有机电子器件、包含有机电子器件的显示和照明装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种有机电子器件、式(I)化合物以及包含所述有机电子器件的显示和照明装置，所述有机电子器件包含至少一个包含式(I)化合物的电子传输、电子注入或电子产生层，其中在“*”位置处不与‑(A)

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】有机电子器件、包含有机电子器件的显示和照明装置
本专利技术涉及一种有机电子器件、一种可被包含在所述有机电子器件中的化合物、包含所述化合物的有机半导体层以及包含所述有机电子器件的显示或照明装置。
技术介绍
作为自发光器件的有机发光二极管(OLED)具有宽视角、优良的对比度、快速响应、高亮度、优良的驱动电压特性和色彩再现性。典型的OLED包含阳极、空穴传输层(HTL)、发光层(EML)、电子传输层(ETL)和阴极，它们依次层叠在基底上。就这一点而言，HTL、EML和ETL是由有机化合物和/或有机金属化合物形成的薄膜。当向阳极和阴极施加电压时，从阳极注入的空穴通过HTL移动到EML，从阴极注入的电子通过ETL移动到EML。空穴和电子在EML中重组产生激子。当激子从激发态下降到基态时，发出光。空穴和电子的注入和流动应当平衡，以使得具有上述结构的OLED具有优良的效率。三嗪类和嘧啶类化合物被广泛用于有机电子应用，特别是作为电子传输材料。三嗪和嘧啶的衍生物通常显示出较低的玻璃化转变温度值(Tg)。低Tg化合物并不优选作为有机电子产品中的材料，因为低Tg对包含此类化合物的器件的耐久性和性能有不利影响。需要大的分子片段来为电子传输材料提供无定形特征并增加Tg。但是，大的分子片段会严重干扰电荷载流子迁移率，从而降低整体器件性能。因此，本专利技术的一个目的是提供克服现有技术的缺点的新颖的有机电子器件和用于其中的化合物，特别是提供适合于改善有机电子器件的性能，特别是OLED器件的cd/A效率的新颖的化合物，在所述化合物用于可能进一步包含添加剂的电子传输层时特别如此。
技术实现思路
上述目的通过一种有机电子器件来实现，所述有机电子器件在阳极和阴极之间包含至少一个选自电子传输层、电子注入层或电子产生层中的层，所述层包含式(I)化合物，其中在上式(I)中，在“*”位置处不与-(A)a-L部分连接的所有位置可以与氢或选自以下的取代基结合：氘、氟、RF、C1-C20直链烷基、C3-C20支链烷基、C1-C12直链氟化烷基、CN、RCN、C6-C20芳基、C2-C20杂芳基、(P＝O)R2；其中每个R独立地选自C1-C20直链烷基、C1-C20烷氧基、C1-C20硫代烷基、C3-C20支链烷基、C3-C20环状烷基、C3-C20支链烷氧基、C3-C20环状烷氧基、C3-C20支链硫代烷基、C3-C20环状硫代烷基、C6-C20芳基和C2-C20杂芳基；A选自取代或未取代的C6-C24芳基或取代或未取代的C2-C20杂芳基，其中在基团A被取代的情况下，相应的取代基独立地选自氘、氟、C1-C20直链烷基、C3-C20支链烷基、直链氟化C1-C12烷基、CN、C6-C20芳基、C2-C20杂芳基；L选自取代或未取代的C2-C42杂芳基，取代或未取代的C6-C24芳基，或选自的基团，其中，在L被取代的情况下，相应的取代基选自：氘、氟、C1-C20直链烷基、C3-C20支链烷基、C3-C20环状烷基、C1-C20直链烷氧基、C3-C20支链烷氧基、直链氟化C1-C12烷基、直链氟化C1-C12烷氧基、C3-C12支链氟化环状烷基、C3-C12氟化环状烷基、C3-C12氟化环状烷氧基、CN、RCN、C6-C20芳基、C2-C20杂芳基、OR、SR、(C＝O)R、(C＝O)NR2、SiR3、(S＝O)R、(S＝O)2R、(P＝O)R2；其中每个R独立地选自C1-C20直链烷基、C1-C20烷氧基、C1-C20硫代烷基、C3-C20支链烷基、C3-C20环状烷基、C3-C20支链烷氧基、C3-C20环状烷氧基、C3-C20支链硫代烷基、C3-C20环状硫代烷基、C6-C20芳基和C2-C20杂芳基；且“a”是0到2的整数。令人惊讶地，已经发现通过将式(I)化合物用作OLED器件中的电子传输材料，可以产生更好的OLED器件性能。式(I)化合物包含螺[苯并[de]蒽-7,9'-芴]结构单元。这一单元促进了电子传输材料的足够高的玻璃化转变温度和同时足够高的电荷载流子迁移率，以使得能够增强包含这种式(I)材料的有机电子器件的性能。在电子传输层中使用式(I)化合物作为纯材料或作为主体材料与添加剂(金属、盐、络合物)组合可以改善器件性能，特别是在寿命和耐久性方面。在本专利技术的电子器件中，A可以是未取代的。以这种方式，可以实现对式(I)化合物的电子结构的微调，以进一步改善其在有机电子器件的有机半导体层中、特别是在电子传输层中的可用性。在本专利技术的电子器件中，在L被取代的情况下，相应的取代基可以独立地选自苯基、萘基、吡啶基、联苯基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基和咔唑基。以这种方式，可以实现对式(I)化合物的电子结构的微调，以进一步改善其在有机电子器件的有机半导体层中、特别是在电子传输层中的可用性。在本专利技术的电子器件中，在L为C2-C42杂芳基的情况下，所述C2-C42杂芳基可以选自三嗪、嘧啶、苯并吖啶、二苯并吖啶、吡啶、联吡啶、苯并咪唑、菲咯啉、苯甲腈、菲啶、苯并唑、苯并噻唑、菲啶酮、萘并-苯并呋喃、二萘并呋喃、苯并-萘并-噻吩、二萘并噻吩。以这种方式，可以实现对式(I)化合物的电子结构的微调，以进一步改善其在有机电子器件的有机半导体层中、特别是在电子传输层中的可用性。在本专利技术的电子器件中，在L为C6-C24芳基的情况下，所述C6-C24芳基可以选自蒽、菲、荧蒽和联三苯叉。以这种方式，可以实现对式(I)化合物的电子结构的微调，以进一步改善其在有机电子器件的有机半导体层中、特别是在电子传输层中的可用性。在本专利技术的电子器件中，L可以选自：以这种方式，可以实现对式(I)化合物的电子结构的微调，以进一步改善其在有机电子器件的有机半导体层中、特别是在电子传输层中的可用性。在本专利技术的电子器件中，在L被取代的情况下，取代基可以独立地选自：以这种方式，可以实现对式(I)化合物的电子结构的微调，以进一步改善其在有机电子器件的有机半导体层中、特别是在电子传输层中的可用性。在本专利技术的有机电子器件中，所述包含式(I)化合物的层可以由至少一种式(I)化合物组成。这一实施方式特别适合于实现其中包含式(I)化合物的层是电荷注入层(相应地，电子注入层)的有机电子器件。或者，在本专利技术的电子器件中，包含式(I)化合物的层可以进一步包含金属、金属盐或有机金属络合物，或者碱金属添加剂或稀土金属添加剂，或者稀土金属或碱金属络合物或碱金属盐，或者Yb或LiQ或碱金属硼酸盐或碱金属酚盐，或者LiQ。这一实施方式适合于实现其中包含式(I)化合物的层是电子传输层的有机电子器件。本专利技术的有机电子器件可以进一步包含发光层，其中包含式(I)化合物的层被布置在发光层和阴极之间。在这种布置的情况下，关于改善有机电子器件的性能获得了特别良好的效果。在本专利技术的有机电子器件中，所述器件可以进一步包含电子传输层，并且包含式(I)化合物的层被布置在电子传输层和阴极之间。同样在这种布置的情况下，观察到器件性能特别明显的改本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种有机电子器件，所述有机电子器件在阳极和阴极之间包含至少一个选自电子传输层、电子注入层或电子产生层的层，所述层包含式(I)化合物：/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180228 EP 18159229.6;20180315 EP 18161974.31.一种有机电子器件，所述有机电子器件在阳极和阴极之间包含至少一个选自电子传输层、电子注入层或电子产生层的层，所述层包含式(I)化合物：



其中
在上式(I)中，在“*”位置处不与-(A)a-L部分连接的所有位置可以与氢或选自以下的取代基结合：氘、氟、RF、C1-C20直链烷基、C3-C20支链烷基、C1-C12直链氟化烷基、CN、RCN、C6-C20芳基、C2-C20杂芳基、(P＝O)R2；其中每个R独立地选自C1-C20直链烷基、C1-C20烷氧基、C1-C20硫代烷基、C3-C20支链烷基、C3-C20环状烷基、C3-C20支链烷氧基、C3-C20环状烷氧基、C3-C20支链硫代烷基、C3-C20环状硫代烷基、C6-C20芳基和C2-C20杂芳基；
A选自取代或未取代的C6-C24芳基或取代或未取代的C2-C20杂芳基，其中在基团A被取代的情况下，相应的取代基独立地选自氘、氟、C1-C20直链烷基、C3-C20支链烷基、直链氟化C1-C12烷基、CN、C6-C20芳基、C2-C20杂芳基；
L选自取代或未取代的C2-C42杂芳基，取代或未取代的C6-C24芳基，或选自的基团，其中，在L被取代的情况下，相应的取代基选自：氘、氟、C1-C20直链烷基、C3-C20支链烷基、C3-C20环状烷基、C1-C20直链烷氧基、C3-C20支链烷氧基、直链氟化C1-C12烷基、直链氟化C1-C12烷氧基、C3-C12支链氟化环状烷基、C3-C12氟化环状烷基、C3-C12氟化环状烷氧基、CN、RCN、C6-C20芳基、C2-C20杂芳基、OR、SR、(C＝O)R、(C＝O)NR2、SiR3、(S＝O)R、(S＝O)2R、(P＝O)R2；其中每个R独立地选自C1-C20直链烷基、C1-C20烷氧基、C1-C20硫代烷基、C3-C20支链烷基、C3-C20环状烷基、C3-C20支链烷氧基、C3-C20环状烷氧基、C3-C20支链硫代烷基、C3-C20环状硫代烷基、C6-C20芳基和C2-C20杂芳基；且
“a”是0到2的整数。


2.根据权利要求1所述的有机电子器件，其中A是未取代的。


3.根据权利要求1或2所述的有机电子器件，其中，在L被取代的情况下，相应的取代基独立地选自苯基、萘基、吡啶基、联苯基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基和咔唑基。


4.根据前述权利要求中的任一项所述的有机电子器件，其中在L为C2-C42杂芳基的情况下，所述C2-C42杂芳基选自三嗪、嘧啶、苯并吖啶、二苯并吖啶、吡啶、联吡啶、苯并咪唑、菲咯啉、苯甲腈、菲啶、苯并唑、苯并噻唑、菲啶酮、萘并-苯并呋喃、二萘并呋喃、苯并-萘并-噻吩、二萘并噻吩。


5.根据前述权利要求中的任一项所述的有机电子器件，其中在L为C6-C24芳基的情况下，所述C6-C24芳基选自蒽、菲、芘、荧蒽和联三苯叉。


6.根据前述权利要求中的任一项所述的有机电子器件，其中在L被取代的情况下，所述取代基独立地选自：





7.根据前述权利要求中的任一项所述的有机电子器件，其中所述包含式(I)化合物的层由至少一种式(I)化合物组成。


8.根据权利要求1至6中的任一项所述的有机电子器件，其中所述包含式(I)化合物的层进一步包含金属、金属盐或有机金属络合物。


9.根据前述权利要求中的任一项所述的有机电子器件，所述有机电子器件进一步包含发光层，其中所述包含式(I)化合物的层被...

【专利技术属性】
技术研发人员：利迪亚·马林，伊莱纳·加兰，
申请(专利权)人：诺瓦尔德股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE