包含式(I)化合物的有机电子器件、包含所述有机电子器件的显示装置以及用于有机电子器件中的式(I)化合物制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种式(I)化合物和包含含有式(I)化合物的电荷产生层的有机电子器件。(I)化合物的电荷产生层的有机电子器件。(I)化合物的电荷产生层的有机电子器件。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】包含式(I)化合物的有机电子器件、包含所述有机电子器件的显示装置以及用于有机电子器件中的式(I)化合物


[0001]本专利技术涉及一种包含式(I)化合物的有机电子器件和包含所述有机电子器件的显示装置。本专利技术还涉及能够用于有机电子器件中的新型的式(I)化合物。

技术介绍

[0002]作为自发射器件的诸如有机发光二极管OLED的有机电子器件具有宽视角、优异的对比度、快速响应、高亮度、优异的工作电压特性和色彩再现。典型的OLED包含阳极、空穴传输层HTL、发射层EML、电子传输层ETL和阴极，它们顺序层叠在衬底上。在这方面，HTL、EML和ETL是由有机化合物形成的薄膜。
[0003]当将电压施加到阳极和阴极时，从阳极注入的空穴通过HTL移动到EML，并且从阴极注入的电子通过ETL移动到EML。空穴和电子在EML中重组以产生激子。当激子从激发态下降到基态时，发光。空穴和电子的注入和流动应当平衡，使得具有上述结构的OLED具有优异的效率和/或长的寿命。
[0004]有机发光二极管的性能可能受半导体层的特性的影响，其中，可能还受包含在半导体层中的式(I)化合物的特性的影响。
[0005]EP3382770A1涉及一种用于形成有机半导体层的油墨组合物，其中所述油墨组合物包含：
‑
包含吸电子基团的至少一种p型掺杂剂；
‑
至少一种第一辅助化合物，其中第一辅助化合物是芳族腈化合物，其中芳族腈化合物具有约≥1至约≤3个腈基和约<100℃的熔点，其中第一辅助化合物不同于p型掺杂剂；并且其中吸电子基团是氟、氯、溴和/或腈。
[0006]US2010288362A1提供了一种包含阳极和阴极的电子器件，在所述阳极与所述阴极之间有至少两个有机光电转换单元，其中所述单元由中间连接区隔开，所述中间连接区依次包含：有机p型层；中间层，所述中间层与有机p型层直接接触并且包含化合物，所述化合物具有比
‑
3.0eV更负的LUMO并且不同于有机p型层中的有机化合物；和n型掺杂有机层，所述n型掺杂有机层与中间层直接接触并且包含作为主体的电子传输材料和HOMO没有
‑
4.5eV那么负的有机n型掺杂剂。在一个实施方案中，所述电子器件是串联OLED。
[0007]WO2019168368A1提供了一种有机发光二极管，所述有机发光二极管包含：阴极；阳极；以及设置在阴极与阳极之间的发光层，其中在阳极与发光层之间包含由化学式1表示的化合物以及由化学式2表示的化合物和由化学式3表示的化合物中的任意一种。
[0008]仍然需要改善有机半导体材料、半导体层及其有机电子器件的性能，特别是通过改善包含在其中的化合物的特性来实现改善的随时间的工作电压稳定性。

技术实现思路

[0009]本专利技术的一个方面提供一种有机电子器件，所述有机电子器件包含阳极层、阴极层和电荷产生层，其中所述电荷产生层包含p型电荷产生层和n型电荷产生层，其中所述p型电荷产生层包含式(I)的化合物，
[0010][0011]其中A1选自式(II)，
[0012][0013]X1选自CR1或N；
[0014]X2选自CR2或N；
[0015]X3选自CR3或N；
[0016]X4选自CR4或N；
[0017]X5选自CR5或N；
[0018]R1、R2、R3、R4和R5(如果存在)独立地选自CN、部分氟化或全氟化的C1至C8烷基、卤素、Cl、F、D或H，其中当存在R1、R2、R3、R4和R5中的任何一个时，则对应的X1、X2、X3、X4和X5不是N；
[0019]条件是满足如下要求a)至e)中的一个：
[0020]a)至少一个R1、R2、R3、R4和R5独立地选自CN、部分氟化或全氟化的C1至C8烷基、卤素、Cl、F，并且至少一个剩余的R1、R2、R3、R4和R5选自D或H；
[0021]b)R1或R2选自CN或者部分氟化或全氟化的C1至C8烷基，并且至少一个剩余的R1至R5独立地选自CN、部分氟化或全氟化的C1至C8烷基、卤素、Cl或F；
[0022]c)R3选自部分氟化或全氟化的C1至C8烷基，并且R1、R2、R4和R5中的至少一个独立地选自CN、部分氟化或全氟化的C1至C8烷基、卤素、Cl或F；
[0023]d)至少两个R1至R5独立地选自CN或者部分氟化或全氟化的C1至C8烷基；或者
[0024]e)至少一个X1至X5是N并且至少两个X1至X5选自CR1至CR5；
[0025]A2和A3独立地选自式(III)，
[0026][0027]其中Ar独立地选自取代或未取代的C6至C
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芳基和取代或未取代的C2至C
18
杂芳基，其中Ar上的取代基独立地选自CN、部分或全氟化的C1至C6烷基、卤素、Cl、F、D；并且
[0028]R'选自Ar、取代或未取代的C6至C
18
芳基或C3至C
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杂芳基、部分氟化或全氟化的C1至C8烷基、卤素、F或CN。
[0029]应当注意，在整个申请和权利要求书中，任何A
n
、B
n
、R
n
等总是指相同的部分，除非另有说明。
[0030]在本说明书中，当没有另外定义时，“取代的”是指被氘、C1至C
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烷基和C1至C
12
烷氧基取代的。
[0031]然而，在本说明书中，“芳基取代的”是指被一个或多个芳基基团取代，其本身可以被一个或多个芳基和/或杂芳基基团取代。
[0032]相应地，在本说明书中，“杂芳基取代的”是指被一个或多个杂芳基基团取代，其本身可以被一个或多个芳基和/或杂芳基基团取代。
[0033]在本说明书中，当没有另外定义时，“烷基基团”是指饱和脂肪族烃基基团。烷基基团可以是C1至C
12
烷基基团。更具体地，烷基基团可以是C1至C
10
烷基基团或C1至C6烷基基团。例如，C1至C4烷基基团在烷基链中包含1至4个碳，并且可以选自甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基和叔丁基。
[0034]烷基基团的具体实例可以是甲基基团、乙基基团、丙基基团、异丙基基团、丁基基团、异丁基基团、仲丁基基团、叔丁基基团、戊基基团、己基基团。
[0035]术语“环烷基”是指通过从包含在相应环烷烃中的环原子中形式减去一个氢原子而衍生自环烷烃的饱和烃基基团。环烷基基团的实例可以是环丙基基团、环丁基基团、环戊基基团、环己基基团、甲基环己基基团、金刚烷基基团等。
[0036]术语“杂”被理解为在可以由共价键合的碳原子形成的结构中至少一个碳原子被另一个多价原子替代的方式。优选地，杂原子选自B、Si、N、P、O、S；更优选选自N、P、O、S。
[0037]在本说明书中，“芳基基团”是指通过从相应芳族烃中的芳本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种有机电子器件，所述有机电子器件包含阳极层、阴极层和电荷产生层，其中所述电荷产生层包含p型电荷产生层和n型电荷产生层，其中所述p型电荷产生层包含式(I)的化合物，其中A1选自式(II)，X1选自CR1或N；X2选自CR2或N；X3选自CR3或N；X4选自CR4或N；X5选自CR5或N；R1、R2、R3、R4和R5(如果存在)独立地选自CN、部分氟化或全氟化的C1至C8烷基、卤素、Cl、F、D或H，其中当存在R1、R2、R3、R4和R5中的任何一个时，则对应的X1、X2、X3、X4和X5不是N；条件是满足如下要求a)至e)中的一个：a)至少一个R1、R2、R3、R4和R5独立地选自CN、部分氟化或全氟化的C1至C8烷基、卤素、Cl、F，并且至少一个剩余的R1、R2、R3、R4和R5选自D或H；b)R1或R2选自CN或者部分氟化或全氟化的C1至C8烷基，并且至少一个剩余的R1至R5独立地选自CN、部分氟化或全氟化的C1至C8烷基、卤素、Cl或F；c)R3选自部分氟化或全氟化的C1至C8烷基，并且R1、R2、R4和R5中的至少一个独立地选自CN、部分氟化或全氟化的C1至C8烷基、卤素、Cl或F；d)至少两个R1至R5独立地选自CN或者部分氟化或全氟化的C1至C8烷基；或者e)至少一个X1至X5是N并且至少两个X1至X5选自CR1至CR5；A2和A3独立地选自式(III)，其中Ar独立地选自取代或未取代的C6至C
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芳基和取代或未取代的C2至C
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杂芳基，其中Ar上的取代基独立地选自CN、部分或全氟化的C1至C6烷基、卤素、Cl、F、D；并且其中“*”表示结合位置。R'选自Ar、取代或未取代的C6至C
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芳基或C3至C
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杂芳基、部分氟化或全氟化的C1至C8烷基、卤素、F或CN。2.根据权利要求1中任一项所述的器件，其中所述p型电荷产生层包含式(IV)的化合...

【专利技术属性】
技术研发人员：马克斯，
申请(专利权)人：诺瓦尔德股份有限公司，
类型：发明
国别省市：