包含式(1)化合物的有机电子器件、包括有机电子器件的显示装置以及用于有机电子器件中的式(1)化合物制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种包括半导体层的有机电子器件，所述半导体层包含式(1)的化合物。所述半导体层包含式(1)的化合物。所述半导体层包含式(1)的化合物。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】包含式(1)化合物的有机电子器件、包括有机电子器件的显示装置以及用于有机电子器件中的式(1)化合物


[0001]本专利技术涉及包含式(1)的化合物的有机电子器件和包括所述有机电子器件的显示装置。本专利技术还涉及可以用于有机电子器件中的新型式(1)的化合物。

技术介绍

[0002]作为自发光器件的有机电子器件，例如有机发光二极管OLED，具有宽视角、优异的对比度、快速响应、高亮度、优异的工作电压特性和色彩再现性。典型的OLED包括依次层叠在基底上的阳极、空穴传输层HTL、发光层EML、电子传输层ETL和阴极。在这点上，HTL、EML和ETL是由有机化合物形成的薄膜。
[0003]当向阳极和阴极施加电压时，从阳极注入的空穴经由HTL移动到EML，并且从阴极注入的电子经由ETL移动到EML。空穴和电子在EML中重新组合产生激子。当激子从激发态下降到基态时发光。空穴和电子的注入和流动应当平衡，使得具有上述结构的OLED具有优异的效率和/或长寿命。
[0004]有机发光二极管的性能可受到半导体层的特性的影响，其中，可受到也包含在半导体层中本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种有机电子器件，所述有机电子器件包括阳极、阴极、至少一个光活性层和至少一个半导体层，其中所述至少一个半导体层布置在所述阳极与所述至少一个光活性层之间；并且其中所述至少一个半导体层包含式(1)的化合物：其中M是Na、K、Rb或Cs，B1选自被取代或未被取代的异丙基、被取代或未被取代的C4至C
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烷基、被取代或未被取代的C6至C
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芳基、被取代或未被取代的C2至C
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杂芳基，B2选自被取代或未被取代的C1至C
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烷基、被取代或未被取代的C6至C
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芳基、被取代或未被取代的C3至C
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杂芳基，其中B1和B2上的取代基独立地选自D、C6芳基、C3至C9杂芳基、C1至C6烷基、C1至C6烷氧基、C3至C6支链烷基、C3至C6环状烷基、C3至C6支链烷氧基、C3至C6环状烷氧基、部分或全氟化的C1至C
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烷基、部分或全氟化的C1至C
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烷氧基、部分或全氘化的C1至C6烷基、部分或全氘化的C1至C6烷氧基、COR1、COOR1、卤素、F或CN；其中R1选自C6芳基、C3至C9杂芳基、C1至C6烷基、C1至C6烷氧基、C3至C6支链烷基、C3至C6环状烷基、C3至C6支链烷氧基、C3至C6环状烷氧基、部分或全氟化的C1至C
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烷基、部分或全氟化的C1至C
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烷氧基、部分或全氘化的C1至C6烷基、部分或全氘化的C1至C6烷氧基；其中B1和/或B2上的至少一个取代基选自C3至C9杂芳基、C1至C6烷氧基、C3至C6支链烷氧基、C3至C6环状烷氧基、部分或全氟化的C1至C
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烷基、部分或全氟化的C1至C
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烷氧基、部分或全氘化的C1至C6烷氧基、COR1、COOR1、卤素、F或CN。2.根据权利要求1所述的有机电子器件，其中B1和B2上的取代基独立地选自卤素，尤其优选F，全卤化的、尤其是全氟化的C1至C3烷基或烷氧基，或
–
(O)
l
‑
C
m
H
2m
‑
C
n
Hal
n2n+1
，其中l＝0或1，尤其是0，m＝1或2，尤其是1，并且n＝1至3，尤其是1或2，并且Hal＝卤素，尤其是F。3.根据权利要求1或2所述的有机电子器件，其中B1和B2中的至少一者是被取代的烷基，并且烷基部分的取代基是氟，其中数目n
F
(氟取代基的数目)和n
...

【专利技术属性】
技术研发人员：弗拉迪米尔，
申请(专利权)人：诺瓦尔德股份有限公司，
类型：发明
国别省市：