本发明涉及适合用作电子器件的层材料的式(1)有机化合物，并且涉及包含至少一种其化合物的有机半导体层，并且涉及包含至少一个有机半导体层的有机电子器件，及其制造方法。

本发明涉及一种根据式(1)所述的化合物:

本发明涉及一种式(I)的化合物、所述化合物的制备方法、包含所述化合物的有机半导体层、包含所述有机半导体层的有机电子器件和包含所述有机电子器件的显示装置或照明装置，

本发明涉及有机材料和包含所述有机材料的电子器件，特别是电致发光器件，特别是有机发光二极管(OLED)，其中所述半导体材料包含双杂芳基取代的芳基或杂芳基，其进一步被取代的芳基部分取代。

本发明涉及一种有机发光二极管。具体地，本发明涉及一种有机发光二极管，其包含阳极、发光层、空穴传输层和电子阻挡层，其中空穴传输层和电子阻挡层布置在阳极与发光层之间，并且电子阻挡层与发光层相邻并接触，其中电子阻挡层包含式(I)的化合物，

本发明涉及一种包含极性基质、金属掺杂剂和银阴极的有机发光器件。具体地，本发明涉及一种在阳极和基本上为银的阴极之间包含至少一个发光层的电子器件，该器件在阴极和阳极之间还包含至少一个混合层，所述混合层包含(i)至少一种基本上共价的电子传输基...

本发明涉及一种有机电子器件、相应化合物以及包含所述有机电子器件的显示装置和照明装置，所述有机电子器件在阴极和阳极之间包含至少一个选自电子注入层、电子传输层或电子产生层的层，所述层包含至少一种下式(I)化合物，其中所述式(I)化合物包含一...

本发明涉及一种有机电子器件、式(I)化合物以及包含所述有机电子器件的显示和照明装置，所述有机电子器件包含至少一个包含式(I)化合物的电子传输、电子注入或电子产生层，其中在“*”位置处不与‑(A)

本发明涉及有机材料，并且涉及包含所述有机材料的电子器件，具体涉及电致发光器件，具体涉及有机发光二极管(OLED)，其中所述半导体材料包含多取代的苯基部分、具有至少两个稠环的芳基部分、极性部分和这些部分之间的任选连接体。

本发明涉及一种由通式(I)表示的化合物，包含该化合物的有机半导体层，包括该有机半导体层的有机电子器件以及包括该有机电子器件的显示装置或照明装置，在通式(I)中，X选自O、S和Se；R

本发明涉及一种有机半导体层，所述有机半导体层包含：‑式1化合物：

本发明涉及适合用作电子器件的层材料的式1的三嗪化合物，并且涉及包含至少一种式1的化合物的有机半导体层，以及涉及包含至少一个有机半导体层的有机电子器件，及其制造方法。

本发明涉及用作电子器件的层材料的包含TAE结构的化合物，并涉及包含所述层材料的有机电子器件及其制造方法。

本发明涉及一种电子器件及其制备方法，所述电子器件含有包含硼酸盐络合物的半导体层，所述硼酸盐络合物包含选自Ca和Sr中的金属和至少一种硼酸根配体，其中所述硼酸根配体包含至少一个杂环基团。

本发明涉及一种有机电子器件，其包含至少一种反配位络合物，所述反配位络合物包含：(i)由一个原子或一起形成共价簇的多个原子构成的核；(ii)由至少四个电正性原子构成的第一配位球，所述电正性原子各自单独地具有小于2.4的Allen电负性；和...

本发明涉及一种半导体材料、包含所述半导体材料的电子器件以及制备所述半导体材料的方法，所述半导体材料包含：(i)至少一种包含二价金属的金属络合物或金属盐；和(ii)至少一种包含二烷基氧化膦基团的基质化合物。

本发明涉及一种包含空穴注入层和/或空穴传输层和/或空穴产生层的电子器件，其中所述空穴注入层、空穴传输层和空穴产生层中的至少一者包含配位络合物，所述配位络合物包含至少一种具有小于2.4的Allen电负性值的电正性原子M和至少一种具有下述结...

本发明涉及包含与取代或未取代三嗪环直接结合的TAE结构的化合物，其用作电子器件的层材料，并涉及包含所述层材料的有机电子器件及其制造方法。

本发明涉及用作电子器件的层材料的包含TAE结构的化合物，并涉及包含所述层材料的有机电子器件及其制造方法。

本发明涉及一种由通式(I)表示的化合物：(式I)、包含所述化合物的有机半导体层、包括所述有机半导体层的有机电子器件以及包括所述有机电子器件的装置。