温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。
本发明公开了一种基于强电子注入层的倒置结构OLED器件及其制备方法，倒置结构OLED器件包括从左至右的ITO透明阴极、强电子注入层、BPhen电子传输层、TAZ发光层、CBP空穴传输层、三氧化钼空穴注入层和Al阳极，强电子注入层包括氧化锌层...该专利属于桂林电子科技大学;中国有色桂林矿产地质研究院有限公司;电子科技大学中山学院所有，仅供学习研究参考，未经过桂林电子科技大学;中国有色桂林矿产地质研究院有限公司;电子科技大学中山学院授权不得商用。