【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】作为用于电子器件中的半导体材料的4
‑
(2,4
‑
二氧代戊
‑3‑
基)
‑
2,3,5,6
‑
四氟苯甲腈和类似配体的金属络合物
[0001]本专利技术涉及一种式(I)的化合物、包含至少一种式(I)的化合物的半导体材料、包含至少一种式(I)的化合物的半导体层以及包含至少一种式(I)的化合物的电子器件。
技术介绍
[0002]作为自发光器件的电子器件，例如有机发光二极管OLED，具有宽视角、优异的对比度、迅速的响应、高亮度、优异的工作电压特性和色彩再现。典型的OLED包括依次层叠在基底上的阳极层、空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、发光层EML、电子传输层ETL和阴极层。在这方面，HIL、HTL、EML和ETL是由有机化合物形成的薄膜。
[0003]当向阳极和阴极施加电压时，从阳极注入的空穴经由HIL和HTL移动到EML，而从阴极注入的电子经由ETL移动到EML。空穴和电子在EML中重新组合而产生激子。当激子从激发态下降至基态时发出光...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种由式I表示的化合物：其中M是金属；L是与金属M配位的电荷中性配体；n是选自1至4的整数，所述整数对应于M的氧化数；m是选自0至2的整数；R1、R2和R3独立地选自H、D、取代或未取代的C1至C
12
烷基、取代或未取代的C1至C
12
烷氧基、取代或未取代的C6至C
24
芳基和取代或未取代的C2至C
24
杂芳基基团，其中至少一个取代基选自卤素、F、Cl、CN、取代或未取代的C1至C
12
烷基、部分或完全氟化的C1至C
12
烷基、取代或未取代的C1至C
12
烷氧基、部分或完全氟化的C1至C
12
烷氧基、取代或未取代的C6至C
18
芳基和取代或未取代的C2至C
18
杂芳基，其中所述取代或未取代的C1至C
12
烷基、取代或未取代的C1至C
12
烷氧基、取代或未取代的C6至C
18
芳基和取代或未取代的C2至C
18
杂芳基的取代基选自卤素、F、Cl、CN、C1至C6烷基、CF3、OCH3、OCF3；其中至少一个R1、R2和/或R3选自取代的C6至C
24
芳基基团，其中所述取代的C6至C
24
芳基基团的至少一个取代基选自CN或者部分或完全氟化的C1至C
12
烷基。2.根据权利要求1所述的化合物，其中所述金属M选自碱金属、碱土金属、过渡金属、稀土金属或第III至V族金属，优选所述金属M选自过渡金属或第III至V族金属；优选所述金属M选自Li(I)、Na(I)、K(I)、Cs(I)、Mg(II)、Ca(II)、Sr(II)、Ba(II)、Sc(III)、Y(III)、Ti(IV)、V(III
‑
V)、Cr(III
‑
VI)、Mn(II)、Mn(III)、Fe(II)、Fe(III)、Co(II)、Co(III)、Ni(II)、Cu(I)、Cu(II)、Zn(II)、Ag(I)、Au(I)、Au(III)、Al(III)、Ga(III)、In(III)、Sn(II)、Sn(IV)或Pb(II)；优选M选自Cu(II)、Fe(III)、Co(III)、Mn(III)、Ir(III)、Bi(III)、Al(III)；更优选M选自Fe(III)、Cu(II)和/或Al(III)。3.根据权利要求1或2所述的化合物，其中L选自H2O，C2至C
40
单齿醚或多齿醚和C2至C
40
硫醚，C2至C
40
胺，C2至C
40
膦，C2至C
20
烷基腈或C2至C
40
芳基腈，或根据式(II)的化合物；其中R6和R7独立地选自C1至C
20
烷基、C1至C
20
杂烷基、C6至C
20
芳基、具有5至20个成环原子的杂芳基、卤化或全卤化的C1至C
20
烷基、卤化或全卤化的C1至C
20
杂烷基、卤化或全卤化的C6至C
20
芳基、具有5至20个成环原子的卤化或全卤化的杂芳基，或至少一个R6和R7桥连并形成5至20元环，或两个R6和/或两个R7桥连并形成5至40元环或形成包含未取代的或C1至C
12
取代的菲
咯啉的5至40元环。4.根据权利要求1至3中的任一项所述的化合物，其中n是选自1、2和3的整数，所述整数对应于M的氧化数.5.根据权利要求1至4中的任一项所述的化合物，其中m是选自0或1的整数，优选0。6.根据权利要求1至5中的任一项所述的化合物，其中至少一个R1、R2或R3是选自取代的C6至C
24
芳基基团或取代的苯基基团的芳基基团，其中
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...
【专利技术属性】
技术研发人员：弗拉迪米尔，
申请(专利权)人：诺瓦尔德股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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