有机发光二极管制造技术

本发明专利技术涉及一种有机发光二极管。具体地，本发明专利技术涉及一种有机发光二极管，其包含阳极、发光层、空穴传输层和电子阻挡层，其中空穴传输层和电子阻挡层布置在阳极与发光层之间，并且电子阻挡层与发光层相邻并接触，其中电子阻挡层包含式(I)的化合物，

【技术实现步骤摘要】
有机发光二极管
本专利技术涉及一种有机发光二极管。具体地，本专利技术涉及一种有机发光二极管，所述有机发光二极管对于其层结构的电子性能得到了优化。
技术介绍
作为自发光器件的有机发光二极管(OLED)具有宽视角、优异的对比度、快速响应、高亮度、优异的驱动电压特性和色彩再现。通常的OLED包含阳极、空穴传输层(HTL)、发光层(EML)、电子传输层(ETL)和阴极，它们顺序层叠在基底上。在这方面，HTL、EML和ETL是由有机和/或有机金属化合物形成的薄膜。当将电压施加到阳极和阴极时，从阳极电极注入的空穴通过HTL移动到EML，并且从阴极电极注入的电子通过ETL移动到EML。空穴和电子在EML中重组以产生激子。当激子从激发态下降到基态时，发光。空穴和电子的注入和流动应当平衡，使得具有上述结构的OLED具有优异的效率。包含空穴注入层、空穴传输层和电子阻挡层(通常分别缩写为HIL、HTL和EBL)的有机电致发光器件属于现有技术AMOLED显示器的工业标准。用于空穴注入层和/或空穴传输层的现有技术空穴传输基质化合物可以由化合物C1表示：所述化合物C1称作N-([1,1'-联苯]-4-基)-9,9-二甲基-N-(4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-芴基-2-胺，CAS1242056-42-3。现有技术的空穴注入材料和/或p型掺杂剂可以由化合物HATCN、PD1和PD2表示：作为现有技术EBL基质的一个实例，可以使用化合物C2，或C3，<br>然而，仍然需要改善有机发光器件的性能。因此，本专利技术的目的是提供一种克服现有技术的缺点的有机发光器件，特别是具有改善的性能的有机发光二极管。
技术实现思路
上述目的是通过一种有机发光二极管来实现的，所述有机发光二极管包含阳极、发光层、空穴传输层和电子阻挡层，其中空穴传输层和电子阻挡层布置在阳极与发光层之间，并且电子阻挡层与发光层相邻并接触，其中所述电子阻挡层包含下式(I)的化合物：其中Ar1、Ar2和Ar3独立地选自C6～C48芳基，并且Ar1～Ar3中的至少一个由下式(II)表示：其中空穴传输层包含空穴传输基质化合物，其中空穴传输基质化合物的最高占据分子轨道的能级比上述化合物C1(CAS1242056-42-3)的最高占据分子轨道的能级更负，其中最高占据分子轨道的相应能级是将真空能级作为零在绝对能量刻度(energyscale)上确定的。本专利技术人惊奇地发现，将式(I)的化合物用于有机发光二极管的电子阻挡层中并将具有特定最高占据分子轨道(HOMO)能级的化合物用于与所述电子阻挡层相邻的空穴传输层中，有助于改善相应发光二极管的性能。本专利技术人还令人惊奇地发现，接下来提及的优选实施方案特别有助于进一步改善性能。通过组合两个或更多个下面准备的实施方案，获得了最佳性能。在权利要求书和本文中的整个
技术实现思路
中，为了提高易读性，使用单数形式来表示空穴传输层、发光层等。然而，除非另外明确指出，否则本专利技术的有机发光二极管可以包含一个或两个或更多个相应层。例如，本专利技术的有机发光二极管可以包含一个、两个、三个等的空穴传输层。在这方面，这些层中至少一个层包含本文中所指的化合物。同样，相应层中的超过一个层(或甚至全部层)可以满足要求。具有式(II)的部分原则上可以利用式(II)的部分与氮原子之间的单键通过其任意位置连接到具有式(I)的化合物的氮原子。通过使用B3LYP泛函和Gaussian6-31G*基集的标准TURBOMOLE软件包进行计算，确定化合物C1(CAS1242056-42-3)的相应空穴传输基质化合物的最高占据分子轨道的能级。在一个实施方案中，Ar1～Ar3中的两者由下式(II)表示：在一个另外的实施方案中，Ar1～Ar3中的至少一者由下式(III)表示：其中虚线代表与式(I)的氮原子的结合位置。在一个另外的实施方案中，Ar1～Ar3中的至少一者包含由下式(IV)表示的结构单元：在这方面，式(I)的氮原子与包含由式(IV)表示的结构单元的基团之间的连接，可以是通过式(I)的氮原子与式(IV)的结构单元之间的单键或者通过连接到式(IV)的结构单元的另外的结构单元来实现的，其中优选定向连接的第一种情况。在一个实施方案中，式(IV)的结构单元是9,9'-二取代芴-2-基。在一个实施方案中，Ar1～Ar3中的至少一者可以由下式(V)表示：在一个实施方案中，式(V)的结构单元是9,9'-二甲基芴-2-基。在一个实施方案中，发光层包含蓝色发光体。在另一个实施方案中，蓝色发光体是蓝色荧光发光体。所述有机发光二极管还可以包含阴极、空穴阻挡层和电子传输层，其中所述空穴阻挡层布置在所述发光层与所述阴极之间，所述空穴阻挡层与所述发光层相邻并且所述电子传输层与所述空穴阻挡层相邻。空穴阻挡层和电子传输层可以包含电子传输基质化合物，所述电子传输基质化合物包含由下式(VI)表示的结构部分：电子传输层可以包含n型掺杂剂。n型掺杂剂可以选自金属盐、金属络合物和元素金属。阳极与发光层之间的至少一个层可以包含p型掺杂剂。p型掺杂剂可以选自金属盐、金属络合物和包含至少一个腈基的有机化合物。在一个实施方案中，具有比化合物C1(CAS1242056-42-3)的相应能级更负的HOMO能级的空穴传输基质化合物可以具有下式：其中Ar4、Ar5和Ar6独立地选自C6～C48芳基，条件是相应的化合物满足如本文中所定义的关于其HOMO能级的要求。此外，Ar4、Ar5和Ar6中的至少一者可以选自如下的基团IX～XI：在一个另外的实施方案中，Ar4可以由式(IX)表示，Ar5可以由式(X)表示并且Ar6可以由式(XI)表示。在一个另外的实施方案中，包含在空穴传输层中的空穴传输基质化合物由如下化合物B1表示：所述目的还通过一种包含至少一种如本文中所定义的有机发光二极管的装置来实现，其中所述装置是显示装置或照明装置。关于有机发光二极管的优选实施方案也是包含这种二极管的装置的优选实施方案。另外的层根据本专利技术的有机发光器件(＝有机发光二极管)包含层叠在一起以形成有机发光器件的基本功能部分的多种不同的层。下面提供关于根据本专利技术的有机发光器件的相应层和区域的更多细节。电子传输区域可以将形成有机发光器件的有机层的叠层结构的电子传输区域设置在发光层上。有机层的叠层结构的电子传输区域包含至少第一电子传输层和任选的第二电子传输层。有机层的叠层结构的电子传输区域还可以包含电子注入层。例如，有机层的叠层结构的电子传输区域可以具有第一电子传输层/电子注入层的结构，或者可替代地具有第一电子传输层/第二电子传输层/电子注入层的结构，但不限于此。例如，根据本专利技术的一个实本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种有机发光二极管，所述有机发光二极管包含阳极、发光层、空穴传输层和电子阻挡层，/n其中所述空穴传输层和所述电子阻挡层布置在所述阳极与所述发光层之间，并且所述电子阻挡层与所述发光层相邻并接触，其中/n所述电子阻挡层包含下式(I)的化合物：/n

【技术特征摘要】
20190521 EP 19175626.11.一种有机发光二极管，所述有机发光二极管包含阳极、发光层、空穴传输层和电子阻挡层，
其中所述空穴传输层和所述电子阻挡层布置在所述阳极与所述发光层之间，并且所述电子阻挡层与所述发光层相邻并接触，其中
所述电子阻挡层包含下式(I)的化合物：



其中Ar1、Ar2和Ar3独立地选自C6～C48芳基，并且Ar1～Ar3中的至少一者由下式(II)表示：



其中所述空穴传输层包含空穴传输基质化合物，其中所述空穴传输基质化合物的最高占据分子轨道的能级比如下化合物的最高占据分子轨道的能级更负：



其中最高占据分子轨道的相应能级是将真空能级作为零在绝对能量刻度上确定的。


2.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中Ar1～Ar3中的两者由下式(II)表示：





3.根据权利要求1或2所述的有机发光二极管，其中Ar1～Ar3中的至少一者由下式(III)表示：



其中虚线代表与式(I)的氮原子的结合位置。


4.根据前述权利要求中的任一项所述的有机发光二极管，其中Ar1～Ar3中的至少一者包含由下式(IV)表示的结构单元：





5.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中Ar1～Ar3中的至少一者由下式(V)表示：





6...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴茂真，黄强，
申请(专利权)人：诺瓦尔德股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE