【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种化合物、一种包含所述化合物的有机半导体材料、一种包含所述有机半导体材料的有机电子器件，以及一种制备所述有机电子器件的方法。
技术介绍
1、作为自发光器件的有机电子器件，如有机发光二极管oled，具有宽视角、优异的对比度、快速响应、高亮度、优异的工作电压特性以及色彩再现。典型的oled包括阳极、空穴传输层htl、发光层eml、电子传输层etl和阴极，它们依次层叠在基底上。就此而言，htl、eml和etl为由有机化合物形成的薄膜。
2、当向阳极和阴极施加电压时，从阳极注入的空穴通过htl移动到eml，而从阴极注入的电子通过etl移动到eml。空穴和电子在eml中重新组合以产生激子。当激子从激发态下降到基态时发出光。空穴和电子的注入和流动应当平衡，以使得具有上述结构的oled具有优异的效率和/或长寿命。
3、有机发光二极管的性能可能受有机半导体层的特性影响，并且尤其可能受有机半导体层的有机材料的特性影响。
4、特别地，需要开发能够增加电子迁移率并且同时增加电化学稳定性的有机半导体层，以便可以将有机发光二极管等有机电子器件应用于大型平板显示器。
5、此外，需要开发能够在较高的电流密度下且从而在较高的亮度下具有延长的寿命的有机半导体层。特别地，需要开发有机半导体材料或半导体层以降低工作电压，这对于降低例如移动显示器件的功耗和增加其电池寿命很重要。
6、仍然需要改善有机半导体材料、有机半导体层以及其有机电子器件的性能，特别需要通过改善其中包含的化合物的特性来实现提
7、因此，本专利技术的目的在于提供一种克服了现有技术的缺点的有机发光二极管，特别是提供用于有机半导体材料的化合物和包含所述有机半导体材料的电子器件，从而有助于改善电子器件的驱动电压和/或效率。
技术实现思路
1、这一目的通过以下的式(i)化合物来实现：
2、a-(cy)n-pz-fl(i)
3、其中
4、-a选自包含至少两个缩合芳族环的取代或未取代的c10至c42芳基以及选自c2-c42杂芳基，其中排除c2至c42杂芳基为苯并噁唑基或咔唑基的情况；
5、-其中，如果a被取代，则一个或多个取代基独立地选自c6-c18芳基、c3-c20杂芳基、d、f、cn、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、py(r)2、or、sr、(c＝o)r、(c＝o)n(r)2、si(r)3、(s＝o)r和
6、其中
7、y为o或s，并且
8、r独立地选自c1-c20直链烷基、c1-c20烷氧基、c1-c20硫代烷基、c3-c20支链烷基、c3-c20环状烷基、c3-c20支链烷氧基、c3-c20环状烷氧基、c3-c20支链硫代烷基、c3-c20环状硫代烷基、c6-c20芳基和c3-c20杂芳基；
9、-cy独立地选自取代或未取代的单环c3至c36烃基、取代或未取代的多环c3至c36烃基、取代或未取代的含杂原子的单环c3至c36烃基、或者取代或未取代的含杂原子的多环c3至c36烃基；
10、-其中，如果cy被取代，则一个或多个取代基独立地选自c6-c18芳基、c3-c20杂芳基、d、f、cn、c1-c16烷基、c1-c16烷氧基、py(r)2、or、sr、(c＝o)r、(c＝o)n(r)2、si(r)3、(s＝o)r和
11、其中
12、y为o或s，并且
13、r独立地选自c1-c20直链烷基、c1-c20烷氧基、c1-c20硫代烷基、c3-c20支链烷基、c3-c20环状烷基、c3-c20支链烷氧基、c3-c20环状烷氧基、c3-c20支链硫代烷基、c3-c20环状硫代烷基、c6-c20芳基和c3-c20杂芳基；
14、-n为0至4的整数；
15、-pz为全取代的吡嗪亚基；
16、-其中所述吡嗪亚基上的取代基独立地选自具有至少一个碳原子的基团；
17、-fl为取代或未取代的芴基；
18、-其中，如果fl被取代，则一个或多个取代基独立地选自c6-c18芳基、c2-c20杂芳基、d、f、cn、c1-c16烷基、c1-c16烷氧基、py(r)2、or、sr、(c＝o)r、(c＝o)n(r)2、si(r)3、(s＝o)r和
19、其中
20、y为o或s，并且
21、r独立地选自c1-c20直链烷基、c1-c20烷氧基、c1-c20硫代烷基、c3-c20支链烷基、c3-c20环状烷基、c3-c20支链烷氧基、c3-c20环状烷氧基、c3-c20支链硫代烷基、c3-c20环状硫代烷基、c6-c20芳基和c3-c20杂芳基。
22、所述目的还通过包含根据本专利技术的化合物的有机电子半导体材料来实现。
23、所述目的还通过包含半导体层的有机电子器件来实现，其中所述半导体层包含根据本专利技术的化合物。
24、所述目的还通过制备根据本专利技术的有机电子器件的方法来实现，所述方法包括将根据本专利技术的化合物沉积在固体载体上的步骤。
25、令人惊讶地，发现根据本专利技术的有机电子器件通过使器件在多个方面，特别是在效率和/或工作电压方面优于本领域中已知的有机电致发光器件而解决了本专利技术潜在的问题。
26、本专利技术尤其涉及一种以下的式(i)化合物：
27、a-(cy)n-pz-fl(i)。
28、a选自包含至少两个缩合芳族环的取代或未取代的c10至c42芳基以及选自c2-c42杂芳基。根据本专利技术，在a为c2-c42杂芳基的情况下，排除c2-c42杂芳基为苯并噁唑基或咔唑基的情况。还规定a不包含苯并噁唑基或咔唑基。可进一步规定式(i)化合物不包含苯并噁唑基或咔唑基。鉴于器件性能，发现避免式(i)化合物中，尤其是a部分中存在苯并噁唑基或咔唑基是有利的。
29、a可以选自包含至少两个缩合芳族环的取代或未取代的c10至c36芳基以及选自c2-c36杂芳基，其中排除c2至c36杂芳基为苯并噁唑基或咔唑基的情况。a可以选自包含至少两个缩合芳族环的取代或未取代的c10至c30芳基以及选自c3-c30杂芳基，其中排除c2至c30杂芳基为苯并噁唑基或咔唑基的情况。a可以选自包含至少两个缩合芳族环的取代或未取代的c10至c24芳基以及选自c3-c24杂芳基，其中排除c2至c24杂芳基为苯并噁唑基或咔唑基的情况。a可以选自包含至少两个缩合芳族环的取代或未取代的c10至c18芳基以及选自c3-c21杂芳基，其中排除c2至c21杂芳基为苯并噁唑基或咔唑基的情况。
30、a可以包含至少一个六元含n芳族环。
31、a可以选自c2-c36杂芳基，其中排除c2至c36杂芳基为苯并噁唑基或咔唑基的情况。a可以选自c3-c30杂芳基，其中排除c2至c30杂芳基为苯并噁唑基或咔唑基的情况。a可以选自c3-c24杂芳基，其中排除c2至本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种以下的式(I)化合物：
2.根据权利要求1所述的化合物，其中A包含至少一个六元含N芳族环。
3.根据权利要求1或2所述的化合物，其中A选自包含2个、3个、4个或5个缩合芳族环的芳基，吖嗪基、二嗪基、三嗪基、氮杂萘基、二氮杂萘基、三氮杂萘基、氮杂蒽基、氮杂菲基、二氮杂蒽基、二氮杂菲基、三氮杂蒽基、三氮杂菲基，苯并呋喃基及其氮杂、二氮杂或三氮杂衍生物，苯并噻吩基及其氮杂、二氮杂或三氮杂衍生物，二苯并呋喃基及其氮杂、二氮杂或三氮杂衍生物，二苯并噻吩基及其氮杂、二氮杂或三氮杂衍生物，萘并呋喃基及其氮杂、二氮杂或三氮杂衍生物，萘并噻吩基及其氮杂、二氮杂或三氮杂衍生物，萘并苯并呋喃基及其氮杂、二氮杂或三氮杂衍生物，萘并苯并噻吩基及其氮杂、二氮杂或三氮杂衍生物，二萘并呋喃基及其氮杂、二氮杂或三氮杂衍生物，以及二萘并噻吩基及其氮杂、二氮杂或三氮杂衍生物，它们分别被取代或未被取代。
4.根据前述权利要求中的任一项所述的化合物，其中A选自萘基、蒽基、菲基、联三苯叉基、苊基、荧蒽基、芘基、并四苯基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、噌
5.根据前述权利要求中的任一项所述的化合物，其中如果A被取代，则一个或多个取代基独立地选自C6-C12芳基。
6.根据前述权利要求中的任一项所述的化合物，其中Cy独立地选自C6-C36芳基和C3-C36杂芳基。
7.根据前述权利要求中的任一项所述的化合物，其中Cy分别为单环的或双环的。
8.根据前述权利要求中的任一项所述的化合物，其中所述全取代的吡嗪亚基的取代基独立地选自烃基基团、碳环基团或杂环基团。
9.根据前述权利要求中的任一项所述的化合物，其中所述全取代的吡嗪亚基的取代基独立地选自C6-C36芳基和C3-C36杂芳基。
10.根据前述权利要求中的任一项所述的化合物，其中所述全取代的吡嗪亚基的取代基是单环的或双环的。
11.根据前述权利要求中的任一项所述的化合物，其中所述芴基在其9位上被两个烃基基团取代，所述两个烃基基团可彼此连接形成环。
12.根据前述权利要求中的任一项所述的化合物，其中所述芴基为9,9'-二甲基-芴基。
13.一种有机半导体材料，所述有机半导体材料包含根据前述权利要求中的任一项所述的化合物。
14.一种有机电子器件，所述有机电子器件包含半导体层，其中所述半导体层包含根据权利要求1至12中的任一项所述的化合物。
15.根据权利要求14所述的有机电子器件，其中所述半导体层为电子传输性层。
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种以下的式(i)化合物：
2.根据权利要求1所述的化合物，其中a包含至少一个六元含n芳族环。
3.根据权利要求1或2所述的化合物，其中a选自包含2个、3个、4个或5个缩合芳族环的芳基，吖嗪基、二嗪基、三嗪基、氮杂萘基、二氮杂萘基、三氮杂萘基、氮杂蒽基、氮杂菲基、二氮杂蒽基、二氮杂菲基、三氮杂蒽基、三氮杂菲基，苯并呋喃基及其氮杂、二氮杂或三氮杂衍生物，苯并噻吩基及其氮杂、二氮杂或三氮杂衍生物，二苯并呋喃基及其氮杂、二氮杂或三氮杂衍生物，二苯并噻吩基及其氮杂、二氮杂或三氮杂衍生物，萘并呋喃基及其氮杂、二氮杂或三氮杂衍生物，萘并噻吩基及其氮杂、二氮杂或三氮杂衍生物，萘并苯并呋喃基及其氮杂、二氮杂或三氮杂衍生物，萘并苯并噻吩基及其氮杂、二氮杂或三氮杂衍生物，二萘并呋喃基及其氮杂、二氮杂或三氮杂衍生物，以及二萘并噻吩基及其氮杂、二氮杂或三氮杂衍生物，它们分别被取代或未被取代。
4.根据前述权利要求中的任一项所述的化合物，其中a选自萘基、蒽基、菲基、联三苯叉基、苊基、荧蒽基、芘基、并四苯基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、噌啉基、酞嗪基、喹唑啉基、喹喔啉基、萘啶基、咪唑并吡啶基、菲啶基、菲咯啉基、吖啶基、苯并吖啶基、二苯并吖啶基，它们分别被取代或未被取代。
5.根据前述权利要求中的任一项所述的化合物，其中如果...
【专利技术属性】
技术研发人员：耶夫恩·卡尔波夫，多玛果伊·帕维奇科，埃莱娜·嘉兰加西亚，
申请(专利权)人：诺瓦尔德股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。