有机发光二极管及电子设备制造技术

本发明专利技术涉及一种有机发光二极管及电子设备。该有机发光二极管包括：依次层叠设置的阳极、发光层、中间层和阴极；其中，发光层包含主体材料，中间层包含修饰材料；修饰材料的HOMO能级与主体材料的HOMO能级之差的绝对值≤0.1eV；修饰材料的LUMO能级与主体材料的LUMO能级之差的绝对值≤0.1eV；修饰材料的T1能级与主体材料的T1能级之差的绝对值≤0.1eV；主体材料和修饰材料不同。通过能级匹配，扩大激子复合区，减少猝灭，提升器件效率。提升器件效率。提升器件效率。

【技术实现步骤摘要】
有机发光二极管及电子设备


[0001]本专利技术涉及电致发光
，特别是涉及一种有机发光二极管及电子设备。

技术介绍

[0002]经过几十年的发展，OLED显示面板正不断占据中小尺寸显示市场，替代原有的LCD显示，日臻成为主流技术。相较于LCD，OLED具有更快的相应速度、更高的对比度、更小的功耗，且OLED的可应用场景更加丰富，例如柔性、卷曲、折叠等等。常见的OLED包括阴极、阳极和设置于阴极和阳极之间的发光层(EML)以及若干个其他有机功能层，如空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子注入层(EIL)和电子传输层(ETL)，发光层通常包含主体材料和客体材料(或称掺杂剂)。为了进一步提高器件效率，通常会在发光层和电子传输层之间设置空穴阻挡层(HBL)，在发光层和空穴传输层之间设置电子阻挡层(EBL)，这样能够将载流子和激子限制与发光层中。
[0003]一般来说，电子阻挡层材料的LUMO能级要和发光层材料的LUMO能级形成一定的势垒高度，以阻挡电子和激子，而且还促进空穴从相邻空穴传输层注入到电子阻挡层，以及从电子阻挡层注入到相邻的发光层中。相应地，空穴阻挡层材料的HOMO能级也要和发光层材料的HOMO能级形成一定的势垒高度，以阻挡空穴和激子，而且还促进电子从相邻电子传输层注入到空穴阻挡层，以及从空穴阻挡层注入到相邻的发光层中。另外，电子阻挡阻挡层材料和空穴阻挡层材料的T1(第一激发三线态)能级要求比发光材料的T1能级大。但是，在实际应用中，难以找到和设计出如此有效的空穴阻挡材料或电子阻挡材料。如何提高有机发光二极管的效率一直困扰着相关研究人员。

技术实现思路

[0004]基于此，本专利技术提供了一种能够提高有机发光二极管的效率的技术方案。
[0005]技术方案如下：
[0006]一种有机发光二极管，包括：
[0007]依次层叠设置的阳极、发光层、中间层和阴极；
[0008]其中，
[0009]所述发光层包含主体材料，所述中间层包含修饰材料；
[0010]所述修饰材料的HOMO能级与所述主体材料的HOMO能级之差的绝对值≤0.1eV；
[0011]所述修饰材料的LUMO能级与所述主体材料的LUMO能级之差的绝对值≤0.1eV；
[0012]所述修饰材料的T1能级与所述主体材料的T1能级之差的绝对值≤0.1eV；
[0013]所述主体材料和所述修饰材料不同。
[0014]本专利技术还提供一种电子设备，其包含上述的有机发光二极管。
[0015]本专利技术具有如下有益效果：
[0016]本专利技术提供的有机发光二极管包括层叠设置的阳极、发光层、中间层和阴极，发光层包含主体材料，中间层包含修饰材料，且两种材料不同，由于修饰材料的HOMO能级与主体
材料的HOMO能级之差的绝对值≤0.1eV，修饰材料的LUMO能级与主体材料的LUMO能级之差的绝对值≤0.1eV，以及修饰材料的T1能级与主体材料的T1能级之差的绝对值≤0.1eV，通过能级匹配，扩大激子复合区，减少猝灭，提升器件效率。
附图说明
[0017]图1是本专利技术一实施例所述的OLED器件的结构示意图；
[0018]图2是本专利技术另一实施例所述的正置OLED器件的结构示意图；
[0019]图3是本专利技术另一实施例所述的倒置OLED器件的结构示意图；
[0020]图4是传统的蓝光OLED发光层和空穴阻挡层T1能级，本专利技术蓝光OLED发光层和中间层T1能级示意图；
[0021]图5是本专利技术一实施例关于图2所示的正置OLED器件的制备方法流程图；
[0022]图6是本专利技术一实施例关于图3所示的倒置OLED器件的制备方法流程图；
[0023]图7是本专利技术对比例1至3中的正置OLED器件的结构示意图；
[0024]图8是本专利技术对比例4中的正置OLED器件的结构示意图；
[0025]图9是对实施例1至3，以及对比例1中的蓝光OLED发光效率测试结果。
具体实施方式
[0026]为使本专利技术的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下对本专利技术进一步详细说明。本专利技术可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是使对本专利技术公开内容理解更加透彻全面。
[0027]除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本专利技术的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本专利技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本专利技术。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
[0028]在描述位置关系时，除非另有规定，否则当一元件例如层、膜或基板被指为在另一膜层“上”时，其能直接在其他膜层上或亦可存在中间膜层。进一步说，当层被指为在另一层“下”时，其可直接在下方，亦可存在一或多个中间层。亦可以理解的是，当层被指为在两层“之间”时，其可为两层之间的唯一层，或亦可存在一或多个中间层。
[0029]在使用本文中描述的“包括”、“具有”、和“包含”的情况下，意图在于覆盖不排他的包含，除非使用了明确的限定用语，例如“仅”、“由
……
组成”等，否则还可以添加另一部件。
[0030]除非相反地提及，否则单数形式的术语可以包括复数形式，并不能理解为其数量为一个。
[0031]此外，附图并不是以1：1的比例绘制，并且各元件的相对尺寸在附图中仅以示例地绘制，以便于理解本专利技术，但不一定按照真实比例绘制，附图中的比例不构成对本专利技术的限制。
[0032]本专利技术提供了一种能够提高有机发光二极管的效率的技术方案。
[0033]技术方案如下：
[0034]参见图1，一种有机发光二极管，包括：依次层叠设置的阳极101、发光层102、中间层1003和阴极104；其中，所述发光层包含主体材料，所述中间层包含修饰材料；所述修饰材
料的HOMO能级与所述主体材料的HOMO能级之差的绝对值≤0.1eV；所述修饰材料的LUMO能级与所述主体材料的LUMO能级之差的绝对值≤0.1eV；所述修饰材料的T1能级与所述主体材料的T1能级之差的绝对值≤0.1eV；所述主体材料和所述修饰材料不同。
[0035]本专利技术通过能级匹配，扩大激子复合区，减少猝灭，提升了器件性能。
[0036]在其中一个实施例中，所述修饰材料的HOMO能级与所述主体材料的HOMO能级之差的绝对值≤0.05Ev；所述修饰材料的LUMO能级与所述主体材料的LUMO能级之差的绝对值≤0.05eV；所述修饰材料的T1能级与所述主体材料的T1能级之差的绝对值≤0.05eV。
[0037]在其中一个实施例中，所述修饰材料的费米能级与所述主体材料的费米能级之差的绝对值≤0.1eV。这样能够保证中间层和发光层主体材料具有相似的半导体极性。
[0038]在其中一个实施例中，所述修饰材料的费米能级与所述主体材料本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种有机发光二极管，其特征在于，包括：依次层叠设置的阳极、发光层、中间层和阴极；其中，所述发光层包含主体材料，所述中间层包含修饰材料；所述修饰材料的HOMO能级与所述主体材料的HOMO能级之差的绝对值≤0.1eV；所述修饰材料的LUMO能级与所述主体材料的LUMO能级之差的绝对值≤0.1eV；所述修饰材料的T1能级与所述主体材料的T1能级之差的绝对值≤0.1eV；所述主体材料和所述修饰材料不同。2.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其特征在于，所述修饰材料的费米能级与所述主体材料的费米能级之差的绝对值≤0.1eV。3.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其特征在于，所述有机发光二极管为蓝光有机发光二极管。4.根据权利要求3所述的有机发光二极管，其特征在于，所述主体材料和所述修饰材料分别独立地选自9,10
‑
二
‑2‑
萘蒽，9,10
‑
二(2
‑
萘基)
‑2‑
甲基蒽，2
‑
(叔丁基)
‑
9,10
‑
二(萘
‑2‑
基)蒽，4,4'
‑
二[10
‑
(萘
‑1‑
基)蒽
‑9‑
基]联苯，10,10'
‑
二(联苯
‑4‑
基)
‑
9,9'
‑
联蒽和9
‑
(萘
‑1‑
基)
‑
10
‑
(萘
‑2‑
基)蒽中的一种。5.根据权利要求4所述的有机发光二极管，其特征在于，所述发光层的厚度为20～60nm，所述中间层的厚度为5～15nm。6.根据权利要求4所述的有机发光二极管，其特征在于，所述发光层还包含客体材料，以占所述发光层的质量百分比计，所述客体材料的含量≤5％。7.根据权利要求6所述的有机发光二极管，其特征在于，所述客体材料选自二芳香胺基芘衍生物和/或含硼氮杂环类稠环化合物。8.根据权利要求7所述的有机发光二极管，其特征在于，所述二芳香胺基芘衍生物选自J1、J2、J3、J4、J5、J6或J7；所述含硼氮杂环类稠环化合物选自DABNA
‑
1、DABNA
‑
2、t
‑
DABNA、TBN
‑
TPA、B2、BBCz
‑
DB或v
‑
DABNA；
9.根据权利要求1至8任一项所述的有机发光二极管，其特征在于，所述有机发光二极管还包括：设置于所述阳极和所述发光层之间的空穴注入层；设置于...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏亮，王士攀，潘帅，庄锦勇，付东，
申请(专利权)人：广东聚华印刷显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：