包含式(1)化合物的有机电子器件、包括有机电子器件的显示装置以及用于有机电子器件中的式(1)化合物制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种包括半导体层的有机电子器件，所述半导体层包含式(1)的化合物。所述半导体层包含式(1)的化合物。所述半导体层包含式(1)的化合物。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】包含式(1)化合物的有机电子器件、包括有机电子器件的显示装置以及用于有机电子器件中的式(1)化合物


[0001]本专利技术涉及包含式(1)的化合物的有机电子器件和包括所述有机电子器件的显示装置。本专利技术还涉及可以用于有机电子器件中的新型式(1)的化合物。

技术介绍

[0002]作为自发光器件的有机电子器件，例如有机发光二极管OLED，具有宽视角、优异的对比度、快速响应、高亮度、优异的工作电压特性和色彩再现性。典型的OLED包括依次层叠在基底上的阳极、空穴传输层HTL、发光层EML、电子传输层ETL和阴极。在这点上，HTL、EML和ETL是由有机化合物形成的薄膜。
[0003]当向阳极和阴极施加电压时，从阳极注入的空穴经由HTL移动到EML，并且从阴极注入的电子经由ETL移动到EML。空穴和电子在EML中重新组合产生激子。当激子从激发态下降到基态时发光。空穴和电子的注入和流动应当平衡，使得具有上述结构的OLED具有优异的效率和/或长寿命。
[0004]有机发光二极管的性能可受到半导体层的特性的影响，其中，可受到也包含在半导体层中的金属络合物的特性的影响。
[0005]在US2018331308中公开了一种有机电子组件。在一个实施方式中，有机电子组件包括至少一个具有下式的氟化磺酰亚胺金属盐的有机层：
[0006][0007]其中M是原子质量大于26g/mol的二价或更高价的金属或者原子质量大于或等于39g/mol的单价金属，其中1≤n≤7，并且其中R1、R2彼此独立地选自氟取代的芳基基团、氟取代的烷基基团和氟取代的芳基烷基基团。
[0008]US2018342692A1涉及一种有机电子组件，其包括阴极、阳极、布置在所述阳极与所述阴极之间的至少一个发光层、包含第一基质材料和掺杂剂的第一层、包含第二基质材料的第二层，其中所述第一层布置在所述第二层与所述阳极之间，其中所述第二层布置在所述阳极与所述至少一个发光层之间，其中所述掺杂剂是下式1的氟化磺酰亚胺金属盐：
[0009][0010]WO2017029370A1涉及通式Ia的金属酰胺及其作为有机发光二极管(OLED)的空穴注入层(HIL)的用途，以及制造包括含有通式Ia的金属酰胺的空穴注入层的有机发光二极
管(OLED)的方法。
[0011]WO2017029366A1涉及用于OLED的空穴注入层，其包含掺杂有电中性金属酰胺化合物的三芳基胺化合物，其特征在于所述空穴注入层具有至少约≥20nm至约≤1000nm的厚度并且所述电荷中性金属酰胺化合物具有式Ia。
[0012]WO2018150050A1涉及一种显示装置，其包括多个OLED像素，所述多个OLED像素包含至少两个OLED像素，所述OLED像素包括阳极、阴极和有机层叠层，其中所述有机层叠层布置在所述阴极与所述阳极之间并与其接触，并且包括第一电子传输层、第一空穴传输层和设置在所述第一空穴传输层与所述第一电子传输层之间的第一发光层，以及被配置为单独地驱动所述多个OLED像素中的像素的驱动电路，其中，对于所述多个OLED像素，所述第一空穴传输层设置在所述有机层叠层中作为多个OLED像素共享的公共空穴传输层，并且所述第一空穴传输层包含(i)至少一种由共价结合的原子组成的第一空穴传输基质化合物和(ii)至少一种选自金属盐和电中性金属络合物的p型电掺杂剂，所述电中性金属络合物包含金属阳离子和至少一种阴离子和/或至少一种由至少4个共价结合的原子组成的阴离子配体，其中所述p型电掺杂剂的金属阳离子选自碱金属；碱土金属、Pb、Mn、Fe、Co、Ni、Zn、Cd；氧化态(II)或(III)的稀土金属；Al、Ga、In；以及处于氧化态(IV)以下的Sn、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo和W，制备所述显示装置的方法和用于其中的化合物。
[0013]仍然需要改进有机半导体材料、半导体层以及其有机电子器件的性能，特别是通过改进其中包含的化合物的特性来实现改进的工作电压、改进的寿命和/或改进的工作电压随时间的稳定性。此外，需要提供具有改进的热性能的化合物。

技术实现思路

[0014]本专利技术的一个方面提供了一种有机电子器件，所述有机电子器件包括阳极、阴极、至少一个光活性层和至少一个半导体层，其中所述至少一个半导体层布置在所述阳极与所述至少一个光活性层之间；并且其中所述至少一个半导体层包含式(1)的化合物，
[0015][0016]其中
[0017]M是Na、K、Rb或Cs，
[0018]B1选自被取代或未被取代的异丙基、被取代或未被取代的C4至C
12
烷基、被取代或未被取代的C6至C
12
芳基、被取代或未被取代的C2至C
12
杂芳基，
[0019]B2选自被取代或未被取代的C1至C
12
烷基、被取代或未被取代的C6至C
12
芳基、被取代或未被取代的C3至C
12
杂芳基，
[0020]其中B1和B2上的取代基独立地选自D、C6芳基、C3至C9杂芳基、C1至C6烷基、C1至C6烷
氧基、C3至C6支链烷基、C3至C6环状烷基、C3至C6支链烷氧基、C3至C6环状烷氧基、部分或全氟化的C1至C
16
烷基、部分或全氟化的C1至C
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烷氧基、部分或全氘化的C1至C6烷基、部分或全氘化的C1至C6烷氧基、COR1、COOR1、卤素、F或CN；
[0021]其中R1选自C6芳基、C3至C9杂芳基、C1至C6烷基、C1至C6烷氧基、C3至C6支链烷基、C3至C6环状烷基、C3至C6支链烷氧基、C3至C6环状烷氧基、部分或全氟化的C1至C
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烷基、部分或全氟化的C1至C
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烷氧基、部分或全氘化的C1至C6烷基、部分或全氘化的C1至C6烷氧基；
[0022]其中B1和/或B2上的至少一个取代基选自C3至C9杂芳基、C1至C6烷氧基、C3至C6支链烷氧基、C3至C6环状烷氧基、部分或全氟化的C1至C
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烷基、部分或全氟化的C1至C
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烷氧基、部分或全氘化的C1至C6烷氧基、COR1、COOR1、卤素、F或CN。
[0023]式(1)的化合物中的负电荷可以在N(SO2)2基团上并且任选地也在B1和B2基团上部分或完全离域。
[0024]应当注意，除非另有说明，否则在整个申请和权利要求书中，任何B
n
、R
n
等始终是指相同的部分。
[0025]在本说明书中，当没有另外提供定义时，“部分氟化的”是指其中仅部分氢原子被氟原子代替的烷基基团或烷氧基基团。
[0026]在本说明书中，当没有另外提供定义时，“全氟化的”是指其中所有氢原子被氟原子代替的烷基基团或烷氧基基团。
[0027]在本说明书中，当没有另外提供定义时，“被取代的”是指被氘、C1至C
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种有机电子器件，所述有机电子器件包括阳极、阴极、至少一个光活性层和至少一个半导体层，其中所述至少一个半导体层布置在所述阳极与所述至少一个光活性层之间；并且其中所述至少一个半导体层包含式(1)的化合物：其中M是Na、K、Rb或Cs，B1选自被取代或未被取代的异丙基、被取代或未被取代的C4至C
12
烷基、被取代或未被取代的C6至C
12
芳基、被取代或未被取代的C2至C
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杂芳基，B2选自被取代或未被取代的C1至C
12
烷基、被取代或未被取代的C6至C
12
芳基、被取代或未被取代的C3至C
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杂芳基，其中B1和B2上的取代基独立地选自D、C6芳基、C3至C9杂芳基、C1至C6烷基、C1至C6烷氧基、C3至C6支链烷基、C3至C6环状烷基、C3至C6支链烷氧基、C3至C6环状烷氧基、部分或全氟化的C1至C
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烷基、部分或全氟化的C1至C
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烷氧基、部分或全氘化的C1至C6烷基、部分或全氘化的C1至C6烷氧基、COR1、COOR1、卤素、F或CN；其中R1选自C6芳基、C3至C9杂芳基、C1至C6烷基、C1至C6烷氧基、C3至C6支链烷基、C3至C6环状烷基、C3至C6支链烷氧基、C3至C6环状烷氧基、部分或全氟化的C1至C
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烷基、部分或全氟化的C1至C
16
烷氧基、部分或全氘化的C1至C6烷基、部分或全氘化的C1至C6烷氧基；其中B1和/或B2上的至少一个取代基选自C3至C9杂芳基、C1至C6烷氧基、C3至C6支链烷氧基、C3至C6环状烷氧基、部分或全氟化的C1至C
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烷基、部分或全氟化的C1至C
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烷氧基、部分或全氘化的C1至C6烷氧基、COR1、COOR1、卤素、F或CN。2.根据权利要求1所述的有机电子器件，其中B1和B2上的取代基独立地选自卤素，尤其优选F，全卤化的、尤其是全氟化的C1至C3烷基或烷氧基，或
–
(O)
l
‑
C
m
H
2m
‑
C
n
Hal
n2n+1
，其中l＝0或1，尤其是0，m＝1或2，尤其是1，并且n＝1至3，尤其是1或2，并且Hal＝卤素，尤其是F。3.根据权利要求1或2所述的有机电子器件，其中B1和B2中的至少一者是被取代的烷基，并且烷基部分的取代基是氟，其中数目n
F
(氟取代基的数目)和n
...

【专利技术属性】
技术研发人员：弗拉迪米尔，
申请(专利权)人：诺瓦尔德股份有限公司，
类型：发明
国别省市：