用于有机电子器件的式(I)的有机化合物、包含式(I)的化合物的有机电子器件和包含所述有机电子器件的显示器件制造技术

本发明专利技术涉及式(I)的化合物和包含半导体层的有机电子器件，所述半导体层包含式(I)的化合物。合物。合物。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于有机电子器件的式(I)的有机化合物、包含式(I)的化合物的有机电子器件和包含所述有机电子器件的显示器件


[0001]本专利技术涉及一种用于有机电子器件的式(I)有机化合物、包含式(I)的化合物的有机电子器件和包含所述有机电子器件的显示器件。

技术介绍

[0002]作为自发光器件的诸如有机发光二极管OLED的有机电子器件具有宽视角、优异的对比度、快速响应、高亮度、优异的工作电压特性和色彩再现。典型的OLED包含阳极、空穴传输层HTL、发光层EML、电子传输层ETL和阴极，它们依次层叠在基底上。在这方面，HTL、EML和ETL是由有机化合物形成的薄膜。
[0003]当将电压施加到阳极和阴极时，从阳极注入的空穴通过HTL移动到EML，并且从阴极注入的电子通过ETL移动到EML。空穴和电子在EML中重新组合以产生激子。当激子从激发态下降到基态时，发出光。空穴和电子的注入和流动应当平衡，使得具有上述结构的OLED具有优异的效率和/或长的寿命。
[0004]有机发光二极管的性能可受半导体层的特性的影响，其中，可受另外包含在半导体层中的式(I)的化合物的特性的影响。
[0005]WO2019168368A1提供了一种有机发光二极管，所述有机发光二极管包含：阴极；阳极；以及在阴极与阳极之间提供的发光层，其中在阳极与发光层之间包含由化学式1表示的化合物、以及由化学式2表示的化合物和由化学式3表示的化合物中的任意一种。
[0006]EP1988587A1公开了一种作为有机掺杂剂以对有机半导体基质材料进行掺杂、作为阻挡层、作为电荷注入层或作为有机半导体本身的有机内消旋化合物，其为氧碳化合物、假氧碳化合物或轴烯化合物。
[0007]仍然需要改善有机半导体材料、半导体层以及其有机电子器件的性能，特别是通过改善包含在其中的化合物的特性来实现随时间改善的工作电压稳定性。

技术实现思路

[0008]本专利技术的一个方面提供一种式(I)的用于有机电子器件中的有机化合物：
[0009][0010]其中A1选自式(II)
[0011][0012]X1选自CR1或N；
[0013]X2选自CR2或N；
[0014]X3选自CR3或N；
[0015]X4选自CR4或N；
[0016]X5选自CR5或N；
[0017]R1、R2、R3、R4和R5(如果存在)独立地选自CN、部分氟化或全氟化的C1至C8烷基、卤素、Cl、F、D或H，其中当R1、R2、R3、R4和R5中的任何一个存在时，则对应的X1、X2、X3、X4和X5不是N；
[0018]前提是
[0019]‑
至少一个R1至R5选自D或H，并且
[0020]‑
R1和/或R5独立地选自CN、部分氟化或全氟化的C1至C8烷基，或
[0021]‑
至少一个R
n
和R
n+1
(n＝1至4)独立地选自CN、部分氟化或全氟化的C1至C8烷基；
[0022]A2和A3独立地选自式(III)
[0023][0024]其中Ar独立地选自取代或未取代的C6至C
18
芳基和取代或未取代的C2至C
18
杂芳基，其中Ar上的取代基独立地选自CN、部分氟化或全氟化的C1至C6烷基、卤素、Cl、F、D；并且
[0025]R'选自Ar、取代或未取代的C6至C
18
芳基或C3至C
18
杂芳基、部分氟化或全氟化的C1至C8烷基、卤素、F或CN，
[0026]其中星号“*”表示结合位置。
[0027]应当注意，在通篇申请和权利要求书中，任何A
n
、B
n
、R
n
等总是指相同的部分，除非另有说明。
[0028]在本说明书中，当没有另外定义时，“部分氟化”是指其中仅部分氢原子被氟原子代替的C1至C8烷基基团。
[0029]在本说明书中，当没有另外定义时，“全氟化”是指其中所有氢原子都被氟原子代替的C1至C8烷基基团。
[0030]在本说明书中，当没有另外定义时，“取代的”是指被氘、C1至C
12
烷基和C1至C
12
烷氧基取代的。
[0031]然而，在本说明书中，“芳基取代的”是指被一个或多个芳基基团取代，其本身可被一个或多个芳基和/或杂芳基基团取代。
[0032]相应地，在本说明书中，“杂芳基取代的”是指被一个或多个杂芳基基团取代，其本身可被一个或多个芳基和/或杂芳基基团取代。
[0033]在本说明书中，当没有另外定义时，“烷基基团”是指饱和脂肪族烃基基团。烷基基
团可以是C1至C
12
烷基基团。更具体地，烷基基团可以是C1至C
10
烷基基团或C1至C6烷基基团。例如，C1至C4烷基基团在烷基链中包含1至4个碳，并且可以选自甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基和叔丁基。
[0034]烷基基团的具体实例可以是甲基基团、乙基基团、丙基基团、异丙基基团、丁基基团、异丁基基团、仲丁基基团、叔丁基基团、戊基基团、己基基团。
[0035]术语“环烷基”是指通过从包含在相应环烷烃中的环原子中形式上分离出一个氢原子而衍生自环烷烃的饱和烃基基团。环烷基基团的实例可以是环丙基基团、环丁基基团、环戊基基团、环己基基团、甲基环己基基团、金刚烷基基团等。
[0036]术语“杂”被理解为在可以由共价键合的碳原子形成的结构中至少一个碳原子被另一个多价原子代替的方式。优选地，杂原子选自B、Si、N、P、O、S；更优选选自N、P、O、S。
[0037]在本说明书中，“芳基基团”是指通过从相应芳族烃中的芳族环形式上分离出一个氢原子而生成的烃基基团。芳族烃是指含有至少一个芳族环或芳族环系的烃。芳族环或芳族环系是指共价键合碳原子的平面环或环系，其中所述平面环或环系包含满足H
ü
ckel规则的离域电子的共轭体系。芳基基团的实例包括：单环基团如苯基或甲苯基；包含由单键连接的多个芳族环的多环基团如联苯基；和包含稠环的多环基团如萘基或芴
‑2‑
基。
[0038]类似地，杂芳基尤其适合理解为通过从包含至少一个杂环芳族环的化合物中的杂环芳族环中形式上分离出一个环氢衍生而来的基团。
[0039]杂环烷基尤其适合理解为通过从包含至少一个饱和环烷基环的化合物中的饱和环烷基环中形式上分离出一个环氢衍生而来的基团。
[0040]术语“稠合芳基环”或“缩合芳基环”理解为当两个芳基环共有至少两个公共的sp2杂化碳原子时，它们被认为是稠合或缩合的方式。
[0041]在本说明书中，单键是指直接键。
[0042]术语“没有”、“不含有”、“不包含”不排除在沉积前化合物中可存在的杂质。杂质对本专利技术所实现的目的没有技术效果。
[0043]术语本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种式(I)的化合物，其中A1选自式(II)X1选自CR1或N；X2选自CR2或N；X3选自CR3或N；X4选自CR4或N；X5选自CR5或N；R1、R2、R3、R4和R5(如果存在)独立地选自CN、部分氟化或全氟化的C1至C8烷基、卤素、Cl、F、D或H，其中当R1、R2、R3、R4和R5中的任何一个存在时，则对应的X1、X2、X3、X4和X5不是N；前提是
‑
至少一个R1至R5选自D或H，并且
‑
R1和/或R5独立地选自CN、部分氟化或全氟化的C1至C8烷基，或
‑
至少一个R
n
和R
n+1
(n＝1至4)独立地选自CN、部分氟化或全氟化的C1至C8烷基；A2和A3独立地选自式(III)其中Ar独立地选自取代或未取代的C6至C
18
芳基和取代或未取代的C2至C
18
杂芳基，其中Ar上的取代基独立地选自CN、部分氟化或全氟化的C1至C6烷基、卤素、Cl、F、D；并且R'选自Ar、取代或未取代的C6至C
18
芳基或C3至C
18
杂芳基、部分氟化或全氟化的C1至C8烷基、卤素、F或CN；并且其中星号“*”表示结合位置。2.根据权利要求1所述的化合物，所述化合物选自式(IV)
其中B1选自式(V)B3和B5是Ar，并且B2、B4和B6是R'。3.根据权利要求1或2所述的化合物，其中A1和A3不同。4.根据权利要求1至3中的任一项所述的化合物，其中X3是CR3且R3选自部分氟化或全氟化的C1至C8烷基、卤素、Cl、F、D或H。5.根据权利要求1至4中的任一项所述的化合物，其中X1和/或X5是C
‑
CN。6....

【专利技术属性】
技术研发人员：马克斯，
申请(专利权)人：诺瓦尔德股份有限公司，
类型：发明
国别省市：