化合物、其制备方法、有机半导体层、有机电子器件、包含其的显示装置和照明装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种式(I)的化合物、所述化合物的制备方法、包含所述化合物的有机半导体层、包含所述有机半导体层的有机电子器件和包含所述有机电子器件的显示装置或照明装置，

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】化合物、其制备方法、有机半导体层、有机电子器件、包含其的显示装置和照明装置
本专利技术涉及一种化合物和包含所述化合物的有机半导体层。本专利技术还涉及一种制备本专利技术化合物的方法。本专利技术还涉及一种包含所述有机半导体层的有机电子器件。此外，本专利技术涉及一种包含所述有机电子器件的显示装置或照明装置。
技术介绍
作为自发光器件的有机发光二极管(OLED)具有宽视角、优异的对比度、快速响应、高亮度、优异的驱动电压特性和色彩再现。典型的OLED包含阳极、空穴传输层(HTL)、发光层(EML)、电子传输层(ETL)和阴极，它们顺序层叠在基底上。在这方面，HTL、EML和ETL是由有机和/或有机金属化合物形成的薄膜。当将电压施加到阳极和阴极时，从阳极电极注入的空穴通过HTL移动到EML，并且从阴极电极注入的电子通过ETL移动到EML。空穴和电子在EML中重组以产生激子。当激子从激发态下降到基态时，发出光。空穴和电子的注入和流动应当平衡，使得具有上述结构的OLED具有优异的效率。KR20170058625A公开了被芳基-或杂芳基-本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种式(I)的化合物/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180418 EP 18168029.91.一种式(I)的化合物



其中Ar1选自取代或未取代的C2～C36杂芳基，且基团Ar1通过其碳原子中的一个结合到由式(I)表示的其余结构上；
Ar2选自取代或未取代的C6～C36芳基和包含选自O、S和Se中的至少一个杂原子的取代或未取代的C4～C36杂芳基，其中所述包含选自O、S和Se中的至少一个杂原子的杂芳基通过其碳原子中的一个结合到由式(I)表示的其余结构上；
Ar3选自取代或未取代的C6～C18芳亚基和取代或未取代的C3～C18杂芳亚基，其中条件是所述基团Ar3包含不超过三个稠环；
其中，在Ar1、Ar2和Ar3中的一个或多个被取代的情况下，取代基各自独立地选自D、F、C1～C20直链烷基、C3～C20支链烷基、C3～C20环状烷基、C1～C20直链烷氧基、C3～C20支链烷氧基、直链氟化的C1～C12烷基、直链氟化的C1～C12烷氧基、C3～C12支链氟化的环状烷基、C3～C12氟化的环状烷基、C3～C12氟化的环状烷氧基、CN、RCN、C6～C20芳基、C2～C20杂芳基、OR、SR、(C＝O)R、(C＝O)NR2、SiR3、(S＝O)R、(S＝O)2R、(P＝O)R2；其中各个R独立地选自：C1～C20直链烷基、C1～C20烷氧基、C1～C20硫代烷基、C3～C20支链烷基、C3～C20环状烷基、C3～C20支链烷氧基、C3～C20环状烷氧基、C3～C20支链硫代烷基、C3～C20环状硫代烷基、C6～C20芳基和C2～C20杂芳基；并且
其中Ar1和Ar2相互不同地选择。


2.根据权利要求1所述的化合物，其中Ar1选自C3～C26杂芳基。


3.根据权利要求1或2所述的化合物，其中Ar1包含至少一个N原子。


4.根据前述权利要求中的任一项所述的化合物，其中Ar2包含至少两个稠环。


5.根据权利要求1～3中的任一项所述的化合物，其中Ar2选自具有下式a～k的基团



其中上式中的星号符号“*”表示相应基团结合到由式(I)表示的其余结构的位置。


6.根据前述权利要求中...

【专利技术属性】
技术研发人员：本杰明·舒尔策，弗朗索瓦·卡尔迪纳利，约翰内斯·斯科尔茨，
申请(专利权)人：诺瓦尔德股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE