电子器件及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种电子器件及其制备方法，所述电子器件含有包含硼酸盐络合物的半导体层，所述硼酸盐络合物包含选自Ca和Sr中的金属和至少一种硼酸根配体，其中所述硼酸根配体包含至少一个杂环基团。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】电子器件及其制备方法本专利技术涉及一种电子器件及其制备方法。
技术介绍
作为自发光器件的有机发光二极管(OLED)具有宽视角、优异的对比度、快速响应、高亮度、优异的驱动电压特性和色彩再现。典型的OLED包含阳极、空穴传输层(HTL)、发光层(EML)、电子传输层(ETL)和阴极，它们依次层叠在基底上。在这方面，HTL、EML和ETL是由有机和/或有机金属化合物形成的薄膜。当将电压施加至阳极和阴极时，从阳极电极注入的空穴经由HTL移动至EML，并且从阴极电极注入的电子经由ETL移动到EML。空穴和电子在EML中重组以产生激子。当激子从激发态下降到基态时，发光。空穴和电子的注入和流动应当平衡，使得具有上述结构的OLED具有优异的效率。在现有技术中，例如从欧洲专利申请EP2786433A1中已知用于有机电子器件中的硼酸盐络合物。然而，仍然需要进一步改善包含硼酸盐络合物的有机电子器件的单元(cell)性能，特别是改善其寿命和驱动电压。因此，本专利技术的目的是提供用于有机电子器件的半导体层中的克服了现有技术缺点的新型化合物，特别是适合于改善有机电子器件性能的这种化合物。特别地，目的是提供新型的硼酸盐络合物，所述硼酸盐络合物在其热性质和在有机电子器件中的性能方面显示出有利的性质。此外，与本领域已知的化合物相比，应提供这样的硼酸盐络合物，使得能够广泛选择适用的基质材料。
技术实现思路
该目的通过一种含有包含硼酸盐络合物的半导体层的电子器件来实现，所述硼酸盐络合物包含选自Ca和Sr中的金属和至少一种硼酸根配体，其中所述硼酸根配体包含至少一个杂环基团。专利技术人惊奇地发现，在电子器件中使用上述结构的硼酸盐络合物使得能够广泛选择适用的基质材料，特别是与本领域已知的Mg类似物相比更是如此。此外，专利技术人惊奇地发现，与本领域已知的它们的Mg和Ba类似物相比，特别是与本领域已知的Ba类似物相比，所述Ca和Sr的化合物显示出有利的加工性。在所述电子器件中，所述杂环基团可以是杂芳基基团，优选C2-C30杂芳基基团。相应的选择使得能够对本专利技术的硼酸盐络合物的电子结构进行微调，以改善其在电子器件的半导体层中，特别是在其电子传输层、电子注入层或电子产生层中的可用性。在所述电子器件中，所述杂环基团可以包含一个或多个独立地选自如下中的杂原子：N、O和S。相应的选择使得能够对本专利技术的硼酸盐络合物的电子结构进行微调，以改善其在电子器件的半导体层中，特别是在其电子传输层、电子注入层或电子产生层中的可用性。在所述电子器件中，所述杂环基团可以包含五元杂环。相应的选择使得能够对本专利技术的硼酸盐络合物的电子结构进行微调，以改善其在电子器件的半导体层中，特别是在其电子传输层、电子注入层或电子产生层中的可用性。在所述电子器件中，所述杂环基团可以包含唑或二唑环。相应的选择使得能够对本专利技术的硼酸盐络合物的电子结构进行微调，以改善其在电子器件的半导体层中，特别是在其电子传输层、电子注入层或电子产生层中的可用性。在所述电子器件中，所述杂环基团可以是1,2-二唑基团，或者是1,2-二唑-1-基基团。相应的选择使得能够对本专利技术的硼酸盐络合物的电子结构进行微调，以改善其在电子器件的半导体层中，特别是在其电子传输层、电子注入层或电子产生层中的可用性。在所述电子器件中，所述硼酸根配体可以包含至少两个、或者三个、或者四个杂环基团。相应的选择使得能够对本专利技术的硼酸盐络合物的电子结构进行微调，以改善其在电子器件的半导体层中，特别是在其电子传输层、电子注入层或电子产生层中的可用性。在所述电子器件中，所述硼酸根配体中的至少两个杂环基团可以各自独立地相对于硼酸根配体的中心硼原子在β-位处具有其杂原子。相应的选择使得能够对本专利技术的硼酸盐络合物的电子结构进行微调，以改善其在电子器件的半导体层中，特别是在其电子传输层、电子注入层或电子产生层中的可用性。在所述电子器件中，所述硼酸盐络合物可以具有下式(I)其中M是选自Ca和Sr中的金属；并且R1～R4独立地选自：H、取代或未取代的C6～C30芳基和取代或未取代的C2～C30杂芳基。相应的选择使得能够对本专利技术的硼酸盐络合物的电子结构进行微调，以改善其在电子器件的半导体层中，特别是在其电子传输层、电子注入层或电子产生层中的可用性。在个别的C6-C30芳基或个别的C2-C30杂芳基被取代的情况下，如果存在取代基，则取代基可以独立地选自：C1-C20直链烷基、C3-C20支链烷基、C3-C20环状烷基、C1-C20直链烷氧基、C3-C20支链烷氧基、直链氟化C1-C12烷基、直链氟化C1-C12烷氧基、C3-C12支链氟化环状烷基、C3-C12氟化环状烷基、C3-C12氟化环状烷氧基、CN、C6-C20芳基、C2-C20杂芳基、OR、SR、(C＝O)R、(C＝O)NR2、SiR3、(S＝O)R、(S＝O)2R、CR＝CR2、氟、NR2、NO2。在所述电子器件中，R1～R4可以独立地选自取代或未取代的C2～C20杂芳基。相应的选择使得能够对本专利技术的硼酸盐络合物的电子结构进行微调，以改善其在电子器件的半导体层中，特别是在其电子传输层、电子注入层或电子产生层中的可用性。在所述电子器件中，所述杂芳基可以是含氮杂芳基。相应的选择使得能够对本专利技术的硼酸盐络合物的电子结构进行微调，以改善其在电子器件的半导体层中，特别是在其电子传输层、电子注入层或电子产生层中的可用性。在所述电子器件中，所述杂芳基可以是含有至多三个杂原子的C2～C5杂芳基，所述杂原子独立地选自：O、N和S。相应的选择使得能够对本专利技术的硼酸盐络合物的电子结构进行微调，以改善其在电子器件的半导体层中，特别是在其电子传输层、电子注入层或电子产生层中的可用性。在所述电子器件中，R1～R4中的至少两个、或者至少三个或者至少四个可以是吡唑基。相应的选择使得能够对本专利技术的硼酸盐络合物的电子结构进行微调，以改善其在电子器件的半导体层中，特别是在其电子传输层、电子注入层或电子产生层中的可用性。在所述电子器件中，R1～R4可以全部在结构上相同。相应的选择使得能够对本专利技术的硼酸盐络合物的电子结构进行微调，以改善其在电子器件的半导体层中，特别是在其电子传输层、电子注入层或电子产生层中的可用性。在所述电子器件中，R1～R4可以全部是吡唑基。相应的选择使得能够对本专利技术的硼酸盐络合物的电子结构进行微调，以改善其在电子器件的半导体层中，特别是在其电子传输层、电子注入层或电子产生层中的可用性。在所述电子器件中，所述含氮杂芳基基团可以通过B-N共价键连接至中心硼原子。相应的选择使得能够对本专利技术的硼酸盐络合物的电子结构进行微调，以改善其在电子器件的半导体层中，特别是在其电子传输层、电子注入层或电子产生层中的可用性。在所述电子器件中，所述半导体层可以布置在第一电极与第二电极之间。第一电极可以是阴极并且第二电极可以是阳极。在所述电子器件中，所述半导体层可以是电荷传输层和/或电荷注入层和/或电荷产生层。...

【技术保护点】
1.一种包含半导体层的电子器件，其中所述半导电层包含至少一种硼酸盐络合物，所述硼酸盐络合物包含：(i)选自Ca和Sr中的金属；和(ii)至少一种硼酸根配体，其中所述硼酸根配体包含至少一个杂环基团。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171222 EP 17210277.41.一种包含半导体层的电子器件，其中所述半导电层包含至少一种硼酸盐络合物，所述硼酸盐络合物包含：(i)选自Ca和Sr中的金属；和(ii)至少一种硼酸根配体，其中所述硼酸根配体包含至少一个杂环基团。


2.根据权利要求1所述的电子器件，其中所述杂环基团是杂芳基基团，优选C2-C30杂芳基基团。


3.根据权利要求1或2所述的电子器件，其中所述杂环基团包含一个或多个独立地选自N、O和S中的杂原子。


4.根据前述权利要求中任一项所述的电子器件，其中所述杂环基团包含五元杂环。


5.根据前述权利要求中任一项所述的电子器件，其中所述杂环基团包含唑或二唑环。


6.根据前述权利要求中任一项所述的电子器件，其中所述杂环基团是1,2-二唑基团。


7.根据前述权利要求中任一项所述的电子器件，其中所述硼酸根配体包含至少两个杂环基团。


8.根据权利要求7所述的电子器件，其中所述硼酸根配体中的至少两个杂环基团各自独立地相对于所述硼酸根配体的中心硼原子在β-位处具有其杂原子。


9.根据前述权利要求中任一项所述的电子器件，其中所述硼酸盐络合物具有下式(I)：



其中M是选自...

【专利技术属性】
技术研发人员：弗朗索瓦·卡尔迪纳利，杰罗姆·加尼耶，卡斯滕·罗特，本杰明·舒尔策，
申请(专利权)人：诺瓦尔德股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE