化合物、包含所述化合物的有机半导体材料、包含所述有机半导体材料的有机电子器件以及制备所述有机电子器件的方法技术

技术编号:44422276 阅读:26 留言:0更新日期:2025-02-28 18:37
本发明专利技术涉及一种化合物、一种包含所述化合物的有机半导体材料、一种包含所述有机半导体材料的有机电子器件,以及一种制备所述有机电子器件的方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及一种化合物、一种包含所述化合物的有机半导体材料、一种包含所述有机半导体材料的有机电子器件,以及一种制备所述有机电子器件的方法。


技术介绍

1、作为自发光器件的有机电子器件,如有机发光二极管oled,具有宽视角、优异的对比度、快速响应、高亮度、优异的工作电压特性以及色彩再现。典型的oled包括阳极、空穴传输层htl、发光层eml、电子传输层etl和阴极,它们依次层叠在基底上。就此而言,htl、eml和etl为由有机化合物形成的薄膜。

2、当向阳极和阴极施加电压时,从阳极注入的空穴通过htl移动到eml,而从阴极注入的电子通过etl移动到eml。空穴和电子在eml中重新组合以产生激子。当激子从激发态下降到基态时发出光。空穴和电子的注入和流动应当平衡,以使得具有上述结构的oled具有优异的效率和/或长寿命。

3、有机发光二极管的性能可能受有机半导体层的特性影响,并且尤其可能受有机半导体层的有机材料的特性影响。

4、特别地,需要开发能够增加电子迁移率并且同时增加电化学稳定性的有机半导体层,以便可以将有机发光二极管等本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种以下的式(I)化合物:

2.根据权利要求1所述的化合物,其中A包含至少一个六元含N芳族环。

3.根据权利要求1或2所述的化合物,其中A选自包含2个、3个、4个或5个缩合芳族环的芳基,吖嗪基、二嗪基、三嗪基、氮杂萘基、二氮杂萘基、三氮杂萘基、氮杂蒽基、氮杂菲基、二氮杂蒽基、二氮杂菲基、三氮杂蒽基、三氮杂菲基,苯并呋喃基及其氮杂、二氮杂或三氮杂衍生物,苯并噻吩基及其氮杂、二氮杂或三氮杂衍生物,二苯并呋喃基及其氮杂、二氮杂或三氮杂衍生物,二苯并噻吩基及其氮杂、二氮杂或三氮杂衍生物,萘并呋喃基及其氮杂、二氮杂或三氮杂衍生物,萘并噻吩基及其氮杂、二氮杂或三氮杂衍生物...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种以下的式(i)化合物:

2.根据权利要求1所述的化合物,其中a包含至少一个六元含n芳族环。

3.根据权利要求1或2所述的化合物,其中a选自包含2个、3个、4个或5个缩合芳族环的芳基,吖嗪基、二嗪基、三嗪基、氮杂萘基、二氮杂萘基、三氮杂萘基、氮杂蒽基、氮杂菲基、二氮杂蒽基、二氮杂菲基、三氮杂蒽基、三氮杂菲基,苯并呋喃基及其氮杂、二氮杂或三氮杂衍生物,苯并噻吩基及其氮杂、二氮杂或三氮杂衍生物,二苯并呋喃基及其氮杂、二氮杂或三氮杂衍生物,二苯并噻吩基及其氮杂、二氮杂或三氮杂衍生物,萘并呋喃基及其氮杂、二氮杂或三氮杂衍生物,萘并噻吩基及其氮杂、二氮杂或三氮杂衍生物,萘并苯并呋喃基及其氮杂、二氮杂或三氮杂衍生物,萘并苯并噻吩基及其氮杂、二氮杂或三氮杂衍生物,二萘并呋喃基及其氮杂、二氮杂或三氮杂衍生物,以及二萘并噻吩基及其氮杂、二氮杂或三氮杂衍生物,它们分别被取代或未被取代。

4.根据前述权利要求中的任一项所述的化合物,其中a选自萘基、蒽基、菲基、联三苯叉基、苊基、荧蒽基、芘基、并四苯基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、噌啉基、酞嗪基、喹唑啉基、喹喔啉基、萘啶基、咪唑并吡啶基、菲啶基、菲咯啉基、吖啶基、苯并吖啶基、二苯并吖啶基,它们分别被取代或未被取代。

5.根据前述权利要求中的任一项所述的化合物,其中如果...

【专利技术属性】
技术研发人员:耶夫恩·卡尔波夫多玛果伊·帕维奇科埃莱娜·嘉兰加西亚
申请(专利权)人:诺瓦尔德股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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