包含式(1)化合物的有机电子器件、包含所述有机电子器件的显示装置以及用于有机电子器件中的式(1)化合物制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种包含含有式(I)化合物的半导体层的有机电子器件。导体层的有机电子器件。导体层的有机电子器件。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】包含式(1)化合物的有机电子器件、包含所述有机电子器件的显示装置以及用于有机电子器件中的式(1)化合物


[0001]本专利技术涉及一种包含式(1)化合物的有机电子器件和包含所述有机电子器件的显示装置。本专利技术还涉及能够用于有机电子器件中的新型的式(1)化合物。

技术介绍

[0002]作为自发射器件的诸如有机发光二极管OLED的有机电子器件具有宽视角、优异的对比度、快速响应、高亮度、优异的工作电压特性和色彩再现。典型的OLED包含阳极、空穴传输层HTL、发射层EML、电子传输层ETL和阴极，它们顺序层叠在衬底上。在这方面，HTL、EML和ETL是由有机化合物形成的薄膜。
[0003]当将电压施加到阳极和阴极时，从阳极注入的空穴通过HTL移动到EML，并且从阴极注入的电子通过ETL移动到EML。空穴和电子在EML中重组以产生激子。当激子从激发态下降到基态时，发光。空穴和电子的注入和流动应当平衡，使得具有上述结构的OLED具有优异的效率和/或长的寿命。
[0004]有机发光二极管的性能可能受半导体层的特性的影响，其中，可能还受包含在本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种有机电子器件，所述有机电子器件包含阳极层、阴极层和至少一个有机半导体层，其中所述至少一个有机半导体层布置在所述阳极层与所述阴极层之间；并且其中所述至少一个有机半导体层包含式(I)的化合物，其中A1选自式(II)，其中R1选自部分或全氟化的C1至C6烷基或CN；R2选自部分或全氟化的C1至C6烷基；X1选自CH或N；X2和X3独立地选自CH、CF或N；并且A1通过标有“*”的原子与环丙烯核相连；R3选自CN、部分或完全氟化的C1至C6烷基、部分或完全氟化的C1至C6烷氧基、取代或未取代的C6至C
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芳基或C2至C
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杂芳基，其中取代基选自卤素、F、Cl、CN、部分或完全氟化的C1至C6烷基、部分或完全氟化的C1至C6烷氧基；并且A2和A3独立地选自式(III)，其中Ar独立地选自取代或未取代的C6至C
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芳基和取代或未取代的C2至C
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杂芳基，其中Ar上的取代基独立地选自CN、部分或全氟化的C1至C6烷基、卤素、F。2.根据权利要求1所述的有机电子器件，其中所述化合物选自式(IV)，其中B1选自式(V)，
B3和B5是Ar，并且B2、B4和B6是R3。3.根据权利要求1或2所述的有机电子器件，其中R1选自全氟化的C1至C6烷基或CN。4.根据权利要求1或2所述的有机电子器件，其中R2选自全氟化的C1至C6烷基。5.根据权利要求1至4中的任一项所述的有机电子器件，其中R3选自CN、部分或完全氟化的C1至C4烷基、部分或完全氟化的C1至C4烷氧基、取代或未取代的C6至C
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芳基或C3至C
12
杂芳基，其中取代基选自卤素、F、Cl、CN、部分或完全氟化的C1至C4烷基、部分或完全氟化的C1至C4烷氧基。6.根据权利要求1至5中的任一项所述的有机电子器件，其中A2和A3中的至少一个与A1相同。7.根据权利要求1至6中的任一项所述的有机电子器件，其中在式(II)中，X1、X...

【专利技术属性】
技术研发人员：马克斯，
申请(专利权)人：诺瓦尔德股份有限公司，
类型：发明
国别省市：