包含式(1)化合物的有机电子器件、包含该有机电子器件的显示器件以及用于有机电子器件的式(1)化合物制造技术

本发明专利技术涉及一种包含半导体层的有机电子器件，所述半导体层包含式(1)的化合物。所述半导体层包含式(1)的化合物。所述半导体层包含式(1)的化合物。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】包含式(1)化合物的有机电子器件、包含该有机电子器件的显示器件以及用于有机电子器件的式(1)化合物


[0001]本专利技术涉及一种包含式(1)的化合物的有机电子器件和包含该有机电子器件的显示器件。本专利技术还涉及可以用于有机电子器件的新的式(1)的化合物。

技术介绍

[0002]作为自发光器件的有机电子器件，例如有机发光二极管OLED，具有宽视角、优异的对比度、迅速的响应、高亮度、优异的工作电压特性、和色彩再现。典型的OLED包括阳极、空穴传输层HTL、发光层EML、电子传输层ETL和阴极，它们依次层叠在基底上。在这方面，HTL、EML和ETL是由有机化合物形成的薄膜。
[0003]当向阳极和阴极施加电压时，从阳极注入的空穴经由HTL移动到EML，而从阴极注入的电子经由ETL移动到EML。空穴和电子在EML中重新组合而产生激子。当激子从激发态降至基态时发光。空穴和电子的注入和流动应该是平衡的，使得具有上述结构的OLED具有优异的效率和/或长寿命。
[0004]有机发光二极管的性能可受到半导体层的特性的影响，并且在此当中，可受到也包含在半导体层中的金属络合物的特性的影响。
[0005]仍然需要改善有机半导体材料、半导体层及其有机电子器件的性能，特别是通过改善其中所包含的化合物的特性来实现改善的工作电压随时间的稳定性。
[0006]另外，需要提供具有改善的热性质的化合物。

技术实现思路

[0007]本专利技术的一个方面提供了一种有机电子器件，所述有机电子器件包括阳极、阴极、至少一个光活性层和至少一个半导体层，其中所述至少一个半导体层布置在阳极和所述至少一个光活性层之间；并且其中所述至少一个半导体层包含式(1)的化合物，
[0008][0009]其中
[0010]M是金属离子，
[0011]n是M的化合价，
[0012]B1选自取代或未取代的C3至C
12
烷基，
[0013]B2选自取代或未取代的C1至C
12
烷基、取代或未取代的C6至C
12
芳基、取代或未取代的C3至C
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杂芳基，
[0014]其中B1和B2上的取代基独立地选自D、C6芳基、C3至C9杂芳基、C1至C6烷基、C1至C6烷氧基、C3至C6支链烷基、C3至C6环状烷基、C3至C6支链烷氧基、C3至C6环状烷氧基、部分或全氟化的C1至C
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烷基、部分或全氟化的C1至C
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烷氧基、部分或全氘化的C1至C6烷基、部分或全氘化的C1至C6烷氧基、COR1、COOR1、卤素、F或CN；
[0015]其中R1选自C6芳基、C3至C9杂芳基、C1至C6烷基、C1至C6烷氧基、C3至C6支链烷基、C3至C6环状烷基、C3至C6支链烷氧基、C3至C6环状烷氧基、部分或全氟化的C1至C
16
烷基、部分或全氟化的C1至C
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烷氧基、部分或全氘化的C1至C6烷基、部分或全氘化的C1至C6烷氧基；
[0016]其中B1和/或B2上的至少一个取代基选自C3至C9杂芳基、C1至C6烷氧基、C3至C6支链烷氧基、C3至C6环状烷氧基、部分或全氟化的C1至C
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烷基、部分或全氟化的C1至C
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烷氧基、部分或全氘化的C1至C6烷氧基、COR1、COOR1、卤素、F或CN；
[0017]并且其中B1和B2不相同。
[0018]式(1)的化合物中的负电荷可部分或完全地在N(SO2)2基团上离域并且任选也在B1和B2基团上离域。
[0019]应该注意，在整个申请和权利要求中，任何B
n
、R
n
等始终是指相同的部分，除非另有注释。
[0020]在本说明书中，当没有另外提供定义时，“取代的”是指被氘、C1至C
12
烷基和C1至C
12
烷氧基取代的。
[0021]然而，在本说明书中，“芳基取代的”是指被一个或多个芳基基团取代，而该芳基基团本身可被一个或多个芳基和/或杂芳基基团取代。
[0022]相应地，在本说明书中，“杂芳基取代的”是指被一个或多个芳基基团取代，而该杂芳基基团本身可被一个或多个芳基和/或杂芳基基团取代。
[0023]在本说明书中，当没有另外提供定义时，“烷基基团”是指饱和脂族烃基基团。所述烷基基团可以是C1至C
12
烷基基团。更具体地，所述烷基基团可以是C1至C
10
烷基基团或C1至C6烷基基团。例如，C1至C4烷基基团在烷基链中包含1至4个碳，并且可选自甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基和叔丁基。
[0024]所述烷基基团的具体实例可以是甲基基团、乙基基团、丙基基团、异丙基基团、丁基基团、异丁基基团、叔丁基基团、戊基基团、己基基团。
[0025]术语“环烷基”是指由环烷烃通过从包含在相应环烷烃中的环原子中形式上分离出一个氢原子所衍生的饱和烃基基团。所述环烷基基团的实例可以是环丙基基团、环丁基基团、环戊基基团、环己基基团、甲基环己基基团、金刚烷基基团等。
[0026]术语“杂”被理解为在可由共价结合的碳原子形成的结构中，至少一个碳原子被其它多价原子代替。优选地，所述杂原子选自B、Si、N、P、O、S；更优选选自N、P、O、S。
[0027]在本说明书中，“芳基基团”是指可以通过从相应芳族烃的芳族环中形式上分离出一个氢原子而产生的烃基基团。芳族烃是指含有至少一个芳族环或芳族环系的烃。芳族环或芳族环系是指共价结合碳原子的平面环或环系，其中所述平面环或环系包括满足H
ü
ckel规则的离域电子的共轭体系。芳基基团的实例包括单环基团如苯基或甲苯基，包含多个通过单键连接的芳族环的多环基团，如联苯基，以及包含稠环的多环基团，如萘基或芴基。
[0028]类似地，杂芳基尤其适合理解为是通过从包含至少一个杂环芳族环的化合物中的杂环芳族环上形式上分离出一个环氢所衍生的基团。
[0029]杂环烷基尤其适合理解为是通过从包含至少一个饱和环烷基环的化合物中的饱和环烷基环上形式上分离出一个环氢所衍生的基团。
[0030]术语“稠合芳基环”或“缩合芳基环”被理解为当两个芳基环共有至少两个共同的sp2杂化碳原子时，它们被认为是稠合或缩合的。
[0031]在本说明书中，单键是指直接键。
[0032]在本专利技术的上下文中，“不同”是指化合物不具有相同的化学结构。
[0033]术语“没有”、“不含”、“不包含”不排除可能存在于沉积之前的化合物中的杂质。杂质对于本专利技术要实现的目的没有技术效果。
[0034]术语“接触夹入”是指三层布置，其中中间的层与两个相邻的层直接接触。
[0035]术语“光吸收层”和“吸光层”同义使用。
[0036]术语“发光层”、“光发射层”和“发射层”同义使用本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种有机电子器件，所述有机电子器件包括阳极、阴极、至少一个光活性层和至少一个半导体层，其中所述至少一个半导体层布置在所述阳极和所述至少一个光活性层之间；并且其中所述至少一个半导体层包含式(1)的化合物：其中M是金属离子，n是M的化合价，B1选自取代或未取代的C3至C
12
烷基，B2选自取代或未取代的C1至C
12
烷基、取代或未取代的C6至C
12
芳基、取代或未取代的C3至C
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杂芳基，其中B1和B2上的取代基独立地选自D、C6芳基、C3至C9杂芳基、C1至C6烷基、C1至C6烷氧基、C3至C6支链烷基、C3至C6环状烷基、C3至C6支链烷氧基、C3至C6环状烷氧基、部分或全氟化的C1至C
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烷基、部分或全氟化的C1至C
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烷氧基、部分或全氘化的C1至C6烷基、部分或全氘化的C1至C6烷氧基、COR1、COOR1、卤素、F或CN；其中R1选自C6芳基、C3至C9杂芳基、C1至C6烷基、C1至C6烷氧基、C3至C6支链烷基、C3至C6环状烷基、C3至C6支链烷氧基、C3至C6环状烷氧基、部分或全氟化的C1至C
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烷基、部分或全氟化的C1至C
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烷氧基、部分或全氘化的C1至C6烷基、部分或全氘化的C1至C6烷氧基；其中B1和/或B2上的至少一个取代基选自C3至C9杂芳基、C1至C6烷氧基、C3至C6支链烷氧基、C3至C6环状烷氧基、部分或全氟化的C1至C
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烷基、部分或全氟化的C1至C
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烷氧基、部分或全氘化的C1至C6烷氧基、COR1、COOR1、卤素、F或CN；并且其中B1和B2不相同。2.根据权利要求1所述的有机电子器件，其中B1和B2上的取代基独立地选自：卤素、尤其优选F，C1至C3全卤化的、尤其是全氟化的烷基或烷氧基，或
–
(O)
l
‑
C
m
H
2m
‑
C
n
Hal
n2n+1
，其中l＝0或1、尤其是0，m＝1或2、尤其是1，以及n＝1至3、尤其是1或2，并且Hal＝卤素、尤其是F。3.根据权利要求1或2所述的有机电子器件，其中B1和B2中的至少一个是取代的烷基并且所述烷基部分的取代基是氟，并且(氟取代基的)数量n
F
和(氢的)数量n
H
遵循以下方程式：n
F
>n
H
+2。4.根据权利要求1或3所述的有机电子器件，其中B1和B2中的至少一个选自全氟化的烷基。5.根据权利要求1或4所述的有机电子器件，其中B1和B2中的至少一个是取...

【专利技术属性】
技术研发人员：弗拉迪米尔，
申请(专利权)人：诺瓦尔德股份有限公司，
类型：发明
国别省市：