本发明涉及一种半导体材料，其包含根据式(I)的化合物：其中R1、R2和R3独立地选自C1‑C30‑烷基、C3‑C30环烷基、C2‑C30‑杂烷基、C6‑C30‑芳基、C2‑C30‑杂芳基、C1‑C30‑烷氧基、C3‑C30‑环烷氧基、C...

本发明涉及包含作为n‑掺杂剂的至少一种金属元素和至少一种包含至少一个膦氧化物基团的电子传输基质化合物的电掺杂的半导体材料、所述电掺杂的半导体材料的制备方法和包含所述电掺杂的半导体材料的电子器件。

本发明涉及一种包含至少一个磷杂庚环(phosphepine)的化合物在半导体材料中作为基质材料的用途，所述半导体材料以及电子器件。所述磷杂庚环基质材料可以用锂复合物掺杂。

本发明涉及具有提高的电性质的半导体材料，其包含金属阳离子的至少一种盐或络合物和氮杂取代的(aza-substituted)氧化膦化合物，和涉及适合于该有机半导体材料的化合物和利用所述半导体材料的提高的电性质的电子器件。

本发明涉及一种有机电子器件，其包含第一电极，第二电极，以及在所述第一和所述第二电极之间的包含根据式(I)的化合物的基本上有机的层。

本公开内容涉及制造有机场效应晶体管的方法，所述方法包括如下步骤：在基底上设置栅电极(1)和分配给栅电极(1)的用于电绝缘的栅绝缘体(2)，在所述栅绝缘体(2)上沉积第一有机半导体层(3)，生成第一电极(4)和分配给第一电极(4)的用于电...

本公开涉及一种制造有机电子装置的方法，该方法包括提供分层装置结构，该分层装置结构包括多个电极和设置成与该多个电极中的至少一个电接触的电子活性区域，所述提供分层装置结构包括以下步骤：提供有机半导电层；将结构化层施加到有机半导电层，结构化层...

本发明涉及磷光有机发光二极管(OLED)，其包含空穴传输或空穴传输和电子阻挡层，该层包含N,N,N’,N’-四芳基-亚苯基-3,5-二胺或N,N,N’,N’-四芳基-1,1’-联苯-3,3’-二胺基质化合物；和涉及在磷光OLED中用作空...

本发明涉及电荷传输半导体材料，其包含：a)任选地至少一种电掺杂剂，和b)至少一种包含1,2,3-三唑交联单元的交联的电荷传输聚合物，涉及其制备方法，和涉及包含所述电荷传输半导体材料的半导体器件。

公开一种制造有机场效应晶体管的方法，所述方法包括以下步骤：在基底上设置栅电极(1)和分配给所述栅电极(1)以电绝缘的栅极绝缘层(2)，在所述栅极绝缘层(2)上沉积第一有机半导体层(3)，在所述第一有机半导体层(3)上产生第一电极(4)和...

本发明涉及根据式1的化合物在电子器件中所包含的电子传输层或电子注入层中的用途，其中R1、R2、R1′、R2′中的每个独立地选自H、C1-C6烷基、C1-C6卤代烷基和C6-C10芳基，或者在氧杂蒽骨架的同一芳族环上的两个取代基是彼此连接...

本发明涉及式(I)的芳族胺-三联苯化合物及其在有机半导体组件中的用途。

本发明涉及有机场效应晶体管，所述有机场效应晶体管包括：第一电极(1)和第二电极(2)，所述电极提供源电极和漏电极，与第一和第二电极(1，2)电接触的本征有机半导体层(3)，栅电极(6)，在栅电极(6)和本征有机半导体层(3)之间设置的栅...

显示器，其包含至少一个有机发光二极管，其中所述至少一个有机发光二极管包含阳极、阴极、在所述阳极和所述阴极之间的发光层和在所述阴极与所述发光层之间的至少一个包含式(I)化合物的层：其中A1和A2独立地选自卤素，CN，取代或未取代的C1至C...

本发明涉及有机电子器件，其包括第一电极、第二电极和在所述第一电极和所述第二电极之间的包含式(I)化合物的基本上有机的层：其中A1为C6-C20亚芳基，且A2～A3各自独立地选自C6-C20芳基，其中所述芳基或亚芳基可以未被取代或被包含C...

本发明涉及有机电子器件，该有机电子器件包括第一电极、第二电极和在所述第一电极和所述第二电极之间的包含式(I)化合物的实质上有机的层：其中M是金属离子，A1至A4中的每个独立地选自H、取代或未取代的C6至C20芳基和取代或未取代的C2至C...

本发明用于掺杂有机半导体基质材料的金属络合物。具体地，本发明涉及金属络合物作为掺杂物用于掺杂有机半导体基质材料中的用途，以改变后者的电气特性，及构成基质的ｎ－掺杂物的化合物。为了提供甚至具有低还原电位基质材料的ｎ－掺杂有机半导体，同时实...

本发明涉及一种用于有源矩阵显示器的象素，包括有机发光二极管（ＯＬＥＤ）（１９－２３）和驱动器电路，驱动器电路具有驱动发光二极管（１９－２３）的驱动器晶体管和具有电容器，驱动器晶体管的载流路径与发光二极管（１９－２３）串连连接且至少间接连...

本发明涉及有机基体材料在生产有机半导体材料中的应用，其特征在于所述有机基体材料至少部分的螺二芴化合物，并且有机基体材料的玻璃态转化温度为至少１２０℃并且基体材料的最高占据分子轨道（ＨＯＭＯ）位于５．４ｅＶ的最高能量级；本发明还涉及有机半...

本发明涉及金属络合物作为掺杂物用于掺杂有机半导体基质材料中的用途，以改变后者的电气特性，及构成基质的ｎ－掺杂物的化合物。为了提供甚至具有低还原电位基质材料的ｎ－掺杂有机半导体，同时实现高电导率，提出使用具有中心原子，优选价电子数至少为１...