发光元件制造技术

公开了发光元件。该发光元件包括第一电极、设置在第一电极上的空穴传输区域、设置在空穴传输区域上的发射层、设置在发射层上且包含电子传输层和设置在电子传输层上的电子注入层的电子传输区域以及设置在电子传输区域上的第二电极，其中，电子注入层包括由式A或式B表示的主体以及金属掺杂剂，并且金属掺杂剂包括Ag、Bi、Mg、Li、Yb、Cu、La、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm或Lu，从而改善电子注入特性且具有优异或合适的发光效率。性且具有优异或合适的发光效率。性且具有优异或合适的发光效率。

【技术实现步骤摘要】
发光元件
[0001]本申请要求于2021年9月30日提交的第10
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2021
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0130277号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。


[0002]本公开在此涉及一种发光元件和包括该发光元件的显示装置，例如，涉及一种包含电子注入层的发光元件和包括该发光元件的显示装置。

技术介绍

[0003]最近，正在积极地进行作为图像显示装置的有机电致发光显示装置的开发。与液晶显示装置等不同，有机电致发光显示装置是所谓的自发光显示装置，其中从第一电极和第二电极注入的空穴和电子在发射层中复合，因此发射层中的包括有机化合物的发光材料发射光以实现显示(例如，显示图像)。
[0004]在将发光元件应用于显示装置时，期望(例如，需求)具有低驱动电压、高发光效率和/或长使用寿命(例如，长寿命)的发光元件，并且正在不断追求(例如，需要)能够稳定地获得这些特性的用于发光元件的材料的开发。

技术实现思路

[0005]根据本公开的实施例的方面涉及一种具有高发光效率的发光元件和包括本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光元件，所述发光元件包括：第一电极；空穴传输区域，在所述第一电极上；发射层，在所述空穴传输区域上；电子传输区域，在所述发射层上且包括电子传输层和在所述电子传输层上的电子注入层；以及第二电极，在所述电子传输区域上，其中，所述电子注入层包括由式A或式B表示的主体以及金属掺杂剂，并且所述金属掺杂剂包括Ag、Bi、Mg、Li、Yb、Cu、La、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm和/或Lu：式A式B其中，在式A中，L1是直连键或者取代或未取代的亚苯基，R1和R2均独立地是氢原子、取代或未取代的甲基或者取代或未取代的苯基，R3和R4均独立地是氢原子、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基，并且在式B中，Ra和Rb均独立地是取代或未取代的具有1个至20个碳原子的烷基或者取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基，并且Rc和Rd均独立地是取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基。2.根据权利要求1所述的发光元件，其中，掺杂有所述金属掺杂剂的所述主体的最低未占分子轨道能级与所述第二电极的逸出功能级之间的差的绝对值是0.2eV或更小。
3.根据权利要求1所述的发光元件，其中，所述主体与所述金属掺杂剂之间的结合能是2.0eV或更大。4.根据权利要求1所述的发光元件，其中，所述金属掺杂剂是Li，并且所述电子注入层中的所述金属掺杂剂的体积与所述主体和所述金属掺杂剂的总体积的体积比是3体积％至10体积％。5.根据权利要求1所述的发光元件，其中，所述金属掺杂剂是Yb，并且所述电子注入层中的所述金属掺杂剂的体积与所述主体和所述金属掺杂剂的总体积的体积比是5体积％至10体积％。6.根据权利要求1所述的发光元件，其中，所述第二电极直接在所述电子注入层上。7.根据权利要求1所述的发光元件，其中，由式A表示的所述主体由式A
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1或式A
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2表示：式A
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1式A
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2其中，在式A
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2中，n是0至5的整数，并且在式A
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1和式A
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【专利技术属性】
技术研发人员：贾允硕，金东赞，文智永，李学忠，宋河珍，尹智焕，黄载薰，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：