包含式(1)化合物的有机电子器件、包括所述有机电子器件的显示装置以及用于有机电子器件中的式(1)化合物制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种有机电子器件，其包括半导体层，所述半导体层包含式(1)的化合物。所述半导体层包含式(1)的化合物。所述半导体层包含式(1)的化合物。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】包含式(1)化合物的有机电子器件、包括所述有机电子器件的显示装置以及用于有机电子器件中的式(1)化合物


[0001]本专利技术涉及包含式(1)的化合物的有机电子器件和包括所述有机电子器件的显示装置。本专利技术还涉及可用于有机电子器件中的式(1)的新型化合物。

技术介绍

[0002]作为自发光器件的有机电子器件，例如有机发光二极管OLED，具有宽视角、优异的对比度、快速响应、高亮度、优异的工作电压特性和色彩再现性。典型的OLED包括依次层叠在基底上的阳极、空穴传输层HTL、发光层EML、电子传输层ETL和阴极。在这点上，HTL、EML和ETL是由有机化合物形成的薄膜。
[0003]当向阳极和阴极施加电压时，从阳极注入的空穴经由HTL移动到EML，并且从阴极注入的电子经由ETL移动到EML。空穴和电子在EML中重新组合产生激子。当激子从激发态下降到基态时发光。空穴和电子的注入和流动应当平衡，使得具有上述结构的OLED具有优异的效率和/或长寿命。
[0004]有机发光二极管的性能可受到半导体层的特性的影响，其中，可受到也包含在半导体层中的金属络合物的特性的影响。
[0005]仍然需要改进有机半导体材料、半导体层以及其有机电子器件的性能，特别是通过改进其中包含的化合物的特性来实现改进的工作电压随时间的稳定性。
[0006]此外，需要提供具有改进的热性能的化合物。

技术实现思路

[0007]本专利技术的一个方面提供了一种有机电子器件，所述有机电子器件包括阳极、阴极、至少一个光活性层和至少一个半导体层，其中所述至少一个半导体层布置在所述阳极和所述至少一个光活性层之间；并且其中所述至少一个半导体层包含式(1)的化合物，
[0008][0009]其中
[0010]M是金属离子
[0011]x是M的化合价
[0012]B1选自被取代或未被取代的C1至C
16
烷基，
[0013]R1至R5独立地选自H、F、CN、卤素、被取代或未被取代的C1至C6烷基、被取代或未被取代的C6至C
12
芳基、被取代或未被取代的C3至C
12
杂芳基，
[0014]其中B1和/或R1至R5上的取代基选自D、C6芳基、C3至C9杂芳基、C1至C6烷基、C1至C6烷氧基、C3至C6支链烷基、C3至C6环状烷基、C3至C6支链烷氧基、C3至C6环状烷氧基、部分或全氟化的C1至C
16
烷基、部分或全氟化的C1至C
16
烷氧基、部分或全氘化的C1至C6烷基、部分或全氘化的C1至C6烷氧基、COR6、COOR6、卤素、F或CN；
[0015]并且其中R1至R5中的至少一者选自被取代或未被取代的C1至C6烷基或CN。
[0016]式(1)的化合物中的负电荷可以在N(SO2)2基团上并且任选地也可以在B1和被取代的苯基基团上部分或完全离域。
[0017]应当注意，除非另有说明，否则在整个申请和权利要求书中，任何B
n
、R
n
等总是指相同的部分。
[0018]在本说明书中，当没有另外提供定义时，“被取代的”是指被氘、C1至C
12
烷基和C1至C
12
烷氧基取代的。
[0019]然而，在本说明书中，“被芳基取代的”是指被一个或多个芳基基团取代，所述基团本身可以被一个或多个芳基和/或杂芳基基团取代。
[0020]相应地，在本说明书中，“被杂芳基取代的”是指被一个或多个杂芳基基团取代，所述基团本身可以被一个或多个芳基和/或杂芳基基团取代。
[0021]在本说明书中，当没有另外提供定义时，“烷基基团”是指饱和脂族烃基基团。所述烷基基团可以是C1至C
12
烷基基团。更具体地，所述烷基基团可以是C1至C
10
烷基基团或C1至C6烷基基团。例如，C1至C4烷基基团在烷基链中包括1至4个碳，并且可以选自甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基和叔丁基。
[0022]所述烷基基团的具体实例可以是甲基基团、乙基基团、丙基基团、异丙基基团、丁基基团、异丁基基团、叔丁基基团、戊基基团、己基基团。
[0023]术语“环烷基”是指通过从包含在相应环烷烃中的环原子中形式上分离出一个氢原子而衍生自环烷烃的饱和烃基基团。所述环烷基基团的实例可以是环丙基基团、环丁基基团、环戊基基团、环己基基团、甲基环己基基团、金刚烷基基团等。
[0024]术语“杂”被理解为在可以由共价结合的碳原子形成的结构中的至少一个碳原子被另一个多价原子代替。优选地，杂原子选自B、Si、N、P、O、S；更优选选自N、P、O、S。
[0025]在本说明书中，“芳基基团”是指可以通过从相应的芳族烃的芳族环中形式上分离出一个氢原子而产生的烃基基团。芳族烃是指含有至少一个芳族环或芳族环系的烃。芳族环或芳族环系是指共价结合的碳原子的平面环或环系，其中所述平面环或环系包含满足H
ü
ckel规则的离域电子的共轭体系。芳基基团的实例包括单环基团如苯基或甲苯基，包含更多通过单键连接的芳族环的多环基团如联苯基，和包含稠环的多环基团，如萘基或芴基。
[0026]类似地，在杂芳基下，尤其合适理解为通过从包含至少一个杂环芳族环的化合物中的这样的环上形式上分离出一个环氢而衍生的基团。
[0027]在杂环烷基下，尤其是在合适的情况下理解为通过从包含至少一个饱和环烷基环的化合物中的这样的环上形式上分离出一个环氢而衍生的基团。
[0028]术语“稠合芳基环”或“缩合芳基环”被理解为当两个芳基环共享至少两个共同的sp2杂化碳原子时，它们被认为是稠合或缩合的。
[0029]在本说明书中，单键是指直接键。
[0030]在本专利技术的上下文中，“不同”是指化合物不具有相同的化学结构。
[0031]术语“不含”、“不含有”、“不包含”不排除沉积前可存在于化合物中的杂质。杂质对本专利技术实现的目的没有技术影响。
[0032]术语“接触夹入”是指三个层的排列，其中中间层与两个相邻层直接接触。
[0033]术语“吸光层”和“光吸收层”作为同义词使用。
[0034]术语“发光层”、“光发射层”和“发射层”作为同义词使用。
[0035]术语“OLED”、“有机发光二极管”和“有机发光器件”作为同义词使用。
[0036]术语阳极和阳极电极作为同义词使用。
[0037]术语阴极和阴极电极作为同义词使用。
[0038]在本说明书中，空穴特性是指当施加电场时提供电子以形成空穴的能力，并且由于根据最高占据分子轨道(HOMO)能级的导电特性，在阳极中形成的空穴可以容易地注入发光层并在发光层中传输。
[0039]此外，电子特性是指当施加电场时接受电子的能力，并且由于根据最低未占分子轨道(LUMO)能级的导电特性，在阴极中形成的电子可以容易地注入发光层本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种有机电子器件，所述有机电子器件包括阳极、阴极、至少一个光活性层和至少一个半导体层，其中所述至少一个半导体层布置在所述阳极和所述至少一个光活性层之间；并且其中所述至少一个半导体层包含式(1)的化合物：其中M是金属离子x是M的化合价B1选自被取代或未被取代的C1至C
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烷基，R1至R5独立地选自H、F、CN、卤素、被取代或未被取代的C1至C6烷基、被取代或未被取代的C6至C
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芳基、被取代或未被取代的C3至C
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杂芳基，其中B1和/或R1至R5上的取代基选自D、C6芳基、C3至C9杂芳基、C1至C6烷基、C1至C6烷氧基、C3至C6支链烷基、C3至C6环状烷基、C3至C6支链烷氧基、C3至C6环状烷氧基、部分或全氟化的C1至C
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烷基、部分或全氟化的C1至C
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烷氧基、部分或全氘化的C1至C6烷基、部分或全氘化的C1至C6烷氧基、COR6、COOR6、卤素、F或CN；并且其中R1至R5中的至少一者选自被取代或未被取代的C1至C6烷基或CN。2.根据权利要求1所述的有机电子器件，其中B1或R1至R5上的取代基选自卤素，尤其优选F，C1至C3全卤化、尤其是全氟化的烷基或烷氧基，或
‑
(O)
l
‑
C
m
H
2m
‑
C
n
Hal
n2n+1
，其中l＝0或1，尤其是0，m＝1或2，尤其是1，并且n＝1至3，尤其是1或2，并且Hal＝卤素，尤其是F。3.根据权利要求1或2所述的有机电子器件，其中B1或R1至R5中的至少一者是被取代的烷基，并且烷基部分的取代基是氟，数目n
F
(氟取代基的数目)和n
H
(氢的数目)遵循关系式：n
F
>n
H
+2。4.根据权利要求1或3所述的有机电子器件，其中B1或R1至R5中的至少一者选自全氟化烷基。5.根据权利要求1或4所述的有机电子器件，其中R1至R5中的至少一者是三氟甲基。6.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：弗拉迪米尔，
申请(专利权)人：诺瓦尔德股份有限公司，
类型：发明
国别省市：