包含式(I)化合物的有机电子器件、包含所述有机电子器件的显示装置以及用于有机电子器件中的式(I)化合物制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种式(I)化合物和包含半导体层的有机电子器件，所述半导体层包含式(I)化合物。合物。合物。合物。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】包含式(I)化合物的有机电子器件、包含所述有机电子器件的显示装置以及用于有机电子器件中的式(I)化合物


[0001]本专利技术涉及一种包含式(I)化合物的有机电子器件和包含所述有机电子器件的显示装置。本专利技术还涉及能够用于有机电子器件中的新型的式(I)化合物。

技术介绍

[0002]有机电子器件如有机发光二极管OLED是自发光器件，具有宽视角、优异对比度、快速响应、高亮度、优异工作电压特性和色彩再现。典型的OLED包含阳极、空穴传输层HTL、发光层EML、电子传输层ETL和阴极，它们依次层叠在基底上。在这方面，HTL、EML和ETL是由有机化合物形成的薄膜。
[0003]当向阳极和阴极施加电压时，从阳极注入的空穴经由HTL移动到EML，而从阴极注入的电子经由ETL移动到EML。空穴和电子在EML中复合而产生激子。当激子从激发态下降到基态时，发出光。空穴和电子的注入和流动应当平衡，使得具有上述结构的OLED具有优异的效率和/或长寿命。
[0004]有机发光二极管的性能可受半导体层的特性的影响，尤其可受也包含在半导体层中的式(I)化合物的特性影响。
[0005]EP1988587A1公开了一种作为有机掺杂剂以对有机半导体基质材料进行掺杂、作为阻挡层、作为电荷注入层或作为有机半导体本身的有机内消旋化合物，其为氧碳、假氧碳或轴烯化合物。
[0006]US2011127500A1公开了一种有机发光二极管(OLED)显示设备和制造所述OLED显示设备的方法，所述设备包含针对不同类型的子像素具有不同厚度的阳极电极。
[0007]仍然需要改善有机半导体材料、半导体层及其有机电子器件的性能，特别是通过改善包含在其中的化合物的特性来实现改善的经时工作电压稳定性。

技术实现思路

[0008]本专利技术的一个方面提供一种有机电子器件，所述有机电子器件包含基底、阳极层、阴极层、至少一个第一发光层、和空穴注入层，其中所述空穴注入层布置在所述第一发光层与所述阳极层之间，
[0009]并且其中所述空穴注入层包含式(I)化合物，
[0010][0011]其中A1选自式(II)，
[0012][0013]X1选自CR1或N；
[0014]X2选自CR2或N；
[0015]X3选自CR3或N；
[0016]X4选自CR4或N；
[0017]X5选自CR5或N；
[0018]R1、R2、R3、R4和R5(如果存在)独立地选自CN、部分氟化或全氟化的C1至C8烷基、卤素、Cl、F、D或H，其中当存在R1、R2、R3、R4和R5中的任一个时，则对应的X1、X2、X3、X4和X5不是N；
[0019]条件是满足以下要求a)至e)中的一个：
[0020]a)至少一个R1、R2、R3、R4和R5独立地选自CN、部分氟化或全氟化的C1至C8烷基、卤素、Cl、F，并且至少一个剩余的R1、R2、R3、R4和R5选自D或H；
[0021]b)R1或R2选自CN或者部分氟化或全氟化的C1至C8烷基，并且至少一个剩余的R1至R5独立地选自CN、部分氟化或全氟化的C1至C8烷基、卤素、Cl或F；
[0022]c)R3选自部分氟化或全氟化的C1至C8烷基，并且R1、R2、R4和R5中的至少一个独立地选自CN、部分氟化或全氟化的C1至C8烷基、卤素、Cl或F；
[0023]d)至少两个R1至R5独立地选自CN或者部分氟化或全氟化的C1至C8烷基；或者
[0024]e)至少一个X1至X5是N，并且至少两个X1至X5选自CR1至CR5；
[0025]A2和A3独立地选自式(III)，
[0026][0027]其中Ar独立地选自取代或未取代的C6至C
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芳基和取代或未取代的C2至C
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杂芳基，其中Ar上的取代基独立地选自CN、部分或全氟化的C1至C6烷基、卤素、Cl、F、D；并且
[0028]R'选自Ar、取代或未取代的C6至C
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芳基或C3至C
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杂芳基、部分氟化或全氟化的C1至C8烷基、卤素、F或CN；
[0029]并且其中阳极层包含第一阳极子层和第二阳极子层，其中
[0030]‑
第一阳极子层包含逸出功在≥4eV且≤6eV范围内的第一金属，并且
[0031]‑
第二阳极子层包含透明导电氧化物；并且
[0032]‑
第二阳极子层布置得更靠近所述空穴注入层。
[0033]应当注意，在整个申请和权利要求书中，除非另有说明，否则任何A
n
、B
n
、R
n
等总是指相同的部分。
[0034]在本说明书中，当没有另外定义时，“取代的”是指被氘、C1至C
12
烷基和C1至C
12
烷氧基取代的。
[0035]然而，在本说明书中，“芳基取代的”是指被一个或多个芳基基团取代，所述一个或多个芳基基团本身可以被一个或多个芳基和/或杂芳基基团取代。
[0036]相应地，在本说明书中，“杂芳基取代的”是指被一个或多个杂芳基基团取代，所述一个或多个杂芳基基团本身可以被一个或多个芳基和/或杂芳基基团取代。
[0037]在本说明书中，当没有另外定义时，“烷基基团”是指饱和脂肪族烃基基团。烷基基团可以是C1至C
12
烷基基团。更具体地，烷基基团可以是C1至C
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烷基基团或C1至C6烷基基团。例如，C1至C4烷基基团在烷基链中包含1至4个碳，并且可以选自甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基和叔丁基。
[0038]烷基基团的具体实例可以是甲基基团、乙基基团、丙基基团、异丙基基团、丁基基团、异丁基基团、仲丁基基团、叔丁基基团、戊基基团、己基基团。
[0039]术语“环烷基”是指由环烷烃通过从相应环烷烃中包含的环原子上形式上去除一个氢原子而衍生出的饱和烃基基团。环烷基基团的实例可以是环丙基基团、环丁基基团、环戊基基团、环己基基团、甲基环己基基团、金刚烷基基团等。
[0040]术语“杂”理解为可以由共价结合的碳原子形成的结构中的至少一个碳原子被其它多价原子代替。优选地，杂原子选自B、Si、N、P、O、S；更优选选自N、P、O、S。
[0041]在本说明书中，“芳基基团”是指可以通过从相应芳族烃中的芳族环上形式上去除一个氢原子而产生的烃基基团。芳族烃是指含有至少一个芳族环或芳族环系的烃。芳族环或芳族环系是指共价结合的碳原子的平面环或环系，其中所述平面环或环系包含满足休克尔(H
ü
ckel)规则的离域电子的共轭体系。芳基基团的实例包括：单环基团如苯基或甲苯基；包含由单键连接的多个芳族环的多环基团如联苯基；和包含稠合环的多环基团如萘基或芴
‑2‑
基。
[0042]类似地，杂芳基尤其适合理解为通过从包含至少本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种有机电子器件，所述有机电子器件包含基底、阳极层、阴极层、至少一个第一发光层、和空穴注入层，其中所述空穴注入层布置在所述第一发光层与所述阳极层之间，并且其中所述空穴注入层包含式(I)的化合物，其中A1选自式(II)，X1选自CR1或N；X2选自CR2或N；X3选自CR3或N；X4选自CR4或N；X5选自CR5或N；R1、R2、R3、R4和R5(如果存在)独立地选自CN、部分氟化或全氟化的C1至C8烷基、卤素、Cl、F、D或H，其中当存在R1、R2、R3、R4和R5中的任一个时，则对应的X1、X2、X3、X4和X5不是N；条件是满足以下要求a)至e)中的一个：a)至少一个R1、R2、R3、R4和R5独立地选自CN、部分氟化或全氟化的C1至C8烷基、卤素、Cl、F，并且至少一个剩余的R1、R2、R3、R4和R5选自D或H；b)R1或R2选自CN或者部分氟化或全氟化的C1至C8烷基，并且至少一个剩余的R1至R5独立地选自CN、部分氟化或全氟化的C1至C8烷基、卤素、Cl或F；c)R3选自部分氟化或全氟化的C1至C8烷基，并且R1、R2、R4和R5中的至少一个独立地选自CN、部分氟化或全氟化的C1至C8烷基、卤素、Cl或F；d)至少两个R1至R5独立地选自CN或者部分氟化或全氟化的C1至C8烷基；或者e)至少一个X1至X5是N，并且至少两个X1至X5选自CR1至CR5；A2和A3独立地选自式(III)，其中Ar独立地选自取代或未取代的C6至C
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芳基和取代或未取代的C2至C
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杂芳基，其中Ar上的取代基独立地选自CN、部分或全氟化的C1至C6烷基、卤素、Cl、F、D；并且R'选自Ar、取代或未取代的C6至C
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芳基或C3至C
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杂芳基、部分氟化或全氟化的C1至C8烷基、卤素、F或CN；并且其中所述阳极层包含第一阳极子层和第二阳极子层，其中
‑
所述第一阳极子层包含逸出功在≥4eV且≤6eV范围内的第一金属，并且
‑
所述第二阳极子层包含透明导电氧化物；并且
‑
所述第二阳极子层布置得更靠近所述空穴注入层。2.根据权利要求1所述的器件，其中所述第一阳极子层的所述第一金属选自Ag、Mg、Al、Cr、Pt、Au、Pd、Ni、Nd、Ir。3.根据权利要求1或2所述的器件，其中所述有机电子器件的阳极层还含有包含透明导电氧化物的第三阳极子层，其中所述第三阳极子层布置在所述基底与所述第一阳极子层之间。4.根据权利要求1至3中的任一项所述的器件，其中所述透明导电氧化物选自铟锡氧化物或铟锌氧化物，更优选铟锡氧化物。5.根据权利要求1至4中的任一项所述的器件，其中所述空穴注入层包含式(IV)的化合物，其中B1选自式(V)，B3和B5是Ar，并且B2、B4和B6是R'。6.根据权利要求1至5中的任一项所述的器件，其中满足要求a)至e)中的至少两个。7.根据权利要求1至6中的任一项所述的器件，其中A2和A3相同。8.根据权利要求1至7中的任一项所述的器件，其中A1不同于A2和A3。9.根据权利要求1至8中的任一项所述的有机电子器件，其中所述空穴注入层包含组合物，所述组合物包含式(IV)的化合物和至少一种式(IVa)至(IVd)的化合物，
10.根据权利要求1至9中的任一项所述的有机电子器件，其中式(I)的化合物的LUMO能级选择为在≤
‑
4.3eV且≥
‑
5.6eV的范围内。11.根据权利要求1至10中的任一项所述的有机电子器件，其中所述空穴注入层包含分子量M...

【专利技术属性】
技术研发人员：马克斯，
申请(专利权)人：诺瓦尔德股份有限公司，
类型：发明
国别省市：