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诺瓦尔德股份有限公司专利技术
诺瓦尔德股份有限公司共有180项专利
有源矩阵OLED显示器制造技术
本发明涉及一种有源矩阵OLED显示器,其包括多个OLED像素,其中每一像素本身包括有机层叠层,且有机层叠层的每一层可以形成共同半导体层,其中
用于VTE的取代的1,2,3-三亚基三(氰基甲基亚基)环丙烷、使用其的电子器件和半导体材料制造技术
本发明涉及用于VTE的取代的1,2,3
薄层电阻组件制造技术
本发明涉及一种有源矩阵OLED显示器,所述有源矩阵OLED显示器包括多个OLED像素,其中每个像素本身包括有机层叠层,且所述有机层叠层的每一层可形成共同半导体层,其中
用于VTE的取代的1,2,3-三亚基三(氰基甲基亚基)环丙烷、使用其的电子器件和半导体材料制造技术
本发明涉及用于VTE的取代的1,2,3
用于有机电子器件的式(I)有机化合物、包含式(I)化合物的有机电子器件和包含该有机电子器件的显示装置制造方法及图纸
本发明涉及一种式(I)的化合物和包括包含式(I)的化合物的半导体层的有机电子器件。式(I)的化合物的半导体层的有机电子器件。式(I)的化合物的半导体层的有机电子器件。
包含公共电荷产生层的显示装置及其制造方法制造方法及图纸
本发明涉及一种包含公共电荷产生层的显示装置及其制造方法。示装置及其制造方法。示装置及其制造方法。
用于有机电子器件中的式(I)的有机化合物、包含式(IV)的化合物和至少一种式(IVa)至(IVd)的化合物的组合物、包含所述化合物或组合物的有机半导体层、包括所述有机半导体层的有机电子器件、以及包括所述有机电子器件的显示器件制造技术
本发明涉及一种用于有机电子器件中的式(I)的化合物、一种包含式(IV)的化合物和至少一种式(IVa)至(IVd)的化合物的组合物、一种包含所述化合物或组合物的有机半导体层、一种包括所述有机半导体层的有机电子器件、以及一种包括所述有机电子...
包含式(1)化合物的有机电子器件、包括有机电子器件的显示装置以及用于有机电子器件中的式(1)化合物制造方法及图纸
本发明涉及一种包括半导体层的有机电子器件,所述半导体层包含式(1)的化合物。所述半导体层包含式(1)的化合物。所述半导体层包含式(1)的化合物。
作为用于电子器件中的半导体材料的4-(2,4-二氧代戊-3-基)-2,3,5,6-四氟苯甲腈和类似配体的金属络合物制造技术
本发明涉及一种式(I)的化合物,其中M是金属;L是与金属M配位的电荷中性配体;n是选自1至4的整数,其对应于M的氧化数;m是选自0至2的整数;R1、R2和R3是取代基,其中至少一个R1、R2和/或R3选自取代的C6至C24芳基基团,其中...
作为用于电子器件的半导体材料的3-(2,3,5-三氟-6-(三氟甲基)吡啶-4-基)戊烷-2,4-二酮和类似配体的金属络合物制造技术
本发明涉及一种由式(I)表示的化合物,其中M是金属;L是电荷中性配体,其与金属M配位;n是选自1至4的整数,其对应于M的氧化数;m是选自0至2的整数;R1、R2和R3是取代基;其中至少一个R1、R2和/或R3选自被取代的C2至C24杂芳...
有机发光二极管、包含其的显示器件和包含其的照明器件制造技术
本发明涉及一种有机发光二极管、包含其的显示器件和包含其的照明器件。显示器件和包含其的照明器件。显示器件和包含其的照明器件。
用于有机电子器件中的式(I)的有机化合物、包含式(IV)的化合物和至少一种式(IVa)至(IVd)的化合物的组合物、包含所述化合物或组合物的有机半导体层、包括所述有机半导体层的有机电子器件、以及包括所述有机电子器件的显示器件制造技术
本发明涉及一种用于有机电子器件中的式(I)的化合物、一种包含式(IV)的化合物和至少一种式(IVa)至(IVd)的化合物的组合物、一种包含所述化合物或组合物的有机半导体层、一种包括所述有机半导体层的有机电子器件、以及一种包括所述有机电子...
有机电子器件和包含所述有机电子器件的显示器件以及用于有机电子器件的组合物制造技术
本发明涉及一种有机电子器件,所述有机电子器件包含半导体层,所述半导体层包含同分异构化合物的混合物。构化合物的混合物。构化合物的混合物。
包含式(1)化合物的有机电子器件、包含所述有机电子器件的显示装置以及用于有机电子器件中的式(1)化合物制造方法及图纸
本发明涉及一种包含含有式(I)化合物的半导体层的有机电子器件。导体层的有机电子器件。导体层的有机电子器件。
包含式(I)化合物的有机电子器件、包含所述有机电子器件的显示器件以及用于有机电子器件的式(I)化合物制造技术
本发明涉及一种包含式(I)化合物的有机电子器件和包含所述有机电子器件的显示器件。本发明还涉及能够用于有机电子器件中的新的式(I)化合物。(I)化合物。(I)化合物。
包含式(I)化合物的有机电子器件、包含所述有机电子器件的显示装置以及用于有机电子器件中的式(I)化合物制造方法及图纸
本发明涉及一种式(I)化合物和包含半导体层的有机电子器件,所述半导体层包含式(I)化合物。合物。合物。合物。
包含式(I)化合物的有机电子器件、包含所述有机电子器件的显示装置以及用于有机电子器件中的式(I)化合物制造方法及图纸
本发明涉及一种式(I)化合物和包含含有式(I)化合物的电荷产生层的有机电子器件。(I)化合物的电荷产生层的有机电子器件。(I)化合物的电荷产生层的有机电子器件。
用于有机电子器件的式(I)的有机化合物、包含式(I)的化合物的有机电子器件和包含所述有机电子器件的显示器件制造技术
本发明涉及式(I)的化合物和包含半导体层的有机电子器件,所述半导体层包含式(I)的化合物。合物。合物。
用于有机电子器件的式(I)有机化合物、包含式(I)化合物的有机电子器件和包含所述有机电子器件的显示器件制造技术
本发明涉及一种式(I)化合物和一种有机电子器件,所述有机电子器件包含半导体层,所述半导体层包含式(I)化合物。半导体层包含式(I)化合物。半导体层包含式(I)化合物。
用于有机电子器件的式(I)有机化合物、包含式(I)化合物的有机电子器件和包含所述有机电子器件的显示器件制造技术
本发明涉及式(I)化合物和有机电子器件,所述有机电子器件包含半导体层,所述半导体层包含式(I)化合物。包含式(I)化合物。包含式(I)化合物。
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