用于有机电子器件中的式(I)的有机化合物、包含式(IV)的化合物和至少一种式(IVa)至(IVd)的化合物的组合物、包含所述化合物或组合物的有机半导体层、包括所述有机半导体层的有机电子器件、以及包括所述有机电子器件的显示器件制造技术

本发明专利技术涉及一种用于有机电子器件中的式(I)的化合物、一种包含式(IV)的化合物和至少一种式(IVa)至(IVd)的化合物的组合物、一种包含所述化合物或组合物的有机半导体层、一种包括所述有机半导体层的有机电子器件、以及一种包括所述有机电子器件的显示器件。包括所述有机电子器件的显示器件。包括所述有机电子器件的显示器件。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于有机电子器件中的式(I)的有机化合物、包含式(IV)的化合物和至少一种式(IVa)至(IVd)的化合物的组合物、包含所述化合物或组合物的有机半导体层、包括所述有机半导体层的有机电子器件、以及包括所述有机电子器件的显示器件


[0001]本专利技术涉及一种用于有机电子器件中的式(I)的有机化合物、一种包含式(IV)的化合物和至少一种式(IVa)至(IVd)的化合物的组合物、一种包含所述化合物或组合物的有机半导体层、一种包括所述有机半导体层的有机电子器件、以及一种包括所述有机电子器件的显示器件。

技术介绍

[0002]作为自发光器件的有机电子器件，例如有机发光二极管OLED，具有宽视角、优异的对比度、快速响应、高亮度、优异的工作电压特性和色彩再现性。典型的OLED包括依次层叠在基底上的阳极、空穴传输层HTL、发光层EML、电子传输层ETL和阴极。在这方面，HTL、EML和ETL是由有机化合物形成的薄膜。
[0003]当向阳极和阴极施加电压时，从阳极注入的空穴经由HTL移动到EML，并且从阴极注入的电子经由ETL移动到EML。空穴和电子在E本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种式(I)的化合物，其中A1选自式(II)X1选自CR1或N；X2选自CR2或N；X3选自CR3或N；X4选自CR4或N；X5选自CR5或N；R1和R5(如果存在)独立地选自CN、CF3、卤素、Cl、F、H或D；R2、R3和R4(如果存在)独立地选自CN、部分氟化或全氟化的C1至C8烷基、卤素、Cl、F、H或D；其中当R1、R2、R3、R4和R5中的任一个存在时，那么相应X1、X2、X3、X4和X5不是N；前提是
–
R1和R5中的至少一个存在并独立地选自CN或CF3；A2选自式(III)其中Ar独立地选自被取代的C6至C
18
芳基和被取代的C2至C18杂芳基，其中Ar上的取代基独立地选自CN、部分或全氟化的C1至C6烷基、卤素、Cl、F、D；R'选自Ar、被取代或未被取代的C6至C
18
芳基或C3至C
18
杂芳基、部分氟化或全氟化的C1至C8烷基、卤素、F或CN；其中星号“*”表示结合位置；其中每个Ar被至少两个CN基团取代；A3选自式(II)或式(III)；并且A1和A2被不同地选择。2.根据权利要求1所述的化合物，所述化合物选自式(IV)，
其中B1选自式(V)，B3和B5是Ar，以及B2、B4和B6是R'。3.根据权利要求1或2所述的化合物，其中所述化合物包括少于九个CN基团。4.根据权利要求1至3所述的化合物，其中R1和R5均存在并独立地选自...

【专利技术属性】
技术研发人员：马克斯，
申请(专利权)人：诺瓦尔德股份有限公司，
类型：发明
国别省市：