6烷氧基；并且
[0020]A2、A4和A6独立地选自取代或未取代的C6至C
18
芳基或取代或未取代的C2至C
18
杂芳基，其中取代基选自氘、卤素、F、Cl、CN、部分或完全氟化的C1至C6烷基、部分或完全氟化的C1至C6烷氧基；并且
[0021]式(I)化合物不同于式(II)化合物。
[0022]应当注意，在整个申请和权利要求书中，任何A
n
、B
n
、R
n
等总是指相同的部分，除非另有说明。
[0023]在本专利技术的上下文中，“不同”是指化合物不具有相同的化学结构。
[0024]只是为了更好地理解本专利技术
‑
而不是为了任何限制目的
‑
将显示本专利技术意义上的两种不同化合物，A1、A3和A5＝CN并且A2、A4和A6＝Ph：
[0025][0026]根据一个实施方案，根据本专利技术的组合物包含式(I)化合物和至少一种式(IIa)至(IId)的化合物
[0027][0028]在本说明书中，当没有另外定义时，“取代的”是指被氘、C1至C
12
烷基和/或C1至C
12
烷氧基的一种或多种取代。
[0029]然而，在本说明书中，“芳基取代的”是指被一个或多个芳基基团取代，其本身可以被一个或多个芳基和/或杂芳基基团取代。
[0030]相应地，在本说明书中，“杂芳基取代的”是指被一个或多个杂芳基基团取代，其本身可以被一个或多个芳基和/或杂芳基基团取代。
[0031]在本说明书中，当没有另外定义时，“烷基基团”是指饱和脂肪族烃基基团。烷基基团可以是C1至C
12
烷基基团。更具体地，烷基基团可以是C1至C
10
烷基基团或C1至C6烷基基团。例如，C1至C4烷基基团在烷基链中包含1至4个碳，并且可以选自甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基和叔丁基。
[0032]烷基基团的具体实例可以是甲基基团、乙基基团、丙基基团、异丙基基团、丁基基团、异丁基基团、仲丁基基团、叔丁基基团、戊基基团、己基基团。
[0033]术语“环烷基”是指通过从包含在相应环烷烃中的环原子中形式上分离出一个氢原子而衍生自环烷烃的饱和烃基基团。环烷基基团的实例可以是环丙基基团、环丁基基团、环戊基基团、环己基基团、甲基环己基基团、金刚烷基基团等。
[0034]术语“杂”被理解为在可以由共价键合的碳原子形成的结构中至少一个碳原子被另一个多价原子替代的方式。优选地，杂原子选自B、Si、N、P、O、S；更优选选自N、P、O、S。
[0035]在本说明书中，“芳基基团”是指通过从相应芳族烃中的芳族环形式上分离出一个氢原子而生成的烃基基团。芳族烃是指含有至少一个芳族环或芳族环系的烃。芳族环或芳族环系是指共价键合碳原子的平面环或环系，其中所述平面环或环系包含满足休克尔(H
ü
ckel)规则的离域电子的共轭体系。芳基基团的实例包括：单环基团如苯基或甲苯基；包含由单键连接的多个芳族环的多环基团如联苯基；和包含稠环的多环基团如萘基或芴
‑2‑
基。
[0036]类似地，杂芳基特别适合理解为通过从包含至少一个杂环芳族环的化合物中的杂环芳族环形式上分离出一个环氢而得到的基团。
[0037]杂环烷基特别适合理解为通过从包含至少一个饱和环烷基环的化合物中的饱和环烷基环形式上分离出一个环氢而得到的基团。
[0038]术语“稠合芳基环”或“缩合芳基环”理解为当两个芳基环共享至少两个公共的sp2杂化碳原子时，它们被认为是稠合或缩合的方式。
[0039]在本说明书中，单键是指直接键。
[0040]应注意，尽管上式(IIIa)至(IIIc)仅用于式(II)化合物的上下文中，但这些式也可用于描述式(I)化合物。
[0041]术语“不含”、“不含有”、“不包含”不排除在沉积前化合物中可能存在的杂质。杂质对本专利技术所实现的目的没有技术影响。
[0042]术语“接触夹入”是指其中中间层与两个相邻层直接接触的三层布置。
[0043]术语“吸光层”和“光吸收层”同义使用。
[0044]术语“发光层”、“光发射层”和“发射层”同义使用。
[0045]术语“OLED”、“有机发光二极管”和“有机发光器件”同义使用。
[0046]术语“阳极”、“阳本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种有机电子器件，所述有机电子器件包含阳极层、阴极层和至少一个有机半导体层，其中所述至少一个有机半导体层布置在所述阳极层与所述阴极层之间；并且其中所述至少一个有机半导体层包含一种组合物，所述组合物包含式(I)化合物和至少一种式(II)化合物其中
‑
B1选自式(IIIa)
‑
B2选自式(IIIb)
‑
B3选自式(IIIc)其中A1、A3和A5独立地选自CN、部分或完全氟化的C1至C6烷基、部分或完全氟化的C1至C6烷氧基、取代或未取代的C6至C
18
芳基或C2至C
18
杂芳基，其中所述取代基选自卤素、F、Cl、CN、部分或完全氟化的C1至C6烷基、部分或完全氟化的C1至C6烷氧基；并且A2、A4和A6独立地选自取代或未取代的C6至C
18
芳基或取代或未取代的C2至C
18
杂芳基，其中所述取代基选自卤素、F、Cl、CN、部分或完全氟化的C1至C6烷基、部分或完全氟化的C1至C6烷氧基；并且所述式(I)化合物不同于所述式(II)化合物。2.根据权利要求1所述的有机电子器件，其中所述组合物包含多于一种的式(II)化合物，它们彼此都不同并且都不同于所述式(I)化合物。3.根据权利要求1所述的有机电子器件，其中所述组合物包含式(I)化合物和至少一种
式(IIa)至(IId)的化合物式(IIa)至(IId)的化合物4.根据权利要求1至3中任一项所述的有机电子器件，其中至少一个A2、A4和A6选自C6至C
12
芳基或取代或未取代的C3至C
12
杂芳基，其中所述取代基选自卤素、F、Cl、CN、部分或完全氟化的C1至C4烷基、部分或完全氟化的C1至C4烷氧基。5.根据权利要求1至4中任一项所述的有机电子器件，其中A2、A4和A6中的至少一个选自取代或未取代的苯基、吡啶基或嘧啶基，其中所述取代基选自卤素、F、Cl、CN、部分或完全氟化的C1至C4烷基、部分或完全氟化的C1至C4烷氧基。6.根据权利要求1至5中任一项所述的有机电子器件，其中A1、A3和A5独立地选自CN、部分或完全氟化的C1至C4烷基、部分或完全氟化的C1至C4烷氧基、取代或未取代的C6至C
12
...

【专利技术属性】
技术研发人员：马克斯，
申请(专利权)人：诺瓦尔德股份有限公司，
类型：发明
国别省市：