包括包含发光层、空穴传输层和电子传输层的限定层布置的电致发光器件制造技术

本发明专利技术涉及一种包括包含发光层、空穴传输层和电子传输层的限定层布置的电致发光器件。具体地，本发明专利技术涉及一种电致发光器件，其包括：

【技术实现步骤摘要】
包括包含发光层、空穴传输层和电子传输层的限定层布置的电致发光器件
[0001]本申请是申请日为2018年1月30日，申请号为201880009172.1，专利技术名称为“包括包含发光层、空穴传输层和电子传输层的限定层布置的电致发光器件”的中国专利技术专利申请的分案申请。


[0002]本专利技术涉及一种包括包含发光层、空穴传输层和电子传输层的限定层布置的电致发光器件。具体地，本专利技术涉及一种电致发光器件，特别是涉及一种有机发光二极管(OLED)，其包括包含发光层、空穴传输层和电子传输层的限定层布置，其中所述层的组成完全相互匹配，以及涉及电致发光器件的显示装置。

技术介绍

[0003]作为自发光器件的有机发光二极管(OLED)具有宽视角，优异的对比度，快速响应，高亮度，优异的驱动电压特性和色彩再现。典型的OLED包括阳极、空穴传输层HTL、发光层EML、电子传输层ETL和阴极，它们依序层叠在基底上。在这方面，HTL、EML和ETL是由有机化合物形成的薄膜。
[0004]当电压施加到阳极和阴极时，从阳极注入的空穴经由HTL移动到EML，并且从阴极注入的电子经由ETL移动到EML。空穴和电子在EML中重新组合以产生激子。当激子从激发态下降到基态时，发光。在荧光OLED中，EML包含能够从短寿命单重激发态辐射跃迁的荧光发光体。荧光发光体主要用于发射蓝色或蓝绿色光的OLED中。
[0005]对于改进的OLED材料的开发存在持续的需求，其目的是在亮度/发光密度高的同时工作电压尽可能低，并且空穴和电子的注入和流动是平衡的，使得具有上述结构的OLED具有优异的效率和/或长寿命。
[0006]此外，在OLED发光层中用于荧光发光体的大量各种主体化合物以及用于电子传输层的大量各种电子传输基质在本领域中是已知的。然而，尚未特别注意到发光体主体的极性以及另外发光体主体的极性和与发光层相邻的电子传输层中的电子传输基质的极性之间的匹配是否可能对器件效率具有重要性的问题。
[0007]为了进一步提高电致发光器件性能、尤其是功率效率，本专利技术实施了包括发光层、空穴传输层和电子传输层的限定层布置的使用，其中所述层的组成完全相互匹配。

技术实现思路

[0008]本专利技术的各方面提供一种电致发光器件，其包括包含发光层、空穴传输层和电子传输层的限定层布置，其中所述发光层、所述空穴传输层和所述电子传输层的组成完全相互匹配，以提高效率，特别是功率效率，并且有利地还有外量子效率EQE、低工作电压和长寿命，特别是在顶部和/或底部发射有机发光二极管(OLED)中情况如此。
[0009]本专利技术的一个方面提供一种电致发光器件，其包括：
[0010]‑
至少一个阳极层，
[0011]‑
至少一个阴极层，
[0012]‑
至少一个发光层，
[0013]‑
至少一个第一空穴传输层，
[0014]‑
至少一个第一电子传输层；
[0015]其中为了提高功率效率，所述发光层、所述空穴传输层和所述电子传输层的组成相互匹配，其中
[0016]‑
所述至少一个发光层布置在所述阳极层与所述阴极层之间，其中所述至少一个发光层包含：
[0017]‑
包埋在至少一种极性发光体主体化合物中的至少一种荧光发光体化合物，其中
[0018]‑
所述至少一种极性发光体主体化合物具有至少三个芳环，所述芳环独立地选自碳环和杂环；
[0019]‑
所述至少一个第一空穴传输层布置在所述阳极层与所述发光层之间，其中所述至少一个第一空穴传输层包含：
[0020]‑
至少一种p型电掺杂剂，或
[0021]‑
至少一种p型电掺杂剂和至少一种第一空穴传输基质化合物；
[0022]‑
所述至少一个第一电子传输层布置在所述阴极层与所述发光层之间，其中所述第一电子传输层包含：
[0023]‑
至少一种氧化还原n型掺杂剂，和
[0024]‑
至少一种第一电子传输基质化合物。
[0025]本专利技术的另一方面提供一种电致发光器件，其包括：
[0026]‑
至少一个阳极层，
[0027]‑
至少一个阴极层，
[0028]‑
至少一个发光层，
[0029]‑
至少一个第一空穴传输层，
[0030]‑
至少一个第一电子传输层；
[0031]其中为了提高功率效率，所述发光层、所述空穴传输层和所述电子传输层的组成相互匹配，其中
[0032]‑
所述至少一个发光层布置在所述阳极层与所述阴极层之间，其中所述至少一个发光层包含：
[0033]‑
包埋在至少一种极性发光体主体化合物中的至少一种荧光发光体化合物，其中
[0034]‑
所述至少一种极性发光体主体化合物具有至少三个芳环并且具有在约≥0.2德拜至约≤2.0德拜范围内的气相偶极矩，所述芳环独立地选自碳环和杂环，对于通过使用具有高斯6
‑
31G*基组的杂化泛函B3LYP的程序包TURBOMOLE V6.5发现的最低能量构象异构体，使用在程序包TURBOMOLE V6.5中实施的具有高斯6
‑
31G*基组的杂化泛函B3LYP计算所述气相偶极矩；
[0035]‑
所述至少一个第一空穴传输层布置在所述阳极层与所述发光层之间，其中所述至少一个第一空穴传输层包含：
[0036]‑
至少一种p型电掺杂剂，或
[0037]‑
至少一种p型电掺杂剂和至少一种第一空穴传输基质化合物；
[0038]‑
所述至少一个第一电子传输层布置在所述阴极层与所述发光层之间，其中所述第一电子传输层包含：
[0039]‑
至少一种氧化还原n型掺杂剂，和
[0040]‑
至少一种第一电子传输基质化合物。
[0041]本专利技术的另一方面提供一种电致发光器件，其包括：
[0042]‑
至少一个阳极层，
[0043]‑
至少一个阴极层，
[0044]‑
至少一个发光层，
[0045]‑
至少一个第一空穴传输层，
[0046]‑
至少一个第一电子传输层；
[0047]其中为了提高功率效率，所述发光层、所述空穴传输层和所述电子传输层的组成相互匹配，其中
[0048]‑
所述发光层布置在所述阳极层与所述阴极层之间，其中所述发光层包含包埋在至少一种极性发光体主体化合物中的至少一种荧光发光体化合物；
[0049]‑
所述第一空穴传输层布置在所述阳极层与所述发光层之间，其中所述第一空穴传输层包含至少一种p型电掺杂剂和/或至少一种空穴传输基质化合物；
[0050]‑
所述第一电子传输层布置在所述阴极层与所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电致发光器件，所述电致发光器件包括：
‑
至少一个阳极层，
‑
至少一个阴极层，
‑
至少一个发光层，
‑
至少一个第一空穴传输层，
‑
至少一个第一电子传输层；其中为了提高功率效率，发光层、所述空穴传输层和所述电子传输层的组成相互匹配，其中
‑
所述至少一个发光层布置在所述阳极层与所述阴极层之间，其中所述至少一个发光层包含：
‑
包埋在至少一种极性发光体主体化合物中的至少一种荧光发光体化合物，其中
‑
所述至少一种极性发光体主体化合物具有至少三个芳环并且具有在≥0.2德拜至≤2.0德拜范围内的气相偶极矩，所述芳环独立地选自碳环和杂环，对于通过使用具有高斯6
‑
31G*基组的杂化泛函B3LYP的程序包TURBOMOLE V6.5发现的最低能量构象异构体，使用在程序包TURBOMOLE V6.5中实施的具有高斯6
‑
31G*基组的杂化泛函B3LYP计算所述气相偶极矩；
‑
所述至少一个第一空穴传输层布置在所述阳极层与所述发光层之间，其中所述至少一个第一空穴传输层包含：
‑
至少一种p型电掺杂剂，或
‑
至少一种p型电掺杂剂和至少一种第一空穴传输基质化合物；
‑
所述至少一个第一电子传输层布置在所述阴极层与所述发光层之间，其中所述第一电子传输层包含：
‑
至少一种氧化还原n型掺杂剂，和
‑
至少一种第一电子传输基质化合物，并且在所述电致发光器件的操作条件下，所述氧化还原n型掺杂剂不发光。2.根据权利要求1所述的电致发光器件，其中对于所述至少一个发光层：
‑
所述发光体主体化合物包含4、5、6、7、8、9、10、11或12个芳环，所述芳环独立地选自碳环和杂环；并且对于所述至少一个第一空穴传输层：
‑
所述p型电掺杂剂选自：a)有机化合物，其包含至少一个吸电子基团，所述吸电子基团选自：(i)全卤化烷基，(ii)羰基基团，(iii)磺酰基基团，(iv)腈基团，和(v)硝基基团；b)金属氧化物、金属盐和金属络合物；并且
‑
任选的至少一种第一空穴传输基质化合物选自包含至少6个离域电子的共轭体系的
共价化合物；对于所述至少一个第一电子传输层：
‑
所述氧化还原n型掺杂剂选自：a)元素金属；b)有机基团；c)过渡金属络合物，其中的过渡金属选自周期表的第3族、第4族、第5族、第6族、第7族、第8族、第9族或第10族并处于氧化态(
‑
I)、(0)、(I)或(II)；
‑
所述至少一种第一电子传输基质化合物选自包含至少6个离域电子的共轭体系的共价化合物。3.根据权利要求1所述的电致发光器件，其中
‑
所述发光体主体化合物具有在≥0.3德拜至≤1.8德拜范围内的气相偶极矩，对于通过使用具有高斯6
‑
31G*基组的杂化泛函B3LYP的程序包TURBOMOLE V6.5发现的最低能量构象异构体，使用在程序包TURBOMOLE V6.5中实施的具有高斯6
‑
31G*基组的杂化泛函B3LYP计算所述气相偶极矩；
‑
所述第一电子传输基质化合物包含至少一个氧化膦基团或至少一个菲咯啉基团。4.根据权利要求1至3中的任一项所述的电致发光器件，其中
‑
所述极性发光体主体化合物是由化学式1表示的蒽化合物：其中A1选自取代或未取代的C6‑
C
60
芳基或C6‑
C
60
杂芳基；A2选自取代或未取代的C1至C
10
烷基基团，取代或未取代的C6‑
C
60
芳基或C6‑
C
60
杂芳基；A3选自取代或未取代的C1至C
10
烷基基团，取代或未取代的C6‑
C
60
芳基或C6‑
C
60
杂芳基；A4选自取代或未取代的C6‑
C
60
芳基或C6‑
C
60
杂芳基；并且
‑
所述第一电子传输基质化合物具有化学式2：其中X选自O、S、Se；
R1和R2独立地选自C1至C
12
烷基、C6至C
20
芳基和C5至C
20<...

【专利技术属性】
技术研发人员：维金塔斯，
申请(专利权)人：诺瓦尔德股份有限公司，
类型：发明
国别省市：