用于电子光电器件的有机材料和包含所述有机材料的电子器件制造技术

本发明专利技术涉及有机材料和包含所述有机材料的电子器件，特别是电致发光器件，特别是有机发光二极管(OLED)，其中所述半导体材料包含双杂芳基取代的芳基或杂芳基，其进一步被取代的芳基部分取代。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于电子光电器件的有机材料和包含所述有机材料的电子器件
本专利技术涉及有机材料和包含所述有机材料的电子器件，特别涉及电致发光器件，特别涉及有机发光二极管(OLED)；本专利技术还涉及包括所述电子器件和/或电致发光器件的装置，特别涉及显示装置，特别涉及包括OLED的显示装置。
技术介绍
作为自发光器件的有机发光二极管(OLED)具有宽视角、优异的对比度、快速响应、高亮度、优异的驱动电压特性和色彩再现性。典型的OLED包括阳极、空穴传输层HTL、发光层EML、电子传输层ETL和阴极，它们依序层叠在基底上。就此而言，HTL、EML和ETL是由有机化合物形成的薄膜。当将电压施加到阳极和阴极时，从阳极注入的空穴经由HTL移动到EML，并且从阴极注入的电子经由ETL移动到EML。空穴和电子在EML中复合产生激子。当激子从激发态降到基态时，发出光。持续存在开发改进材料的需求，其目的是在高亮度/发光密度的同时使工作电压尽可能低，并且空穴和电子的注入和流动得到平衡，使得具有上述结构的OLED具有优异的效率和/或长寿命。用于实现低工作电压、高电流密度和发光密度效率的公认方法之一是电荷注入/电荷传输层中的p型和/或n型电掺杂，尤其是氧化还原掺杂，其生成具有高电荷载流子浓度的掺杂层。
技术实现思路
本专利技术的方面提供了一种用于电子器件的有机材料，特别是用于发光器件或电致发光器件的有机材料，所述器件包括发光层和至少两个电极，所述有机材料用于提高效率，例如外量子效率EQE，并用于实现低工作电压和长寿命，特别是在顶部和/或底部发光有机发光二极管(OLED)中更是如此。本专利技术的另一方面提供了一种电子器件，特别是包含有机材料的电致发光器件。本专利技术的又一方面提供了一种包括电致发光器件的显示装置。根据本专利技术的一个方面，提供了一种具有式(I)的用于电致发光器件的有机材料：(Het)2–Ar1–[L(Ar2)m(R1)n(R2)p]q(I)其中Het是芳基或杂芳基取代的或未取代的C2至C30杂芳基基团，其中Het不是咔唑基或三唑基，Ar1是C6至C30芳基基团或C2至C30杂芳基基团，其中Ar1不是三嗪，L是C6至C30取代或未取代的芳基基团，Ar2是取代的芳基或杂芳基或者R1取代的或未取代的C6至C42芳基基团或C2至C42杂芳基基团，R1是极性不带电的有机部分，R2选自芳基或杂芳基取代的乙烯基、-O-、-S-、-NR'-、烷亚基、芳亚基，m至p独立地为0至5的整数，q为1、2或3，其中当q>1时，则任何L部分可以彼此不同，并且两个合适的L部分可以与Ar1和R2形成大环；由此，当Het是三苯基取代的咪唑并且L是蒽基时，或者当Het是苯并咪唑时，则Ar1不是咔唑基。在本说明书中，当没有另外提供定义时，“取代的”是指被氘、C1至C12烷基和C1至C12烷氧基取代的。然而，在本说明书中，“芳基或杂芳基取代的”是指被一个或多个芳基和/或杂芳基和/或R1基团取代，所述基团本身可以被一个或多个芳基和/或杂芳基和/或R1基团取代。在本说明书中，当没有另外提供定义时，“烷基基团”是指饱和脂族烃基基团。烷基基团可以是C1至C12烷基基团。更具体地，烷基基团可以是C1至C10烷基基团或C1至C6烷基基团。例如，C1至C4烷基基团在烷基链中包括1至4个碳，并且可以选自甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基和叔丁基。烷基基团的具体实例可以是甲基基团、乙基基团、丙基基团、异丙基基团、丁基基团、异丁基基团、叔丁基基团、戊基基团、己基基团。术语“环烷基”是指通过从相应的环烷烃中包含的环原子在形式上提取一个氢原子而衍生自环烷烃的饱和烃基基团。环烷基基团的实例可以是环丙基基团、环丁基基团、环戊基基团、环己基基团、甲基环己基基团、金刚烷基基团等。术语“杂”应以如下方式理解：在可以由共价键合的碳原子形成的结构中，至少一个碳原子被另一个多价原子代替。优选地，杂原子选自B、Si、N、P、O、S；更优选地选自N、P、O、S。在本说明书中，“芳基基团”是指可以通过从相应的芳族烃中的芳环在形式上提取一个氢原子而产生的烃基基团。芳族烃是指含有至少一个芳环或芳环体系的烃。芳环或芳环体系是指共价结合的碳原子的平面环或环系，其中所述平面环或环系包含符合Hückel规则的离域电子的共轭体系。芳基基团的实例包括：单环基团，如苯基或甲苯基；包含更多通过单键连接的芳环的多环基团，如联苯基；和包含稠环的多环基团，如萘基或芴-2-基。类似地，杂芳基在合适时尤其应理解为在包含至少一个这种环的化合物中从杂环芳族环上在形式上提取一个环氢而衍生的基团。杂环烷基在合适时尤其应理解为在包含至少一个这种环的化合物中从饱和的环烷基环中在形式上提取一个环氢而衍生的基团。术语“稠合芳基环”应以如下方式理解：当两个芳基环共用至少两个常见的sp2杂化碳原子时，它们被认为是稠合的。在本说明书中，单键是指直接键。在本专利技术的上下文中，“不同”是指化合物不具有相同的化学结构。术语“无”、“不含”、“不包含”不排除在沉积之前可能存在于化合物中的杂质。杂质对于本专利技术实现的目的没有技术效果。术语“接触夹在”是指三层的布置，其中中间的层与两个相邻层直接接触。在本说明书中，空穴特性是指在施加电场时贡献电子以形成空穴的能力，并且根据最高占据分子轨道(HOMO)能级，由于导电特性，在阳极中形成的空穴可以容易地注入发光层并在发光层中传输。另外，电子特性是指在施加电场时接受电子的能力，并且根据最低未占分子轨道(LUMO)能级，由于导电特性，在阴极中形成的电子可以容易地注入发光层并在发光层中传输。有利效果出乎意料地发现，根据本专利技术的有机材料通过使器件在多个方面能够优于本领域已知的有机电致发光器件，特别是在电压和/或效率方面，而解决了本专利技术的潜在问题。这些参数对于高效率很重要，从而增加了移动装置(例如移动显示装置)的电池寿命。根据本专利技术的另一个实施方式，Ar1选自苯基、吡啶基、咔唑基和芴基。尤其优选的是Ar1选自G1至G5部分：其中L在用“◇”标记的位置经由单键连接至Ar1；并且两个Het1在用“*”标记的位置经由单键连接至Ar1。根据本专利技术的另一个实施方式，其中L选自苯基、萘基、蒽基和芴基。根据本专利技术的另一个实施方式，Het是包含含杂芳基的五元环的取代或未取代的双环芳基部分。根据本专利技术的另一个实施方式，Het是未取代的或苯基取代的六元杂芳基。根据本专利技术的另一个实施方式，Het是未取代的或单苯基取代的六元杂芳基。根据本专利技术的另一个实施方式，Het选自：其中X＝N或S并且R'是氢、苯基、萘基。根据本专利技术的另一个实施方式，Het-Rg-Het部分具有C2v-对称性，其中当Ar1是单环的或者两个Het部本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种具有结构(I)的用于电致发光器件的化合物：/n(Het)

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180228 EP 18159060.51.一种具有结构(I)的用于电致发光器件的化合物：
(Het)2–Ar1–[L(Ar2)m(R1)n(R2)p]q
(I)
其中
Het是芳基或杂芳基取代的或未取代的C2至C30杂芳基基团，其中Het不是咔唑基或三唑基，
Ar1是C6至C30芳基基团或C2至C30杂芳基基团，其中Ar1不是三嗪，
L是C6至C30取代或未取代的芳基基团，
Ar2是取代的芳基或杂芳基或者R1取代的或未取代的C6至C42芳基基团或C2至C42杂芳基基团，
R1是极性不带电的有机部分，
R2选自芳基或杂芳基取代的乙烯基、-O-、-S-、-NR'-、烷亚基、芳亚基，
m至p独立地为0至5的整数，
q为1、2或3，其中当q>1时，则任何L部分可以彼此不同，并且两个合适的L部分可以与Ar1和R2形成大环；
由此，当Het是三苯基取代的咪唑并且L是蒽基时，或者当Het是苯并咪唑时，则Ar1不是咔唑基。


2.根据权利要求1所述的化合物，其中Ar1选自苯基、吡啶基、咔唑基和芴基。


3.根据权利要求1或2所述的化合物，其中L选自苯基、萘基、蒽基和芴基。


4.根据权利要求1至3中的任一项所述的化合物，其中Het是取代或未取代的双环芳基部分，所述双环芳基部分包含含杂芳基的五元环。


5.根据权利要求1至3中的任一项所述的化合物，其中Het是未取代的或单苯基取代的六元杂芳基。


6.根据权利要求1至5中的任一项所述的化合物，其中...

【专利技术属性】
技术研发人员：本杰明·舒尔策，弗朗索瓦·卡尔迪纳利，黄强，
申请(专利权)人：诺瓦尔德股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE