【技术实现步骤摘要】
有机发光二极管
本专利技术涉及一种有机发光二极管。具体地，本专利技术涉及一种有机发光二极管，所述有机发光二极管对于其层结构的电子性能得到了优化。
技术介绍
作为自发光器件的有机发光二极管(OLED)具有宽视角、优异的对比度、快速响应、高亮度、优异的驱动电压特性和色彩再现。通常的OLED包含阳极、空穴传输层(HTL)、发光层(EML)、电子传输层(ETL)和阴极，它们顺序层叠在基底上。在这方面，HTL、EML和ETL是由有机和/或有机金属化合物形成的薄膜。当将电压施加到阳极和阴极时，从阳极电极注入的空穴通过HTL移动到EML，并且从阴极电极注入的电子通过ETL移动到EML。空穴和电子在EML中重组以产生激子。当激子从激发态下降到基态时，发光。空穴和电子的注入和流动应当平衡，使得具有上述结构的OLED具有优异的效率。包含空穴注入层、空穴传输层和电子阻挡层(通常分别缩写为HIL、HTL和EBL)的有机电致发光器件属于现有技术AMOLED显示器的工业标准。用于空穴注入层和/或空穴传输层的现有技术空穴传输基质化合物可以...
【技术保护点】
1.一种有机发光二极管，所述有机发光二极管包含阳极、发光层、空穴传输层和电子阻挡层，/n其中所述空穴传输层和所述电子阻挡层布置在所述阳极与所述发光层之间，并且所述电子阻挡层与所述发光层相邻并接触，其中/n所述电子阻挡层包含下式(I)的化合物：/n
【技术特征摘要】
20190521 EP 19175626.11.一种有机发光二极管，所述有机发光二极管包含阳极、发光层、空穴传输层和电子阻挡层，
其中所述空穴传输层和所述电子阻挡层布置在所述阳极与所述发光层之间，并且所述电子阻挡层与所述发光层相邻并接触，其中
所述电子阻挡层包含下式(I)的化合物：
其中Ar1、Ar2和Ar3独立地选自C6～C48芳基，并且Ar1～Ar3中的至少一者由下式(II)表示：
其中所述空穴传输层包含空穴传输基质化合物，其中所述空穴传输基质化合物的最高占据分子轨道的能级比如下化合物的最高占据分子轨道的能级更负：
其中最高占据分子轨道的相应能级是将真空能级作为零在绝对能量刻度上确定的。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中Ar1～Ar3中的两者由下式(II)表示：
3.根据权利要求1或2所述的有机发光二极管，其中Ar1～Ar3中的至少一者由下式(III)表示：
其中虚线代表与式(I)的氮原子的结合位置。
4.根据前述权利要求中的任一项所述的有机发光二极管，其中Ar1～Ar3中的至少一者包含由下式(IV)表示的结构单元：
5.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中Ar1～Ar3中的至少一者由下式(V)表示：
6...
【专利技术属性】
技术研发人员：朴茂真，黄强，
申请(专利权)人：诺瓦尔德股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE
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