电子传输层材料、QLED器件及其制备方法和显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提出了电子传输层材料及其制备方法、QLED器件及其制备方法和显示装置。电子传输层材料，包括：掺杂有掺杂元素的金属氧化物，其中，掺杂元素包括Li和F。通过在金属氧化物中进行锂元素和氟元素的掺杂，有效降低了电子传输层的电子迁移速率，使得发光层中的电子和空穴数量更趋于平衡，从而有利于提高QLED器件的发光效率。发光效率。发光效率。

【技术实现步骤摘要】
电子传输层材料、QLED器件及其制备方法和显示装置


[0001]本专利技术涉及显示领域，具体地，涉及电子传输层材料及其制备方法、QLED器件及其制备方法和显示装置。

技术介绍

[0002]量子点发光二极管(QLED)在新型显示
逐渐受到商业界的青睐，这是源于量子点具有发光的色纯度和稳定性好等相对优异的性能。在量子点发光二极管器件研究领域已经有大量的科研成果呈现，其中电荷在不同功能层的迁移率是QLED器件的一个重要的技术参数。相关技术中的QLED器件中的多采用金属氧化物纳米颗粒作为电子传输层的制作材料，而在器件中电子的注入和传输效率远大于空穴的注入和传输效率，从而导致器件中发光层的电子/空穴注入不平衡，进而限制器件效率的提升。
[0003]因此，目前的电子传输层材料及其制备方法、QLED器件及其制备方法和显示装置仍有待改进。

技术实现思路

[0004]在本专利技术的一个方面，本专利技术提出了一种电子传输层材料，包括：掺杂有掺杂元素的金属氧化物，其中，所述掺杂元素包括Li和F。由此，可以精确调控电子传输层的电子迁移率。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电子传输层材料，其特征在于，包括：掺杂有掺杂元素的金属氧化物，其中，所述掺杂元素包括Li和F。2.根据权利要求1所述的电子传输层材料，其特征在于，所述金属氧化物包括ZnO和NiO中的至少之一。3.根据权利要求1所述的电子传输层材料，其特征在于，所述金属氧化物中所述氟元素的质量分数为25
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40％，所述金属氧化物中所述锂元素的质量分数为1
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5％。4.一种制备权利要求1
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3任一项所述的电子传输层材料的方法，其特征在于，提供溶剂，将金属氧化物加入所述溶剂中以形成第一溶液，将锂源物质和氟源物质加入所述第一溶液中以形成第二溶液，对所述第二溶液进行混合处理以形成第三溶液。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述溶剂包括乙和异丙醇中的至少之一，所述锂源物质为乙酸锂二水合物，所述氟源物质为四甲基氢氧化铵五水合物。6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第二溶液中所述锂源物质的质量分数为1
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3％，所述第二溶液中所述氟源物质的质量分数为20
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40％。7.一种制备QLED器件的方法，其特征在于，包括：提供基板，所述基板上设置有阳极，所述阳极位于所述基板的一侧，在所述阳极远离所述基板的一侧形成空穴注入层，在所述空穴注入层远离所述阳极的一侧形成空穴传输层，在所述空穴传输层远离所述空穴注入层的一侧形成发光层，在所述发光层远离所述空穴传输层的一侧形成电子传输层，在所述电子传输层远离所述发光层的一侧形成阴极，其中，形成所述电子传输层的材料为通过权利要求4
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6任意一项所述的方法制备得到的电子传输层材料。8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，形成所述空穴注入层进一步包括：在所述阳极远离所述基板的一侧进行第一旋涂处理以形成预成型空穴注入层，对所述预成型空穴注入层进行第一退火处理以形成所述空穴注入层；优选地，所述第一旋涂处理的转速为3000
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4000rpm，所述第一旋涂处理的时间为45
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60s；优选地，所述第一退火处理的温度为140
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160℃，所述第一退火处理的时间为10
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20min。9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，形成所述空穴传输层进一步包括：在所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：管子豪，龙能文，鲍里斯，
申请(专利权)人：合肥福纳科技有限公司，
类型：发明
国别省市：