有源OLED显示器、制备有源OLED显示器的方法和化合物技术

本发明专利技术涉及一种有源OLED显示器、制备有源OLED显示器的方法和化合物。具体地，本发明专利技术涉及一种显示器件，所述显示器件包含：

【技术实现步骤摘要】
有源OLED显示器、制备有源OLED显示器的方法和化合物
[0001]本申请是申请日为2018年2月20日，申请号为201880013739.2，专利技术名称为“有源OLED显示器、制备有源OLED显示器的方法和化合物”的中国专利技术专利申请的分案申请。


[0002]本专利技术涉及一种有源OLED显示器、制备有源OLED显示器的方法和化合物。具体地，本公开涉及具有多个OLED像素并在由至少两个像素共用的空穴注入和/或空穴传输层中包含非氧化性p型掺杂剂的有源OLED显示器，制备所述有源OLED显示器的方法和特别适合于所述显示器的化合物。

技术介绍

[0003]对于包含共用共同空穴传输层的多个OLED像素的有源OLED显示器来说，对布置在阳极与发光层之间并由所述多个像素共用的层中使用的半导体材料设置了具有挑战性的要求。一方面，所述材料应该能够使各个像素在尽可能低的工作电压下各自驱动。另一方面，应该避免邻近像素之间的所谓的电串扰。在通过引用并入本文的申请WO2016/050834教导了这些矛盾的要求可以通过电导率在1
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技术实现思路

[0004]一个目的是提供改进的有源OLED显示器和能够实现这种改进的改进材料。一方面，所述有源OLED显示器的邻近像素之间的电串扰应该被降低。另一方面，所述改进的材料应该能够进行稳健的显示器制造，例如就在包括所述器件或其特定层在升高的温度下的处理的任何加工步骤期间改进的器件稳定性而言进行稳健的显示器制造。
[0005]所述目的通过一种显示器件得以实现，所述显示器件包含：
[0006]‑
含有至少两个OLED像素的多个OLED像素，所述OLED像素包含阳极、阴极和有机层叠层，其中所述有机层叠层
[0007]‑
布置在所述阴极与阳极之间并与所述阴极和阳极接触，并且
[0008]‑
包含第一电子传输层、第一空穴传输层和设置在所述第一空穴传输层与所述第一电子传输层之间的第一发光层，和
[0009]‑
驱动电路，其被配置成分别地驱动所述多个OLED像素的像素，
[0010]其中对于所述多个OLED像素来说，所述第一空穴传输层设置在所述有机层叠层中作为由所述多个OLED像素共用的共同空穴传输层，并且所述第一空穴传输层包含：
[0011](i)至少一种由共价结合的原子构成的第一空穴传输基质化合物，和
[0012](ii)至少一种p型电掺杂剂，所述p型电掺杂剂选自金属盐以及选自包含金属阳离
子和由至少4个共价结合的原子构成的至少一个阴离子配体和/或至少一个阴离子的电中性金属络合物，
[0013]其中所述p型电掺杂剂的金属阳离子选自：碱金属；碱土金属、Pb、Mn、Fe、Co、Ni、Zn、Cd；处于氧化态(II)或(III)的稀土金属；Al、Ga、In；和选自处于氧化态(IV)或更低氧化态的Sn、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo和W。
[0014]在一个实施方式中，所述阴离子和/或阴离子配体通过氧原子、优选地通过两个氧原子结合到所述p型掺杂剂的金属阳离子。
[0015]应该理解，术语“结合”涵盖了所述p型掺杂剂的结构，在所述结构中所述金属阳离子与一个或多个氧原子之间的距离短于所述金属阳离子与所述阴离子和/或阴离子配体的任何其它原子之间的距离。
[0016]例如，一些二价和/或三价金属的双(磺酰基)酰亚胺络合物的固态结构研究揭示，所述双(磺酰基)酰亚胺配体可能通过磺酰基的氧原子而不是通过事实上可能布置得比所述氧原子更远离中心金属原子的酰亚胺的氮原子附连到所述中心金属原子。
[0017]在一个实施方式中，所述阴离子和/或阴离子配体的在所述金属盐和/或金属络合物中结合到所述金属阳离子的氧原子，在二氯乙烷中具有比所述阴离子和/或阴离子配体的至少一个非氧原子更低的碱性。
[0018]类似地，在另一个实施方式中，所述阴离子和/或阴离子配体的在所述金属盐和/或金属络合物中结合到所述金属阳离子的每个氧原子，在二氯乙烷中具有比所述阴离子和/或阴离子配体的至少一个非氧原子更低的碱性。应该理解，所述阴离子和/或阴离子配体中的原子在环境例如在1,2
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二氯乙烷中的碱性，与通过添加一个或多个质子形成的电中性共轭酸的相应的互变异构体形式在相同环境中的酸性成反比。作为用于比较各种不同酸的通用工具的在1,2
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二氯乙烷中的酸性的测量，描述在Journal of Organic Chemistry(2011)，76(2)，第391
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395页中。应该理解，如果必须评估阴离子和/或阴离子配体中的特定原子的碱性，则所述电中性共轭酸的“相应的互变异构体形式”是通过向所述特定原子添加质子而形成的酸。
[0019]在一个实施方式中，所述阴离子和/或阴离子配体由至少5个、优选地至少6个、更优选地至少7个、甚至更优选地至少8个、最优选地至少9个共价结合的原子构成。
[0020]在一个实施方式中，所述阴离子和/或阴离子配体包含至少一个选自B、C、N的原子。
[0021]在一个实施方式中，所述阴离子和/或阴离子配体包含至少两个共价键彼此结合的选自B、C和N的原子。
[0022]在一个实施方式中，所述阴离子和/或阴离子配体包含至少一个选自H、N、O、F、Cl、Br和I的外围原子。“外围原子”应该被理解为共价结合到所述阴离子和/或阴离子配体的仅仅一个原子的原子。相反，共价结合到所述阴离子和/或阴离子配体的至少两个其它原子的原子归为内部原子。
[0023]共价键应该被理解为在两个所评估的原子之间存在电子密度共享的任何键合相互作用，其中所述键合比范德华色散相互作用更强；为简化起见，可以将10kJ/mol的结合能当作任意性的下限。在这个意义上，所述术语包括配位键或氢键。然而，包含氢键的阴离子和/或阴离子配体不是特别优选的。
[0024]在一个实施方式中，所述阴离子和/或阴离子配体包含至少一个吸电子基团，其选自卤代烷基、卤代(杂)芳基、卤代(杂)芳基烷基、卤代烷基磺酰基、卤代(杂)芳基磺酰基、卤代(杂)芳基烷基磺酰基、氰基。应该理解，为简便起见，卤代(杂)芳基意味着“卤代芳基或卤代杂芳基”，卤代(杂)芳基本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示器件，其包含：
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含有至少两个OLED像素的多个OLED像素，所述OLED像素包含阳极、阴极和有机层叠层，其中所述有机层叠层
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布置在所述阴极与阳极之间并与所述阴极和阳极接触，并且
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包含第一电子传输层、第一空穴传输层和设置在所述第一空穴传输层与所述第一电子传输层之间的第一发光层，和
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驱动电路，所述驱动电路被配置成分别地驱动所述多个OLED像素的像素，其中对于所述多个OLED像素来说，所述第一空穴传输层设置在所述有机层叠层中作为由所述多个OLED像素共用的共同空穴传输层，并且所述第一空穴传输层包含：(i)至少一种由共价结合的原子构成的第一空穴传输基质化合物，和(ii)至少一种p型电掺杂剂，所述p型电掺杂剂选自金属盐以及选自电中性金属络合物，所述电中性金属络合物包含金属阳离子和由至少4个共价结合的原子构成的至少一个阴离子配体和/或至少一个阴离子，其中所述p型电掺杂剂的金属阳离子选自碱金属；碱土金属、Pb、Mn、Fe、Co、Ni、Zn、Cd；处于氧化态(II)或(III)的稀土金属；Al、Ga、In；和选自处于氧化态(IV)或更低氧化态的Sn、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo和W；其中所述阴离子和/或所述阴离子配体由至少5个共价结合的原子构成。2.根据权利要求1所述的显示器件，其中所述阴离子和/或阴离子配体包含至少一个选自B、C、N的原子。3.根据权利要求1所述的显示器件，其中所述阴离子和/或阴离子配体包含至少两个通过共价键彼此结合的选自B、C和N的原子。4.根据权利要求1所述的显示器件，其中所述阴离子和/或阴离子配体包含至少一个选自H、N、O、F、Cl、Br和I的外围原子。5.根据权利要求1所述的显示器件，其中所述阴离子和/或阴离子配体包含至少一个吸电子基团，所述吸电子基团选自卤代烷基、卤代芳基、卤代杂芳基、卤代芳基烷基、卤代杂芳基烷基、卤代烷基磺酰基、卤代芳基磺酰基、卤代杂芳基磺酰基、卤代芳基烷基磺酰基、卤代杂芳基烷基磺酰基、氰基。6.根据权利要求5所述的显示器件，其中所述吸电子基团是全卤代基团。7.根据权利要求6所述的显示器件，其中全卤代的所述吸电子基团是全氟代基团。8.根据权利要求1所述的显示器件，其中所述p型掺杂剂的金属阳离子选自Li(I)、Na(I)、K(I)、Rb(I)、Cs(I)；Mg(II)、Ca(II)、Sr(II)、Ba(II)、Sn(II)、Pb(II)、Mn(II)、Fe(II)、Co(II)、Ni(II)、Zn(II)、Cd(II)、Al(III)；处于氧化态(III)的稀土金属、V(III)、Nb(III)、Ta(III)、Cr(III)、Mo(III)、W(III)、Ga(III)、In(III)，以及选自Ti(IV)、Zr(IV)、Hf(IV)、Sn(IV)。9.根据权利要求2所述的显示...

【专利技术属性】
技术研发人员：乌尔里希，
申请(专利权)人：诺瓦尔德股份有限公司，
类型：发明
国别省市：