有机发光二极管、包含其的显示器件和包含其的照明器件制造技术

技术编号:37535861 阅读:22 留言:0更新日期:2023-05-12 16:03
本发明专利技术涉及一种有机发光二极管、包含其的显示器件和包含其的照明器件。显示器件和包含其的照明器件。显示器件和包含其的照明器件。

【技术实现步骤摘要】
有机发光二极管、包含其的显示器件和包含其的照明器件


[0001]本专利技术涉及一种有机发光二极管、包含其的显示器件以及包含其的照明器件。
[0002]作为自发光器件的有机发光二极管(OLED)具有宽视角、优异的对比度、快速响应、高亮度、优异的驱动电压特性和色彩再现。典型的OLED包含阳极、空穴传输层(HTL)、发光层(EML)、电子传输层(ETL)和阴极,它们依次层叠在基底上。为了促进电子从阴极传输到ETL,OLED还可以包含布置在阴极与ETL之间的电子注入层(EIL)。在这方面,HTL、EML、ETL和EIL是由有机和/或有机金属化合物形成的薄膜。
[0003]当将电压施加到阳极和阴极时,从阳极电极注入的空穴通过HTL移动到EML,并且从阴极电极注入的电子通过ETL移动到EML。空穴和电子在EML中重新组合以产生激子。当激子从激发态下降到基态时,发出光。空穴和电子的注入和流动应当平衡,使得具有上述结构的OLED具有优异的效率。
[0004]包含不同电子传输材料的多种有机电子二极管在本领域中是众所周知的。然而,仍然需要改善此类器件的性能,特别是改善单发光层和多发光层顶部发光OLED的性能,特别是在效率和电压方面。
[0005]因此,本专利技术的目的是提供一种克服现有技术的缺陷的有机发光二极管,特别是具有改善的性能、特别是具有改善的效率、更特别是在保持良好的驱动电压的同时具有改善的效率的单发光层顶部发光OLED。

技术实现思路

[0006]所述目的是通过一种有机发光二极管实现的,所述有机发光二极管包含不透明基底、阳极、阴极、发光层、电子注入层和电子传输层;
[0007]其中
[0008]‑
所述发光层、电子注入层和电子传输层布置在阳极与阴极之间;
[0009]‑
所述电子注入层和电子传输层布置在发光层与阴极之间;
[0010]‑
所述电子注入层与电子传输层直接接触;
[0011]‑
所述电子注入层与阴极直接接触;并且
[0012]‑
所述电子注入层由一种式(I)的化合物组成或由两种或更多种的式(I)的化合物的混合物组成
[0013][0014]其中
[0015]‑
M为碱金属;
[0016]‑
A1选自C6至C
60
芳亚基或C2至C
42
杂芳亚基;
[0017]‑
A2和A3独立地选自C6至C
30
芳基、C2至C
30
杂芳基和C1至C
16
烷基;
[0018]‑
每个Ar1至Ar3可以独立地未被取代或独立地被选自如下中的一个或多个取代基取代:C6至C
12
芳基、C3至C
11
杂芳基、C1至C6烷基、D、C1至C6烷氧基、C3至C6支链烷基、C3至C6环状烷基、C3至C6支链烷氧基、C3至C6环状烷氧基、部分或全氟化的C1至C6烷基、部分或全氟化的C1至C6烷氧基、部分或全氘化的C1至C6烷基、部分或全氘化的C1至C6烷氧基、卤素、CN、

O

Li和PY(R
10
)2,其中Y选自O、S或Se,优选为O,并且R
10
独立地选自C6至C
12
芳基、C3至C
12
杂芳基、C1至C6烷基、C1至C6烷氧基、部分或全氟化的C1至C6烷基、部分或全氟化的C1至C6烷氧基、部分或全氘化的C1至C6烷基、部分或全氘化的C1至C6烷氧基;并且
[0019]‑
A2和A3可以彼此连接。
[0020]所述目的还通过包含根据本专利技术的有机发光二极管的显示器件来实现。
[0021]最后,所述目的通过包含根据本专利技术的有机发光二极管的照明器件来实现。
[0022]电子注入层(EIL)
[0023]EIL中的式(I)的化合物
[0024]所述有机电子器件包含至少一个电子注入层,即可以仅包含一个电子注入层或两个或更多个的电子注入层,其中所述两个或更多个的电子注入层中的至少一个由一种式(I)的化合物组成或由两种或更多种的式(I)的化合物的混合物组成。如果有机电子器件仅包含一个电子注入层,则该层由一种式(I)的化合物组成或由两种或更多种的式(I)的化合物的混合物组成。如果有机电子器件包含两个或更多个的电子注入层,则这些层中的至少一个由一种式(I)的化合物组成或由两种或更多种的式(I)的化合物的混合物组成。
[0025]在式(I)的化合物中,M可以为锂(Li)。
[0026]A1可以选自C6至C
54
芳亚基或C2至C
39
杂芳亚基。A1可以选自C6至C
48
芳亚基或C2至C
36
杂芳亚基。A1可以选自C6至C
42
芳亚基或C2至C
33
杂芳亚基。A1可以选自C6至C
36
芳亚基或C2至C
30
杂芳亚基。A1可以选自C6至C
30
芳亚基或C2至C
24
杂芳亚基。A1可以选自C6至C
24
芳亚基或C2至C
21
杂芳亚基。A1可以选自C6至C
18
芳亚基或C2至C
17
杂芳亚基。A1可以选自C6至C
12
芳亚基或C2至C9杂芳亚基。A1可以为未被取代的或取代的。
[0027]A1可以选自C6至C
54
芳亚基或C2至C
39
含N杂芳亚基。A1可以选自C6至C
48
芳亚基或C2至C
36
含N杂芳亚基。A1可以选自C6至C
42
芳亚基或C2至C
33
含N杂芳亚基。A1可以选自C6至C
36
芳亚基或C2至C
30
含N杂芳亚基。A1可以选自C6至C
30
芳亚基或C2至C
24
含N杂芳亚基。A1可以选自C6至C
24
芳亚基或C2至C
21
含N杂芳亚基。A1可以选自C6至C
18
芳亚基或C2至C
17
含N杂芳亚基。A1可以选自C6至C
12
芳亚基或C2至C9含N杂芳亚基。A1可以为未被取代的或取代的。
[0028]A1可以选自吡啶亚基、喹啉亚基、苯亚基、萘亚基、菲、二苯并呋喃和咔唑。
[0029]即,A1可以选自:
[0030][0031]其中每个A1可以未被取代或独立地被选自如下中的一个或多个取代基取代:氢、C1至C6烷基、D、C3至C6支链烷基、C3至C6环状烷基、部分或全氟化的C1至C6烷基。
[0032]A1可以选自:
[0033][0034]本文档来自技高网
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种有机发光二极管,所述有机发光二极管包含不透明基底、阳极、阴极、发光层、电子注入层和电子传输层;其中

所述发光层、所述电子注入层和所述电子传输层布置在所述阳极与所述阴极之间;

所述电子注入层和所述电子传输层布置在所述发光层与所述阴极之间;

所述电子注入层与所述电子传输层直接接触;

所述电子注入层与所述阴极直接接触;并且

所述电子注入层由一种式(I)的化合物组成或由两种或更多种的式(I)的化合物的混合物组成其中

M为碱金属;

A1选自C6至C
60
芳亚基或C2至C
42
杂芳亚基;

A2和A3独立地选自C6至C
30
芳基、C2至C
30
杂芳基和C1至C
16
烷基;

每个Ar2至Ar5可以独立地未被取代或独立地被选自如下中的一个或多个取代基取代:C6至C
12
芳基、C3至C
11
杂芳基、C1至C6烷基、D、C1至C6烷氧基、C3至C6支链烷基、C3至C6环状烷基、C3至C6支链烷氧基、C3至C6环状烷氧基、部分或全氟化的C1至C6烷基、部分或全氟化的C1至C6烷氧基、部分或全氘化的C1至C6烷基、部分或全氘化的C1至C6烷氧基、卤素、

O

Li、CN和PY(R
10
)2,其中Y选自O、S或Se,并且R
10
独立地选自C6至C
12
芳基、C3至C
12
杂芳基、C1至C6烷基、C1至C6烷氧基、部分或全氟化的C1至C6烷基、部分或全氟化的C1至C6烷氧基、部分或全氘化的C1至C6烷基、部分或全氘化的C1至C6烷氧基;并且

A2和A3可以彼此连接。2.根据权利要求1所述的有机发光二极管,其中

所述阴极包含阴极子层;

所述阴极子层包含稀土金属;并且

所述阴极子层与所述电子注入层直接接触。3.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员:杰罗姆
申请(专利权)人:诺瓦尔德股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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