发光元件制造技术

本发明专利技术涉及发光元件。根据实施方式的发光元件包括第一电极、设置在第一电极上的第二电极以及设置在第一电极和第二电极之间的发射层。发射层包括彼此不同的第一化合物、第二化合物和第三化合物，并且第一化合物为由式1表示的多环化合物，从而实现具有高发射效率的发光元件。[式1]光元件。[式1]光元件。[式1]光元件。[式1]

【技术实现步骤摘要】
发光元件
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2021年10月28日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10
‑
2021
‑
0146021号的优先权和权益，其全部内容通过引用并入本文。


[0003]本公开涉及在发射层中包括多环化合物的发光元件。

技术介绍

[0004]仍在继续进行作为图像显示器的有机电致发光显示器的积极开发。有机电致发光显示器不同于液晶显示器并且为所谓的自发光显示器，其中分别从第一电极和第二电极注入的空穴和电子在发射层中复合，以便发射层中的发光材料发射光而实现显示。
[0005]在将发光元件应用于显示器时，存在降低发光元件的驱动电压、增加发光元件的发射效率和增加发光元件的寿命的要求，并且存在对能够稳定实现这些特点的用于发光元件的材料进行持续开发的需求。
[0006]应理解，该
技术介绍
章节旨在部分提供用于理解该技术的有用的背景。然而，该
技术介绍
章节也可包括在本文中公开的主题的对应有效申请日之前不被相关领域的技术人员已知或理解的一部分的想法、概念或认知。

技术实现思路

[0007]本公开提供了具有高发射效率的发光元件和其中使用的多环化合物。
[0008]实施方式提供了发光元件，其可包括：第一电极、设置在第一电极上的第二电极以及设置在第一电极和第二电极之间的发射层，其中发射层可包括第一化合物、第二化合物和第三化合物，第一化合物、第二化合物和第三化合物可彼此不同，并且第一化合物可由式1表示。
>[0009][式1][0010][0011]在式1中，a和b可各自独立地为选自0至4的整数，c可为选自0至2的整数，d可为选自0至5的整数，并且X可为N(R
x
)、O或S。
[0012]在式1中，R
x
、R1至R3和R6可各自独立地为氘原子、取代的或未取代的1至20个碳原子的烷基、取代的或未取代的2至20个碳原子的烯基、取代的或未取代的6至30个成环碳原子的芳基或者取代的或未取代的2至30个成环碳原子的杂芳基或者可与相邻基团结合以形成环；并且R4和R5可各自独立地为取代的或未取代的胺基或者取代的或未取代的咔唑基。
[0013]在实施方式中，在式1中，R4和R5可各自独立地为由式A
‑
1或式A
‑
2表示的基团。
[0014][式A
‑
1][0015][0016][式A
‑
2][0017][0018]在式A
‑
1中，x可为选自0至8的整数，并且R
a
可为氘原子、取代的或未取代的6至20个成环碳原子的芳基、取代的或未取代的1至6个碳原子的烷基或者氰基。在式A
‑
2中，y和z可各自独立地为选自0至5的整数，并且R
b
和R
c
可各自独立地为氘原子或者取代的或未取代的1至6个碳原子的烷基。在式A
‑
1和式A
‑
2中，
‑
*指示R4或R5与式1的对应原子的键合位点。
[0019]在实施方式中，由式A
‑
1表示的基团可由式A1至式A6中的任何一个表示。
[0020][0021]在式A1至式A6中，
‑
*指示R4或R5与式1的对应原子的键合位点。
[0022]在实施方式中，由式A
‑
2表示的基团可由式A7至式A9中的任何一个表示。
[0023][0024]在式A7至式A9中，
‑
*指示R4或R5与式1的对应原子的键合位点。
[0025]在实施方式中，在式1中，R1和R2可各自独立地为由式B1至式B18中的任何一个表示的基团。
[0026][0027]在式B1至式B18中，
‑
*指示R1或R2与式1的对应原子的键合位点。
[0028]在实施方式中，在式1中，R3可为由式C1至式C5中的任何一个表示的基团。
[0029][0030]在式C1至式C5中，
‑
*指示R3与式1的对应原子的键合位点。
[0031]在实施方式中，在式1中，R6可为由式D1至式D3中的任何一个表示的基团。
[0032][0033]在式D1至式D3中，
‑
*指示R6与式1的对应原子的键合位点。
[0034]在实施方式中，发射层可发射蓝光。
[0035]在实施方式中，第一化合物可发射热激活延迟荧光。
[0036]在实施方式中，第二化合物可由下面解释的化合物HT
‑
1至化合物HT
‑
4中的任何一个表示。
[0037]在实施方式中，第三化合物可由下面解释的化合物ET
‑
1至化合物ET
‑
3中的任何一个表示。
[0038]在实施方式中，发射层可进一步包括由式M
‑
b表示的第四化合物。
[0039][式M
‑
b][0040][0041]在式M
‑
b中，Q1至Q4可各自独立地为C或N；C1至C4可各自独立地为取代的或未取代
的5至30个成环碳原子的烃环或者取代的或未取代的2至30个成环碳原子的杂环；L
21
至L
24
可各自独立地为直接连接、*
‑
O
‑
*、*
‑
S
‑
*、*、取代的或未取代的1至20个碳原子的二价烷基、取代的或未取代的6至30个成环碳原子的亚芳基或者取代的或未取代的2至30个成环碳原子的亚杂芳基；e1至e4可各自独立地为0或1；R
31
至R
39
可各自独立地为氢原子、氘原子、卤原子、氰基、取代的或未取代的胺基、取代的或未取代的1至20个碳原子的烷基、取代的或未取代的6至30个成环碳原子的芳基或者取代的或未取代的2至30个成环碳原子的杂芳基或者可与相邻基团结合以形成环；并且d1至d4可各自独立地为选自0至4的整数。
[0042]在实施方式中，第一化合物可为发光掺杂剂，第二化合物可为空穴传输主体，第三化合物可为电子传输主体，并且第四化合物可为辅助掺杂剂。
[0043]在实施方式中，发射层可包括选自下面解释的化合物组1中的至少一种。
[0044]根据实施方式，发光元件可包括：第一电极、设置在第一电极上的第二电极以及设置在第一电极和第二电极之间的发射层，其中发射层可包括第一化合物、第二化合物和第三化合物，第一化合物、第二化合物和第三化合物可彼此不同，第一化合物可由式3表示，并且第一化合物的振子强度可等于或大于约0.2500。
[0045][式3][0046][0047]在式3中，a和b可各自独立地为选自0至4的整数；c可为选自0至2的整数；d可为选自0至5的整数；m本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光元件，包括：第一电极；设置在所述第一电极上的第二电极；以及设置在所述第一电极和所述第二电极之间的发射层，其中所述发射层包括第一化合物、第二化合物和第三化合物，所述第一化合物、所述第二化合物和所述第三化合物彼此不同，并且所述第一化合物由式1表示：[式1]其中在式1中，a和b各自独立地为选自0至4的整数，c为选自0至2的整数，d为选自0至5的整数，X为N(R
x
)、O或S，R
x
、R1至R3和R6各自独立地为氘原子、取代的或未取代的1至20个碳原子的烷基、取代的或未取代的2至20个碳原子的烯基、取代的或未取代的6至30个成环碳原子的芳基或者取代的或未取代的2至30个成环碳原子的杂芳基或者与相邻基团结合以形成环，并且R4和R5各自独立地为取代的或未取代的胺基或者取代的或未取代的咔唑基。2.根据权利要求1所述的发光元件，其中在式1中，R4和R5各自独立地为由式A
‑
1或式A
‑
2表示的基团：[式A
‑
1][式A
‑
2]
其中在式A
‑
1中，x为选自0至8的整数，并且R
a
为氘原子、取代的或未取代的6至20个成环碳原子的芳基、取代的或未取代的1至6个碳原子的烷基或者氰基，其中在式A
‑
2中，y和z各自独立地为选自0至5的整数，并且R
b
和R
c
各自独立地为氘原子或者取代的或未取代的1至6个碳原子的烷基，并且其中在式A
‑
1和式A
‑
2中，
‑
*指示R4或R5与式1的对应原子的键合位点。3.根据权利要求2所述的发光元件，其中所述由式A
‑
1表示的基团由式A1至式A6中的任何一个表示：其中在式A1至式A6中，
‑
*指示R4或R5与式1的对应原子的键合位点。4.根据权利要求2所述的发光元件，其中所述由式A
‑
2表示的基团由式A7至式A9中的任何一个表示：
其中在式A7至式A9中，
‑
*指示R4或R5与式1的对应原子的键合位点。5.根据权利要求1所述的发光元件，其中在式1中，R1和R2各自独立地为由式B1至式B18中的任何一个表示的基团：其中在式B1至式B18中，
‑
*指示R1或R2与式1的对...

【专利技术属性】
技术研发人员：金洗栾，吴灿锡，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：