作为用于电子器件中的半导体材料的4-(2,4-二氧代戊-3-基)-2,3,5,6-四氟苯甲腈和类似配体的金属络合物制造技术

本发明专利技术涉及一种式(I)的化合物，其中M是金属；L是与金属M配位的电荷中性配体；n是选自1至4的整数，其对应于M的氧化数；m是选自0至2的整数；R1、R2和R3是取代基，其中至少一个R1、R2和/或R3选自取代的C6至C24芳基基团，其中所述取代的C6至C24芳基基团的至少一个取代基选自CN或者部分或完全氟化的Cl至C12烷基。本发明专利技术还涉及包含至少一种式(I)的化合物的半导体材料、包含至少一种式(I)的化合物的半导体层以及包含至少一种式(I)的化合物的电子器件。示例性的化合物是例如4

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】作为用于电子器件中的半导体材料的4
‑
(2,4
‑
二氧代戊
‑3‑
基)
‑
2,3,5,6
‑
四氟苯甲腈和类似配体的金属络合物


[0001]本专利技术涉及一种式(I)的化合物、包含至少一种式(I)的化合物的半导体材料、包含至少一种式(I)的化合物的半导体层以及包含至少一种式(I)的化合物的电子器件。

技术介绍

[0002]作为自发光器件的电子器件，例如有机发光二极管OLED，具有宽视角、优异的对比度、迅速的响应、高亮度、优异的工作电压特性和色彩再现。典型的OLED包括依次层叠在基底上的阳极层、空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、发光层EML、电子传输层ETL和阴极层。在这方面，HIL、HTL、EML和ETL是由有机化合物形成的薄膜。
[0003]当向阳极和阴极施加电压时，从阳极注入的空穴经由HIL和HTL移动到EML，而从阴极注入的电子经由ETL移动到EML。空穴和电子在EML中重新组合而产生激子。当激子从激发态下降至基态时发出光。空穴和电子的注入和流动应该是平衡的，使得具有上述结构的OLED具有低工作电压、优异的效率和/或长寿命。
[0004]有机发光二极管的性能可受到空穴注入层的特性的影响，其中，可受到空穴注入层中所含的空穴传输化合物和金属络合物的特性的影响。
[0005]US 2015200374 A涉及一种空穴注入层，该空穴注入层由二次平面单核过渡金属络合物如铜2+络合物组成，所述络合物例如嵌入在空穴传导基质中。
[0006]WO16188604 A1涉及一种组合物，包含至少一种空穴传输或/和一种空穴注入材料和至少一种作为p型掺杂剂的金属络合物。
[0007]有机发光二极管的性能可受到半导体层的特性的影响，并且其中可受到同样包含在半导体层中的金属络合物的特性的影响。
[0008]需要改善半导体材料、半导体层及其电子器件的性能，特别是通过改善包含在其中的化合物的特性来实现改善的工作电压随时间稳定性。
[0009]另外，仍然需要通过提供具有改善的性能的空穴注入层来改善电子器件的性能，特别是通过改善空穴注入层和电子器件的特性来实现工作电压的改善。
[0010]此外，仍然需要提供空穴注入层，该空穴注入层能够注入包含具有远离真空能级的HOMO能级化合物的相邻层中。
[0011]另一个目标是提供一种空穴注入层，该空穴注入层包含可在适合于大规模生产的条件下通过真空热蒸发而沉积的化合物。

技术实现思路

[0012]本专利技术的一个方面提供了一种由式I表示的化合物：
[0013]其中
[0014]M是金属；
[0015]L是与金属M配位的电荷中性配体；
[0016]n是选自1至4的整数，该整数对应于M的氧化数；
[0017]m是选自0至2的整数；
[0018]R1、R2和R3独立地选自H、D、取代或未取代的C1至C
12
烷基、取代或未取代的C1至C
12
烷氧基、取代或未取代的C6至C
24
芳基和取代或未取代的C2至C
24
杂芳基基团，其中
[0019]至少一个取代基选自卤素、F、Cl、CN、取代或未取代的C1至C
12
烷基、部分或完全氟化的C1至C
12
烷基、取代或未取代的C1至C
12
烷氧基、部分或完全氟化的C1至C
12
烷氧基、取代或未取代的C6至C
18
芳基和取代或未取代的C2至C
18
杂芳基，其中
[0020]所述取代或未取代的C1至C
12
烷基、取代或未取代的C1至C
12
烷氧基、取代或未取代的C6至C
18
芳基和取代或未取代的C2至C
18
杂芳基的取代基选自卤素、F、Cl、CN、C1至C6烷基、CF3、OCH3、OCF3；
[0021]其中
[0022]至少一个R1、R2和/或R3选自取代的C6至C
24
芳基基团，
[0023]其中所述取代的C6至C
24
芳基基团的至少一个取代基选自CN和部分或完全氟化的C1至C
12
烷基。
[0024]定义
[0025]应当注意，除非另有注释，否则在通篇申请和权利要求书中，任何R1、R2、R3、L和M始终是指相同的部分。
[0026]在本说明书中，当没有另外提供定义时，“取代”是指被选自以下的取代：卤素、F、Cl、CN、取代或未取代的C1至C
12
烷基、部分或完全氟化的C1至C
12
烷基、取代或未取代的C1至C
12
烷氧基、部分或完全氟化的C1至C
12
烷氧基、取代或未取代的C6至C
18
芳基和取代或未取代的C2至C
18
杂芳基，其中取代基选自卤素、F、Cl、CN、C1至C6烷基、CF3、OCH3、OCF3。
[0027]在本说明书中，“芳基基团”和“芳族环”是指可通过从相应芳族烃中的芳族环上形式上分离出一个氢原子而产生的烃基基团。芳族烃是指含有至少一个芳族环或芳族环系的烃。芳族环或芳族环系是指共价结合碳原子的平面环或环系，其中所述平面环或环系包括满足H
ü
ckel规则的离域电子的共轭体系。芳基基团的实例包括单环基团如苯基或甲苯基，包含多个通过单键连接的芳族环的多环基团，如联苯基，以及包含稠合环的多环基团，如萘基或芴基。
[0028]类似地，“杂芳基”和“杂芳族”，在适合的情况下尤其被理解为通过从包含至少一个杂环芳族环的化合物中这样的环上形式上分离出一个环氢而衍生的基团。
[0029]术语“非杂环”被理解为是指不包含杂原子作为环成员的环或环系。
[0030]术语“杂环”被理解为是指该杂环包含至少一个含有一个或多个杂原子的环。包含多于一个环的杂环是指所有环包含杂原子或至少一个环包含杂原子且至少一个环仅包含C原子且不含杂原子。C2杂芳基基团是指杂芳基环包含两个C原子并且其它原子是杂原子。杂
环烷基在合适的情况下尤其被理解为通过从包含至少一个饱和环烷基环的化合物中这样的环形式上分离出一个环氢而衍生的基团。
[0031]术语“芳基”是指不含杂原子的芳族基团，另外术语“杂芳基”是指包含至少一个杂原子的芳族基团。
[0032]术语具有至少9个C原子的“芳基”可包含至少一个稠合芳基环。术语具有至少9个原子的“杂芳基”可包含至少一个与杂芳基环稠合或与芳基环稠合的稠合杂芳基环。
[0033]术语“稠合芳基环”或“缩合芳基环”的理解方式是，当两个芳基环共有至少两个共同的sp2杂化碳原子时，它们被认为是稠合或缩合的。
[0034]术语“稠合环系”被理解为是指其中两本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种由式I表示的化合物：其中M是金属；L是与金属M配位的电荷中性配体；n是选自1至4的整数，所述整数对应于M的氧化数；m是选自0至2的整数；R1、R2和R3独立地选自H、D、取代或未取代的C1至C
12
烷基、取代或未取代的C1至C
12
烷氧基、取代或未取代的C6至C
24
芳基和取代或未取代的C2至C
24
杂芳基基团，其中至少一个取代基选自卤素、F、Cl、CN、取代或未取代的C1至C
12
烷基、部分或完全氟化的C1至C
12
烷基、取代或未取代的C1至C
12
烷氧基、部分或完全氟化的C1至C
12
烷氧基、取代或未取代的C6至C
18
芳基和取代或未取代的C2至C
18
杂芳基，其中所述取代或未取代的C1至C
12
烷基、取代或未取代的C1至C
12
烷氧基、取代或未取代的C6至C
18
芳基和取代或未取代的C2至C
18
杂芳基的取代基选自卤素、F、Cl、CN、C1至C6烷基、CF3、OCH3、OCF3；其中至少一个R1、R2和/或R3选自取代的C6至C
24
芳基基团，其中所述取代的C6至C
24
芳基基团的至少一个取代基选自CN或者部分或完全氟化的C1至C
12
烷基。2.根据权利要求1所述的化合物，其中所述金属M选自碱金属、碱土金属、过渡金属、稀土金属或第III至V族金属，优选所述金属M选自过渡金属或第III至V族金属；优选所述金属M选自Li(I)、Na(I)、K(I)、Cs(I)、Mg(II)、Ca(II)、Sr(II)、Ba(II)、Sc(III)、Y(III)、Ti(IV)、V(III
‑
V)、Cr(III
‑
VI)、Mn(II)、Mn(III)、Fe(II)、Fe(III)、Co(II)、Co(III)、Ni(II)、Cu(I)、Cu(II)、Zn(II)、Ag(I)、Au(I)、Au(III)、Al(III)、Ga(III)、In(III)、Sn(II)、Sn(IV)或Pb(II)；优选M选自Cu(II)、Fe(III)、Co(III)、Mn(III)、Ir(III)、Bi(III)、Al(III)；更优选M选自Fe(III)、Cu(II)和/或Al(III)。3.根据权利要求1或2所述的化合物，其中L选自H2O，C2至C
40
单齿醚或多齿醚和C2至C
40
硫醚，C2至C
40
胺，C2至C
40
膦，C2至C
20
烷基腈或C2至C
40
芳基腈，或根据式(II)的化合物；其中R6和R7独立地选自C1至C
20
烷基、C1至C
20
杂烷基、C6至C
20
芳基、具有5至20个成环原子的杂芳基、卤化或全卤化的C1至C
20
烷基、卤化或全卤化的C1至C
20
杂烷基、卤化或全卤化的C6至C
20
芳基、具有5至20个成环原子的卤化或全卤化的杂芳基，或至少一个R6和R7桥连并形成5至20元环，或两个R6和/或两个R7桥连并形成5至40元环或形成包含未取代的或C1至C
12
取代的菲
咯啉的5至40元环。4.根据权利要求1至3中的任一项所述的化合物，其中n是选自1、2和3的整数，所述整数对应于M的氧化数.5.根据权利要求1至4中的任一项所述的化合物，其中m是选自0或1的整数，优选0。6.根据权利要求1至5中的任一项所述的化合物，其中至少一个R1、R2或R3是选自取代的C6至C
24
芳基基团或取代的苯基基团的芳基基团，其中
‑
...

【专利技术属性】
技术研发人员：弗拉迪米尔，
申请(专利权)人：诺瓦尔德股份有限公司，
类型：发明
国别省市：