有机电子器件和包含该有机电子器件的显示装置及用于有机电子器件中的有机化合物制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种包含半导体层的有机电子器件，所述半导体层包含式(1)的化合物。所述半导体层包含式(1)的化合物。所述半导体层包含式(1)的化合物。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】有机电子器件和包含该有机电子器件的显示装置及用于有机电子器件中的有机化合物


[0001]本专利技术涉及一种有机电子器件，一种包含该有机电子器件的显示装置。本专利技术还涉及可用于有机电子器件中的新型化合物。

技术介绍

[0002]有机电子器件，例如有机发光二极管OLED是自发光器件，具有宽视角、优异的对比度、迅速的响应、高亮度、优异的工作电压特性和色彩再现。典型的OLED包括阳极、空穴传输层HTL、发光层EML、电子传输层ETL和阴极，它们依次层叠在基底上。在这方面，HTL、EML和ETL是由有机化合物形成的薄膜。
[0003]当向阳极和阴极施加电压时，从阳极电极注入的空穴经由HTL移动到EML，而从阴极电极注入的电子经由ETL移动到EML。空穴和电子在EML中重新组合而产生激子。当激子从激发态下降至基态时发光。空穴和电子的注入和流动应该是平衡的，使得具有上述结构的OLED具有优异的效率和/或长寿命。
[0004]有机发光二极管的性能可受到有机半导体层的特性的影响，并且可受到有机半导体层的有机材料的特性的影响。
[0005]特别地，需要开发一种能够改善电子传输、电子注入和电子产生性质的有机半导体层。从而可降低OLED的工作电压。较低的工作电压对于降低功耗和改善电池寿命是重要的，尤其是对移动装置而言更是情况如此。
[0006]另外，需要开发改善效率的有机电子器件。
[0007]提高效率对于降低功耗和延长电池寿命是重要的，例如对移动显示设备而言更是情况如此。
[0008]需要改善有机半导体材料、有机半导体层及其有机电子器件的性能，特别是通过改善其中包含的化合物的特性来实现降低的工作电压和提高的效率。

技术实现思路

[0009]本专利技术的一个方面提供了一种有机电子器件，所述有机电子器件包括阳极、阴极、至少一个光活性层和有机半导体层，其中所述有机半导体层布置在所述至少一个光活性层和所述阴极之间；并且其中所述有机半导体层包含式(1)的化合物：
[0010][0011]其中
[0012]R1至R5中的一个是键合至2
‑
氮杂吲嗪部分的3位(标记为“*”)的单键，
[0013]其它的R1至R5以及R6至R9独立地选自H、D、取代或未取代的C6至C
18
芳基、取代或未取代的C3至C
20
杂芳基、C1至C
16
烷基、C1至C
16
烷氧基、C3至C
16
支链烷基、C3至C
16
环烷基、C3至C
16
支链烷氧基、C3至C
16
环烷氧基、部分或全氟化的C1至C
16
烷基、部分或全氟化的C1至C
16
烷氧基、部分或全氘化的C1至C
16
烷基、部分或全氘化的C1至C
16
烷氧基、PX1(R
10
)2、F或CN，和/或其中任何两个相邻的R1至R9可适当地被取代并连接在一起以形成未取代的或被C6至C
18
芳基、C3至C
20
杂芳基或C1至C
16
烷基取代的芳族或杂芳族环；
[0014]L选自取代或未取代的C6至C
24
芳亚基基团或者取代或未取代的C2至C
24
杂芳亚基基团；
[0015]Ar选自取代或未取代的C6至C
32
芳基基团、取代或未取代的C3至C
32
杂芳基基团或者未取代或取代的C2至C6烯基基团；
[0016]其中L和Ar的取代基独立地选自：
[0017]H、D、C6至C
18
芳基、C3至C
20
杂芳基、C1至C
16
烷基、C1至C
16
烷氧基、C3至C
16
支链烷基、C3至C
16
环烷基、C3至C
16
支链烷氧基、C3至C
16
环烷氧基、部分或全氟化的C1至C
16
烷基、部分或全氟化的C1至C
16
烷氧基、部分或全氘化的C1至C
16
烷基、部分或全氘化的C1至C
16
烷氧基、F、CN或PX1(R
10
)2，其中所述取代基可通过单键或杂原子连接以形成环，
[0018]其中R
10
独立地选自C6至C
12
芳基、C3至C
12
杂芳基、C1至C
16
烷基、C1至C
16
烷氧基、部分或全氟化的C1至C
16
烷基、部分或全氟化的C1至C
16
烷氧基、部分或全氘化的C1至C
16
烷基、部分或全氘化的C1至C
16
烷氧基；
[0019]并且X1选自O、S或Se，优选O。
[0020]应该注意，在整个申请和权利要求中，任何R
n
、X
n
、Ar或L总是指相同的部分，除非另有说明。
[0021]在本说明书中，当没有另外提供定义时，“取代的”是指被氘、C1至C
12
烷基和C1至C
12
烷氧基取代。
[0022]然而，在本说明书中，“芳基取代的”是指被一个或多个芳基基团取代，而该芳基基团本身可被一个或多个芳基和/或杂芳基基团取代。
[0023]相应地，在本说明书中，“杂芳基取代的”是指被一个或多个杂芳基基团取代，而该杂芳基基团本身可被一个或多个芳基和/或杂芳基基团取代。
[0024]在本说明书中，当没有另外提供定义时，“烷基基团”是指饱和脂族烃基基团。所述烷基基团可以是C1至C
12
烷基基团。更具体地，所述烷基基团可以是C1至C
10
烷基基团或C1至C6烷基基团。例如，C1至C4烷基基团在烷基链中包含1至4个碳，并且可选自甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基和叔丁基。
[0025]所述烷基基团的具体实例可以是甲基基团、乙基基团、丙基基团、异丙基基团、丁基基团、异丁基基团、叔丁基基团、戊基基团、己基基团。
[0026]术语“环烷基”是指由环烷烃通过从包含在相应环烷烃中的环原子中形式上分离出一个氢原子所衍生的饱和烃基基团。所述环烷基基团的实例可以是环丙基基团、环丁基基团、环戊基基团、环己基基团、甲基环己基基团、金刚烷基基团等。
[0027]术语“杂”被理解为在可由共价结合的碳原子形成的结构中的至少一个碳原子被另一个多价原子代替。优选地，所述杂原子选自B、Si、N、P、O、S；更优选选自N、P、O、S。
[0028]在本说明书中，“芳基基团”是指可以通过从相应芳族烃的芳族环中形式上分离出一个氢原子而产生的烃基基团。芳族烃是指含有至少本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种有机电子器件，所述有机电子器件包括阳极、阴极、至少一个光活性层和有机半导体层，其中所述有机半导体层布置在所述至少一个光活性层和所述阴极之间；并且其中所述有机半导体层包含式(1)的化合物：其中R1至R5中的一个是键合至2
‑
氮杂吲嗪部分的3位(标记为“*”)的单键，其它的R1至R5以及R6至R9独立地选自H、D、取代或未取代的C6至C
18
芳基、取代或未取代的C3至C
20
杂芳基、C1至C
16
烷基、C1至C
16
烷氧基、C3至C
16
支链烷基、C3至C
16
环烷基、C3至C
16
支链烷氧基、C3至C
16
环烷氧基、部分或全氟化的C1至C
16
烷基、部分或全氟化的C1至C
16
烷氧基、部分或全氘化的C1至C
16
烷基、部分或全氘化的C1至C
16
烷氧基、PX1(R
10
)2、F或CN，和/或其中任何两个相邻的R1至R9可适当地被取代并连接在一起以形成未取代的或被C6至C
18
芳基、C3至C
20
杂芳基或C1至C
16
烷基取代的芳族或杂芳族环；L选自取代或未取代的C6至C
24
芳亚基基团或者取代或未取代的C2至C
24
杂芳亚基基团；Ar选自取代或未取代的C6至C
32
芳基基团、取代或未取代的C3至C
32
杂芳基基团或者未取代或取代的C2至C6烯基基团；其中L和Ar的取代基独立地选自：H、D、C6至C
18
芳基、C3至C
20
杂芳基、C1至C
16
烷基、C1至C
16
烷氧基、C3至C
16
支链烷基、C3至C
16
环烷基、C3至C
16
支链烷氧基、C3至C
16
环烷氧基、部分或全氟化的C1至C
16
烷基、部分或全氟化的C1至C
16
烷氧基、部分或全氘化的C1至C
16
烷基、部分或全氘化的C1至C
16
烷氧基、F、CN或PX1(R
10
)2，其中所述取代基可通过单键或杂原子连接以形成环，其中R
10
独立地选自C6至C
12
芳基、C3至C
12
杂芳基、C1至C
16
烷基、C1至C
16
烷氧基、部分或全氟化的C1至C
16
烷基、部分或全氟化的C1至C
16
烷氧基、部分或全氘化的C1至C
16
烷基、部分或全氘化的C1至C
16
烷氧基；并且X1选自O、S或Se，优选O。2.根据权利要求1所述的有机电子器件，其中不与所述2
‑
氮杂吲嗪部分的3位形成单键的所述其它的R1至R5和R6至R9的取代基独立地选自D，
‑
CH＝，C6至C
18
芳基，C3至C
20
杂芳基，C1至C
16
烷基，C1至C
16
烷氧基，C3至C
16
支链烷基，C3至C
16
环烷基，C3至C
16
支链烷氧基，C3至C
16
环烷氧基，部分或全氟化的C1至C
16
烷基，部分或全氟化的C1至C
16
...

【专利技术属性】
技术研发人员：卡特娅，
申请(专利权)人：诺瓦尔德股份有限公司，
类型：发明
国别省市：