一种基于强电子注入层的倒置结构OLED器件及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种基于强电子注入层的倒置结构OLED器件及其制备方法，倒置结构OLED器件包括从左至右的ITO透明阴极、强电子注入层、BPhen电子传输层、TAZ发光层、CBP空穴传输层、三氧化钼空穴注入层和Al阳极，强电子注入层包括氧化锌层和碳酸铯层中的一种或两种或氧化锌‑碳酸铯层，制备方法为碳酸铯‑乙醇溶液、氧化锌‑甲醇溶液的制备及混合溶液的制备、ITO透明阴极的处理和倒置结构OLED器件的制备，本发明专利技术选择碳酸铯和氧化锌复合作为强电子注入层，基于TAZ发光层，OLED器件表现出优异的短波长发射，具有2.42 mW/cm

【技术实现步骤摘要】
一种基于强电子注入层的倒置结构OLED器件及其制备方法
本专利技术涉及一种紫外有机发光器件，特别是一种倒置结构OLED器件及其制备方法。
技术介绍
现有的强电子注入层为了与OLED器件的制造工艺相兼容，大多是从活性碱金属Ca、Ba、Cs、Li、Al、有机分子并五苯和Liq、无机化合物LiF、CsF、Li2CO3和MoS2中进行热蒸发，耗能较多，成本较高，可满足的制造需求面较窄。
技术实现思路
为了克服现有技术的不足，本专利技术提供一种基于强电子注入层的倒置结构OLED器件及其制备方法。本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是：一种基于强电子注入层的倒置结构OLED器件，包括从左至右的ITO透明阴极、强电子注入层、BPhen电子传输层、TAZ发光层、CBP空穴传输层、三氧化钼空穴注入层和Al阳极，所述强电子注入层包括氧化锌层和碳酸铯层中的一种或两种或氧化锌-碳酸铯层。所述强电子注入层包括氧化锌层和碳酸铯层，所述氧化锌层设置在靠近所述ITO透明阴极的一端，所述碳酸铯层设置在靠近所述BPhen电子传输层的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于强电子注入层的倒置结构OLED器件，其特征在于它包括从左至右的ITO透明阴极、强电子注入层、BPhen电子传输层、TAZ发光层、CBP空穴传输层、三氧化钼空穴注入层和Al阳极，所述强电子注入层包括氧化锌层和碳酸铯层中的一种或两种或氧化锌-碳酸铯层。/n

【技术特征摘要】
20200116 CN 202010049437X1.一种基于强电子注入层的倒置结构OLED器件，其特征在于它包括从左至右的ITO透明阴极、强电子注入层、BPhen电子传输层、TAZ发光层、CBP空穴传输层、三氧化钼空穴注入层和Al阳极，所述强电子注入层包括氧化锌层和碳酸铯层中的一种或两种或氧化锌-碳酸铯层。


2.根据权利要求1所述的基于强电子注入层的倒置结构OLED器件，其特征在于所述强电子注入层包括氧化锌层和碳酸铯层，所述氧化锌层设置在靠近所述ITO透明阴极的一端，所述碳酸铯层设置在靠近所述BPhen电子传输层的一端。


3.一种如权利要求1和2任一权利要求所述的倒置结构OLED器件的制备方法，其特征在于它包括以下步骤：
（1）、碳酸铯-乙醇溶液的制备：将99.99%的碳酸铯粉体添加到99.7%的乙醇溶液中，并在100℃下持续加热至所述碳酸铯粉体完全溶解，制得浓度为2-8%的碳酸铯-乙醇溶液；
（2）、氧化锌-甲醇溶液的制备：将99.5%的氧化锌纳米粉体溶于99.9%的甲醇中，制得浓度为0.2-0.4%的氧化锌-甲醇溶液；
（3）、混合溶液的制备：将重量比为1-2:2-1的氧化锌-甲醇溶液和碳酸铯-乙醇溶液进行混合，制得所述混合溶液；
（4）、ITO透明阴极的处理：将ITO镀膜玻璃片置于超声频率为40KHz的超...

【专利技术属性】
技术研发人员：张小文，徐凯，王立惠，卢宗柳，刘黎明，王红航，
申请(专利权)人：桂林电子科技大学，中国有色桂林矿产地质研究院有限公司，电子科技大学中山学院，
类型：发明
国别省市：广西;45