用于供应链保护的防篡改电路、后端生产线存储器和物理不可克隆功能制造技术

通过在集成电路上面部分的金属布线层之间放置固态存储器阵列来形成防篡改存储器(后端生产线)。金属层形成围绕存储器阵列的网格，以保护其免受皮秒成像电路分析、旁道攻击和电测量的去层级化。存储器单元及其测量电路之间的互连被设计成保护下方的每一层，即特定金属层中的互连金属部分不小于下一个下面层中的互连金属部分。测量电路被金属网覆盖。衬底、金属层和存储器阵列是单个单片结构一部分。适用于芯片标识协议的存储器阵列包含唯一标识防篡改集成电路的物理不可克隆功能标识符、对称加密密钥和释放密钥。加密密钥和释放密钥。加密密钥和释放密钥。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于供应链保护的防篡改电路、后端生产线存储器和物理不可克隆功能


[0001]本专利技术总体上涉及集成电路，更具体地说，涉及一种具有非易失性存储器的防篡改集成电路，该非易失性存储器用于包含诸如可信函数或加密密钥的秘密信息。

技术介绍

[0002]集成电路用于各种各样的电子应用，从简单的设备(诸如手表)到最复杂的计算机系统。微电子集成电路(IC)芯片通常可以被认为是形成在半导体衬底(例如硅)上的逻辑单元的集合，这些单元之间具有电互连。IC可能包括非常大量的单元，并且需要单元之间的复杂连接。单元是一组一个或多个电路元件，诸如晶体管、电容器、电阻器、电感器和其他基本电路元件，它们组合起来执行逻辑功能。单元类型包括例如核心单元、扫描单元、输入/输出(I/O)单元和存储器(存储)单元。IC的每个单元可以具有一个或多个引脚，每个引脚又可以通过导线连接到IC的一个或多个其他引脚。连接IC引脚的导线也形成在芯片的表面上。对于更复杂的设计，可以有许多不同的导电介质层(诸如多晶硅层和多个金属层(金属
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1、金属
‑/>2等))可用于布本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种集成电路，包括：具有形成操作电路的多个逻辑单元的衬底；位于所述衬底上方的多个金属布线层，其中多个金属布线层中的至少一些为所述操作电路提供布线，所述金属布线层包括位于第二金属布线层上方的第一金属布线层；以及位于所述第一金属布线层和所述第二金属布线层之间的固态非易失性存储器单元的存储器阵列，所述第一金属布线层和所述第二金属布线层具有一起形成至少部分包围所述存储器阵列的金属网的金属部分。2.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述金属网的间隔不大于1.3微米。3.根据权利要求1所述的集成电路，其中：所述衬底包括用于所述固态非易失性存储器单元的测量电路；所述固态非易失性存储器单元中给定的一个通过在多个金属布线层的互连金属部分的一个或多个垂直叠层连接到所述测量电路中的对应的一个；和特定金属布线层中的所述互连金属部分的给定的一个的覆盖区不小于所述特定金属布线层正下方的下一个下面金属布线层中的下一个金属部分的覆盖区。4.根据权利要求3所述的集成电路，其中，所述测量电路被所述金属网遮蔽，并且沿着存储器阵列的侧面提供附加金属布线层中的金属部分以屏蔽所述测量电路。5.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述存储器阵列是在后端生产线过程中制造的。6.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述衬底包括用于所述固态非易失性存储器单元的测量电路，每个测量电路具有差分读出放大器，差分读出放大器为存储器单元测量提供恒定电流，以防止对所述固态非易失性存储器单元的皮秒成像电路分析。7.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述衬底、所述多个金属布线层和所述存储器阵列是单个单片结构的一部分。8.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述固态非易失性存储器单元是电阻式随机存取存储器。9.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述存储器阵列包含唯一标识防篡改集成电路的物理不可克隆功能标识符。10.根据权利要求9所述的集成电路，其中，所述存储器阵列还包含加密密钥和释放密钥。11.一种防篡改集成电路，包括：具有形成操作电路的多个逻辑单元的衬底；位于所述衬底上方的多个金属布线层，其中多个金属布线层中的至少一些为所述操作电路提供布线，所述金属布线层包括直接位于第二金属布线层上方的第一金属布线层；以及在后端生产线过程中制造并位于所述第一金属布线层和所述第二金属布线层之间的固态非易失性存储器单元的存储器阵列，所述第一金属布线层和所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：JO，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：