本发明专利技术涉及一种用于有机电子器件中的式(I)的化合物、一种包含式(IV)的化合物和至少一种式(IVa)至(IVd)的化合物的组合物、一种包含所述化合物或组合物的有机半导体层、一种包括所述有机半导体层的有机电子器件、以及一种包括所述有机电子器件的显示器件。包括所述有机电子器件的显示器件。包括所述有机电子器件的显示器件。[转续页]
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于有机电子器件中的式(I)的有机化合物、包含式(IV)的化合物和至少一种式(IVa)至(IVd)的化合物的组合物、包含所述化合物或组合物的有机半导体层、包括所述有机半导体层的有机电子器件、以及包括所述有机电子器件的显示器件
[0001]本专利技术涉及一种用于有机电子器件中的式(I)的有机化合物、一种包含式(IV)的化合物和至少一种式(IVa)至(IVd)的化合物的组合物、一种包含所述化合物或组合物的有机半导体层、一种包括所述有机半导体层的有机电子器件、以及一种包括所述有机电子器件的显示器件。
技术介绍
[0002]作为自发光器件的有机电子器件，例如有机发光二极管OLED，具有宽视角、优异的对比度、快速响应、高亮度、优异的工作电压特性和色彩再现性。典型的OLED包括依次层叠在基底上的阳极、空穴传输层HTL、发光层EML、电子传输层ETL和阴极。在这方面，HTL、EML和ETL是由有机化合物形成的薄膜。
[0003]当向阳极和阴极施加电压时，从阳极注入的空穴经由HTL移动到EML，并且从阴极注入的电子经由ETL移动到EML。空穴和电子在EML中重新组合以产生激子。当激子从激发态下降到基态时发出光。空穴和电子的注入和流动应当平衡，使得具有上述结构的OLED具有优异的效率和/或长寿命。
[0004]有机发光二极管的性能可受半导体层的特性的影响，尤其可受另外包含在半导体层中的金属络合物的特性的影响。
[0005]仍然需要改进有机半导体材料、半导体层以及其有机电子器件的性能，特别是通过改进包含在其中的化合物的特性来实现改进的工作电压和电压随时间的稳定性。
技术实现思路
[0006]本专利技术的一个方面提供一种在有机电子器件中使用的式(I)的有机化合物：
[0007][0008]其中A1选自式(II)
[0009][0010]X1选自CR1或N；
[0011]X2选自CR2或N；
[0012]X3选自CR3或N；
[0013]X4选自CR4或N；
[0014]X5选自CR5或N；
[0015]R1和R5(如果存在)独立地选自CN、NO2、CF3、卤素、Cl、F、H或D；
[0016]R2、R3和R4(如果存在)独立地选自CN、NO2、部分氟化或全氟化的C1至C8烷基、卤素、Cl、F、H或D；
[0017]其中当R1、R2、R3、R4和R5中的任一个存在时，那么相应X1、X2、X3、X4和X5不是N；
[0018]前提是
[0019]–
R2和R4中的至少一个存在并独立地选自H或D；
[0020]–
R1、R2、R3、R4或R5中的至少三个存在，并且R1、R2、R3、R4或R5中的至少一个不是H或D；
[0021]A2和A3独立地选自式(III)
[0022][0023]其中Ar独立地选自被取代或未被取代的C6至C
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芳基和被取代或未被取代的C2至C
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杂芳基，其中Ar上的取代基独立地选自CN、NO2、部分或全氟化的C1至C6烷基、卤素、Cl、F、D；
[0024]R'选自Ar、被取代或未被取代的C6至C
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芳基或C3至C
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杂芳基、部分氟化或全氟化的C1至C8烷基、卤素、F或CN；
[0025]其中星号“*”表示结合位置；并且
[0026]其中A1、A2和A3是以A1与A2或A3中的至少一个不同的方式选择的。
[0027]应当注意，除非另外指出，否则在通篇申请和权利要求书中，任何A
n
、B
n
、R
n
、X
n
等总是指相同的部分。
[0028]在本说明书中，当没有另外提供定义时，“部分氟化的”是指仅部分氢原子被氟原子代替的C1至C8烷基基团。
[0029]在本说明书中，当没有另外提供定义时，“全氟化的”是指所有氢原子都被氟原子代替的C1至C8烷基基团。
[0030]在本说明书中，当没有另外提供定义时，“被取代的”是指被氘、C1至C
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烷基和C1至C
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烷氧基取代的。
[0031]然而，在本说明书中，“被芳基取代的”是指被一个或多个芳基基团取代，所述基团本身可被一个或多个芳基和/或杂芳基基团取代。
[0032]相应地，在本说明书中，“被杂芳基取代的”是指被一个或多个杂芳基基团取代，所述基团本身可被一个或多个芳基和/或杂芳基基团取代。
[0033]在本说明书中，当没有另外提供定义时，“烷基基团”是指饱和脂族烃基基团。烷基基团可以是C1至C
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烷基基团。更具体地，烷基基团可以是C1至C
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烷基基团或C1至C6烷基基团。例如，C1至C4烷基基团在烷基链中包括1至4个碳，并且可以选自甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基和叔丁基。
[0034]烷基基团的具体实例可以是甲基基团、乙基基团、丙基基团、异丙基基团、丁基基团、异丁基基团、仲丁基基团、叔丁基基团、戊基基团、己基基团。
[0035]术语“环烷基”是指通过从包含在相应环烷烃中的环原子中形式上分离出一个氢原子而衍生自环烷烃的饱和烃基基团。环烷基基团的实例可以是环丙基基团、环丁基基团、环戊基基团、环己基基团、甲基环己基基团、金刚烷基基团等。
[0036]术语“杂”被理解为在可以由共价结合的碳原子形成的结构中的至少一个碳原子被另一多价原子代替的方式。优选地，杂原子选自B、Si、N、P、O、S；更优选地选自N、P、O、S。
[0037]在本说明书中，“芳基基团”是指可以通过从相应芳族烃的芳族环中形式上分离出一个氢原子而产生的烃基基团。芳族烃是指含有至少一个芳族环或芳族环系的烃。芳族环或芳族环系是指共价结合的碳原子的平面环或环系，其中该平面环或环系包含满足H
ü
ckel规则的离域电子的共轭体系。芳基基团的实例包括：单环基团如苯基或甲苯基，包含更多通过单键连接的芳族环的多环基团如联苯基，以及包含稠环的多环基团，如萘基或芴
‑
2基。
[0038]类似地，杂芳基尤其是适合理解为通过从包含至少一个杂环芳族环的化合物中的杂环芳族环中形式上分离出一个环氢衍生而来的基团。
[0039]杂环烷基尤其是适合理解为通过从包含至少一个饱和环烷基环的化合物中的饱和环烷基环中形式上分离出一个环氢衍生而来的基团。
[0040]术语“稠合芳基环”或“缩合芳基环”被理解为当两个芳基环共有至少两个共同的sp2杂化碳原子时，它们被认为是稠合或缩合的。
[0041]在本说明书中，单键是指直接键。
[0042]术语“没有”、“不含有”、“不包含”不排除沉积前化合物中可存在的杂质。杂质对本专利技术实现的目的没有技术效果。
[0043]术语“接触夹入”是指三层布置，其中在中间层与两个相邻层本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种式(I)的化合物，其中A1选自式(II)X1选自CR1或N；X2选自CR2或N；X3选自CR3或N；X4选自CR4或N；X5选自CR5或N；R1和R5(如果存在)独立地选自CN、NO2、CF3、卤素、Cl、F、H或D；R2、R3和R4(如果存在)独立地选自CN、NO2、部分氟化或全氟化的C1至C8烷基、卤素、Cl、F、H或D；其中当R1、R2、R3、R4和R5中的任一个存在时，那么相应X1、X2、X3、X4和X5不是N；前提是
–
R2和R4中的至少一个存在并独立地选自H或D；
–
R1、R2、R3、R4或R5中的至少三个存在，并且R1、R2、R3、R4或R5中的至少一个不是H或D；A2和A3独立地选自式(III)其中Ar独立地选自被取代或未被取代的C6至C
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芳基和被取代或未被取代的C2至C
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杂芳基，其中Ar上的取代基独立地选自CN、NO2、部分或全氟化的C1至C6烷基、卤素、Cl、F、D；R'选自Ar、被取代或未被取代的C6至C
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芳基或C3至C
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杂芳基、部分氟化或全氟化的C1至C8烷基、卤素、F或CN；其中星号“*”表示结合位置；并且其中A1、A2和A3是以A1与A2或A3中的至少一个不同的方式选择的。2.根据权利要求1所述的化合物，所述化合物选自式(IV)，
其中B1选自式(V)，B3和B5是Ar以及B2、B4和B6是R'。3.根据权利要求1或2所述的化合物，其中所述化合物包括少于九个CN基团。4.根据权利要求1至3所述的化合物，其中R3存在并且R3选自CN、NO2...
【专利技术属性】
技术研发人员：马克斯，
申请(专利权)人：诺瓦尔德股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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