有机发光二极管和包括其的装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种有机发光二极管，其包括阳极、阴极、第一发光层、第二发光层、第一电荷产生层和第一电子传输层叠层；以及一种包括所述有机发光二极管的显示装置或照明装置。有机发光二极管的显示装置或照明装置。有机发光二极管的显示装置或照明装置。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】有机发光二极管和包括其的装置


[0001]本专利技术涉及一种有机发光二极管和包括所述有机发光二极管的装置。

技术介绍

[0002]作为自发光器件的有机发光二极管(OLED)，具有宽视角、优异的对比度、快速响应、高亮度、优异的驱动电压特性和色彩再现。典型的OLED包括依次层叠在基底上的阳极、空穴传输层(HTL)、发光层(EML)、电子传输层(ETL)和阴极。在这方面，HTL、EML和ETL是由有机和/或有机金属化合物形成的薄膜。
[0003]当向阳极和阴极施加电压时，从阳极电极注入的空穴经由HTL移动到EML，并且从阴极注入的电子经由ETL移动到EML。空穴和电子在EML中重新结合以产生激子。当激子从激发态下降到基态时发光。空穴和电子的注入和流动应该平衡，以使得具有上述结构的OLED具有优异的效率。
[0004]包含不同电子传输材料的多种有机电子二极管在本领域中是众所周知的。然而，仍然需要改进此类器件的性能，特别是需要改进多发光层OLED的性能，特别是在效率和电压方面进行改进。
[0005]因此，本专利技术的目的在于提供一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种有机发光二极管，所述有机发光二极管包括阳极、阴极、第一发光层、第二发光层、第一电荷产生层和第一电子传输层叠层；其中
‑
所述第一电荷产生层布置在所述第一发光层与所述第二发光层之间；
‑
所述第一电子传输层叠层布置在所述第一发光层与所述第二发光层之间；
‑
所述第一电子传输层叠层包括第一电子传输层和第二电子传输层；
‑
所述第一电子传输层包含式(I)的化合物(Ar1‑
A
c
)
a
‑
X
b
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
(I)；
‑
a和b独立地为1或2；
‑
c独立地为0或1；
‑
Ar1独立地选自C6至C
60
芳基或C2至C
42
杂芳基，
‑
其中每个Ar1可被一个或两个独立地选自以下的取代基取代：C6至C
12
芳基、C3至C
11
杂芳基、和C1至C6烷基、D、C1至C6烷氧基、C3至C6支链烷基、C3至C6环状烷基、C3至C6支链烷氧基、C3至C6环状烷氧基、部分或全氟化的C1至C6烷基、部分或全氟化的C1至C6烷氧基、部分或全氘化的C1至C6烷基、部分或全氘化的C1至C6烷氧基、卤素、CN或PY(R
10
)2，其中Y选自O、S或Se，优选地O，并且R
10
独立地选自C6至C
12
芳基、C3至C
12
杂芳基、C1至C6烷基、C1至C6烷氧基、部分或全氟化的C1至C6烷基、部分或全氟化的C1至C6烷氧基、部分或全氘化的C1至C6烷基、部分或全氘化的C1至C6烷氧基；
‑
其中Ar1上的每个C6至C
12
芳基取代基和Ar1上的每个C3至C
11
杂芳基取代基可被C1至C4烷基或卤素取代；
‑
A独立地选自C6至C
30
芳基，
‑
其中每个A可被一个或两个独立地选自以下的取代基取代：C6至C
12
芳基和C1至C6烷基、D、C1至C6烷氧基、C3至C6支链烷基、C3至C6环状烷基、C3至C6支链烷氧基、C3至C6环状烷氧基、部分或全氟化的C1至C6烷基、部分或全氟化的C1至C6烷氧基、部分或全氘化的C1至C6烷基、部分或全氘化的C1至C6烷氧基、卤素、CN或PY(R
10
)2，其中Y选自O、S或Se，优选地O，并且R
10
独立地选自C6至C
12
芳基、C3至C
12
杂芳基、C1至C6烷基、C1至C6烷氧基、部分或全氟化的C1至C6烷基、部分或全氟化的C1至C6烷氧基、部分或全氘化的C1至C6烷基、部分或全氘化的C1至C6烷氧基；
‑
其中A上的每个C6至C
12
芳基取代基可被C1至C4烷基或卤素取代；
‑
X独立地选自C2至C
42
杂芳基和C6至C
60
芳基，
‑
其中每个X可被一个或两个独立地选自以下的取代基取代：C6至C
12
芳基、C3至C
11
杂芳基、和C1至C6烷基、D、C1至C6烷氧基、C3至C6支链烷基、C3至C6环状烷基、C3至C6支链烷氧基、C3至C6环状烷氧基、部分或全氟化的C1至C6烷基、部分或全氟化的C1至C6烷氧基、部分或全氘化的C1至C6烷基、部分或全氘化的C1至C6烷氧基、卤素、CN或PY(R
10
)2，其中Y选自O、S或Se，优选地O，并且R
10
独立地选自C6至C
12
芳基、C3至C
12
杂芳基、C1至C6烷基、C1至C6烷氧基、部分或全氟化的C1至C6烷基、部分或全氟化的C1至C6烷氧基、部分或全氘化的C1至C6烷基、部分或全氘化的C1至C6烷氧基；
‑
其中X上的每个C6至C
12
芳基取代基和X上的每个C3至C
11
杂芳基取代基可被C1至C4烷基或卤素取代；
‑
所述式(I)的化合物的分子偶极矩为≥0D且≤4D；
‑
所述第二电子传输层包含式(II)的化合物
(Ar2)
m
‑
(Z
k
‑
G)
n
ꢀꢀꢀꢀꢀ
(II)；
‑
m和n独立地为1或2；
‑
k独立地为0、1或2；
‑
Ar2独立地选自C2至C
42
杂芳基和C6至C
60
芳基，
‑
其中每个Ar2可被一个或两个独立地选自以下的取代基取代：C6至C
12
芳基、C3至C
11
杂芳基、和C1至C6烷基、D、C1至C6烷氧基、C3至C6支链烷基、C3至C6环状烷基、C3至C6支链烷氧基、C3至C6环状烷氧基、部分或全氟化的C1至C6烷基、部分或全氟化的C1至C6烷氧基、部分或全氘化的C1至C6烷基、部分或全氘化的C1至C6烷氧基、卤素、CN或PY(R
10
)2，其中Y选自O、S或Se，优选地O，并且R
10
独立地选自C6至C
12
芳基、C3至C
12
杂芳基、C1至C6烷基、C1至C6烷氧基、部分或全氟化的C1至C6烷基、部分或全氟化的C1至C6烷氧基、部分或全氘化的C1至C6烷基、部分或全氘化的C1至C6烷氧基；
‑
其中Ar2上的每个C6至C
...

【专利技术属性】
技术研发人员：安斯加尔，
申请(专利权)人：诺瓦尔德股份有限公司，
类型：发明
国别省市：