作为用于电子器件的半导体材料的3-(2,3,5-三氟-6-(三氟甲基)吡啶-4-基)戊烷-2,4-二酮和类似配体的金属络合物制造技术

本发明专利技术涉及一种由式(I)表示的化合物，其中M是金属；L是电荷中性配体，其与金属M配位；n是选自1至4的整数，其对应于M的氧化数；m是选自0至2的整数；R1、R2和R3是取代基；其中至少一个R1、R2和/或R3选自被取代的C2至C24杂芳基基团，其中至少一个取代基选自卤素、F、Cl、CN、部分或完全氟化的C1至C6烷基、部分或完全氟化的C1至C6烷氧基。本发明专利技术还涉及包含至少一种式(I)的化合物的半导体材料、包含至少一种式(I)的化合物的半导体层和包含至少一种式(I)的化合物的电子器件。示例性化合物是例如3

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】作为用于电子器件的半导体材料的3
‑
(2,3,5
‑
三氟
‑6‑
(三氟甲基)吡啶
‑4‑
基)戊烷
‑
2,4
‑
二酮和类似配体的金属络合物


[0001]本专利技术涉及式(I)的化合物、包含至少一种式(I)的化合物的半导体材料、包含至少一种式(I)的化合物的半导体层和包含至少一种式(I)的化合物的电子器件。

技术介绍

[0002]作为自发光器件的电子器件，例如有机发光二极管OLED，具有宽视角、优异的对比度、快速响应、高亮度、优异的工作电压特性和色彩再现。典型的OLED包括依次层叠在基底上的阳极层、空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、发光层EML、电子传输层ETL和阴极层。在这方面，HIL、HTL、EML和ETL是由有机化合物形成的薄膜。
[0003]当将电压施加到阳极和阴极时，从阳极注入的空穴经由HIL和HTL移动到EML，并且从阴极注入的电子经由ETL移动到EML。空穴和电子在EML中重新结合产生激子。当激子从激发态下降到基态时发出光。空穴和电子的注入和流动应该是平衡的，使得具有上述结构的OLED具有低工作电压、优异的效率和/或长寿命。
[0004]有机发光二极管的性能可受空穴注入层的特性影响，其中，可受空穴注入层中包含的空穴传输化合物和金属络合物的特性影响。
[0005]US 2015200374 A涉及一种空穴注入层，所述空穴注入层由例如嵌入到空穴传导基质中的二次平面单核过渡金属络合物如铜2+络合物组成。
[0006]WO16188604 A1涉及一种组合物，包含至少一种空穴传输或/和一种空穴注入材料和作为p型掺杂剂的至少一种金属络合物。
[0007]有机发光二极管的性能可受半导体层的特性影响，并且其中，可受同样包含在半导体层中的金属络合物的特性影响。
[0008]需要改进半导体材料、半导体层以及其电子器件的性能，特别是通过改进其中包含的化合物的特性来实现随时间改进的工作电压稳定性。
[0009]此外，仍然需要通过提供具有改进性能的空穴注入层来改进电子器件的性能，特别是通过改进空穴注入层和电子器件的特性来实现改进的工作电压。
[0010]此外，仍然需要提供空穴注入层，其能够注入到包含具有远离真空能级的HOMO能级的化合物的相邻层中。
[0011]另一个目的是提供一种空穴注入层，其包含可以在适合大规模生产的条件下通过真空热蒸发沉积的化合物。

技术实现思路

[0012]本专利技术的一个方面提供了一种由式I表示的化合物：
[0013]其中
[0014]M是金属；
[0015]L是电荷中性配体，其与金属M配位；
[0016]n是选自1至4的整数，其对应于M的氧化数；
[0017]m是选自0至2的整数；
[0018]R1、R2和R3独立地选自H、D、被取代或未被取代的C1至C
12
烷基、被取代或未被取代的C1至C
12
烷氧基、被取代或未被取代的C6至C
24
芳基和被取代或未被取代的C2至C
24
杂芳基基团，其中
[0019]至少一个取代基选自卤素、F、Cl、CN、被取代或未被取代的C1至C6烷基、部分或完全氟化的C1至C6烷基、被取代或未被取代的C1至C6烷氧基、部分或完全氟化的C1至C6烷氧基、被取代或未被取代的C6至C
18
芳基和被取代或未被取代的C2至C
18
杂芳基，其中
[0020]取代基选自卤素、F、Cl、CN、C1至C6烷基、CF3、OCH3和OCF3；
[0021]其中
[0022]至少一个R1、R2和/或R3选自被取代的C2至C
24
杂芳基基团，其中至少一个取代基选自卤素、F、Cl、CN、部分或完全氟化的C1至C6烷基、部分或完全氟化的C1至C6烷氧基。
[0023]定义
[0024]应当注意，在通篇申请和权利要求书中，除非另有说明，否则任何R1、R2、R3、L和M总是指相同的部分。
[0025]在本说明书中，当没有另外提供定义时，“被取代的”是指被选自以下取代：卤素、F、Cl、CN、被取代或未被取代的C1至C6烷基、部分或完全氟化的C1至C6烷基、被取代或未被取代的C1至C6烷氧基、部分或完全氟化的C1至C6烷氧基、被取代或未被取代的C6至C
18
芳基和被取代或未被取代的C2至C
18
杂芳基，其中取代基选自卤素、F、Cl、CN、C1至C6烷基、CF3、OCH3和OCF3。
[0026]在本说明书中，“芳基基团”和“芳族环”是指可以通过从相应芳族烃中的芳族环形式上分离出一个氢原子而产生的烃基基团。芳族烃是指含有至少一个芳族环或芳族环系的烃。芳族环或芳族环系是指共价结合的碳原子的平面环或环系，其中平面环或环系包含满足H
ü
ckel规则的离域电子的共轭体系。芳基基团的实例包括单环基团如苯基或甲苯基，包含更多通过单键连接的芳族环的多环基团如联苯基，和包含稠环的多环基团如萘基或芴基。
[0027]类似地，“杂芳基”和“杂芳族”在合适的情况下尤其被理解为通过从包含至少一个杂环芳族环的化合物中的杂环芳族环形式上分离出一个环氢而衍生的基团。
[0028]术语“非杂环”被理解为是指不包含杂原子作为环成员的环或环系。
[0029]术语“杂环”被理解为是指杂环包含至少一个含有一个或多个杂原子的环。包含多于一个环的杂环是指所有包含杂原子的环或至少一个包含杂原子的环和至少一个仅包含C原子且不含杂原子的环。C2杂芳基基团是指杂芳基环包含两个C原子并且其它原子是杂原子。
[0030]杂环烷基在合适的情况下尤其被理解为通过从包含至少一个饱和环烷基环的化合物中的饱和环烷基环形式上分离出一个环氢而衍生的基团。
[0031]具有至少9个C原子的术语“芳基”可包含至少一个稠合芳基环。具有至少9个原子的术语“杂芳基”可包含至少一个与杂芳基环稠合或与芳基环稠合的稠合杂芳基环。
[0032]术语“稠合芳基环”或“缩合芳基环”被理解为当两个芳基环共享至少两个共同的sp2杂化碳原子时它们被认为是稠合的或缩合的。
[0033]术语“稠合环系”被理解为是指其中两个或更多个环共享至少两个原子的环系。
[0034]术语“5元、6元或7元环”被理解为是指包含5、6或7个原子的环。所述原子可以选自C和一个或多个杂原子。
[0035]在本说明书中，单键是指直接键。
[0036]在本说明书中，当没有另外提供定义时，“被取代的”是指被H、氘、C1至C
12
烷基、未被取代的C6至C
18
芳基和未被取代的C2至C
18
杂芳基取代。
[0037]在本说明书中，“被取代的芳基”是指例如被一个或多个取代本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种由式I表示的化合物，其中M是金属；L是电荷中性配体，其与所述金属M配位；n是选自1至4的整数，其对应于M的氧化数；m是选自0至2的整数；R1、R2和R3独立地选自H、D、被取代或未被取代的C1至C
12
烷基、被取代或未被取代的C1至C
12
烷氧基、被取代或未被取代的C6至C
24
芳基和被取代或未被取代的C2至C
24
杂芳基基团，其中至少一个取代基选自卤素、F、Cl、CN、被取代或未被取代的C1至C6烷基、部分或完全氟化的C1至C6烷基、被取代或未被取代的C1至C6烷氧基、部分或完全氟化的C1至C6烷氧基、被取代或未被取代的C6至C
18
芳基和被取代或未被取代的C2至C
18
杂芳基，其中取代基选自卤素、F、Cl、CN、C1至C6烷基、CF3、OCH3和OCF3；其中至少一个R1、R2和/或R3选自被取代的C2至C
24
杂芳基基团，其中至少一个取代基选自卤素、F、Cl、CN、部分或完全氟化的C1至C6烷基、部分或完全氟化的C1至C6烷氧基。2.根据权利要求1所述的化合物，其中所述金属M选自碱金属、碱土金属、过渡金属、稀土金属或第III至V族金属，优选地所述金属M选自过渡金属或第III至V族金属；优选地所述金属M选自Li(I)、Na(I)、K(I)、Cs(I)、Mg(II)、Ca(II)、Sr(II)、Ba(II)、Sc(III)、Y(III)、Ti(IV)、V(III
‑
V)、Cr(III
‑
VI)、Mn(II)、Mn(III)、Fe(II)、Fe(III)、Co(II)、Co(III)、Ni(II)、Cu(I)、Cu(II)、Zn(II)、Ag(I)、Au(I)、Au(III)、Al(III)、Ga(III)、In(III)、Sn(II)、Sn(IV)或Pb(II)；优选地M选自Cu(II)、Fe(III)、Co(III)、Mn(III)、Ir(III)、Bi(III)；并且更优选M选自Fe(III)和Cu(II)。3.根据权利要求1或2所述的化合物，其中L选自H2O、C2至C
40
单齿醚或多齿醚和C2至C
40
硫醚、C2至C
40
胺、C2至C
40
膦、C2至C
20
烷基腈或C2至C
40
芳基腈，或根据式(II)的化合物；其中R6和R7独立地选自C1至C
20
烷基、C1至C
20
杂烷基、C6至C
20
芳基、具有5至20个成环原子的杂芳基、卤化或全卤化C1至C
20
烷基、卤化或全卤化C1至C
20
杂烷基、卤化或全卤化C6至C
20
芳基、具有5至20个成环原子的卤化或全卤化杂芳基，或者至少一个R6和R7桥接并形成5至20元环，或者两个R6和/或两个R7桥接并形成5至40元环或形成包含未被取代或C1至C
12
取代的菲咯啉的5至40元环。4.根据权利要求1至3中的任一项所述的化合物，其中n是选自1、2和3的整数，其对应于
M的氧化数。5.根据权利要求1至4中的任一项所述的化合物，其中m为选自0或1的整数，优选为0。6.根据权利要求1至5中的任一项所述的化合物，其中至少一个R1、R2或R3选自被取代的C2至C
24
杂芳基基团，其中

【专利技术属性】
技术研发人员：弗拉迪米尔，
申请(专利权)人：诺瓦尔德股份有限公司，
类型：发明
国别省市：