有机发光二极管以及包含所述有机发光二极管的器件制造技术

本发明专利技术涉及一种有机发光二极管，所述有机发光二极管包含基底，阳极，阴极，发光层，电子注入层，和电子传输层叠层结构；并且涉及包含该有机发光二极管的显示器件或照明器件。该有机发光二极管的显示器件或照明器件。该有机发光二极管的显示器件或照明器件。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】至C4烷基或卤素取代；
[0016]‑
A独立地选自C6至C
30
芳基，
[0017]‑
其中每个A可被一个或两个独立地选自下列中的取代基取代：C6至C
12
芳基，C1至C6烷基，D，C1至C6烷氧基，C3至C6支链烷基，C3至C6环状烷基，C3至C6支链烷氧基，C3至C6环状烷氧基，部分氟化或全氟化的C1至C6烷基，部分氟化或全氟化的C1至C6烷氧基，部分氘化或全氘化的C1至C6烷基，部分氘化或全氘化的C1至C6烷氧基，卤素，CN，或PY(R
10
)2；其中Y选自O，S或Se，优选O，并且R
10
独立地选自C6至C
12
芳基，C3至C
12
杂芳基，C1至C6烷基，C1至C6烷氧基，部分氟化或全氟化的C1至C6烷基，部分氟化或全氟化的C1至C6烷氧基，部分氘化或全氘化的C1至C6烷基，部分氘化或全氘化的C1至C6烷氧基；
[0018]‑
其中A上的每个C6至C
12
芳基取代基可被C1至C4烷基或卤素取代；
[0019]‑
X独立地选自C2至C
42
杂芳基和C6至C
60
芳基，
[0020]‑
其中每个X可被一个或两个独立地选自下列中的取代基取代：C6至C
12
芳基，C3至C
11
杂芳基，C1至C6烷基，D，C1至C6烷氧基，C3至C6支链烷基，C3至C6环状烷基，C3至C6支链烷氧基，C3至C6环状烷氧基，部分氟化或全氟化的C1至C6烷基，部分氟化或全氟化的C1至C6烷氧基，部分氘化或全氘化的C1至C6烷基，部分氘化或全氘化的C1至C6烷氧基，卤素，CN，或PY(R
10
)2；其中Y选自O，S或Se，优选O，并且R
10
独立地选自C6至C
12
芳基，C3至C
12
杂芳基，C1至C6烷基，C1至C6烷氧基，部分氟化或全氟化的C1至C6烷基，部分氟化或全氟化的C1至C6烷氧基，部分氘化或全氘化的C1至C6烷基，部分氘化或全氘化的C1至C6烷氧基；
[0021]‑
其中X上的每个C6至C
12
芳基取代基和X上的每个C3至C
11
杂芳基取代基可被C1至C4烷基或卤素取代；
[0022]‑
式(I)的化合物的分子偶极矩为≥0D且≤4D；
[0023]‑
所述第二电子传输层包含式(II)的化合物
[0024](Ar2)
m
‑
(Z
k
‑
G)
n
ꢀꢀꢀꢀꢀ
(II)；
[0025]‑
m和n独立地为1或2；
[0026]‑
k独立地为0，1或2；
[0027]‑
Ar2独立地选自C2至C
42
杂芳基和C6至C
60
芳基，
[0028]‑
其中每个Ar2可被一个或两个独立地选自下列中的取代基取代：C6至C
12
芳基，C3至C
11
杂芳基，C1至C6烷基，D，C1至C6烷氧基，C3至C6支链烷基，C3至C6环状烷基，C3至C6支链烷氧基，C3至C6环状烷氧基，部分氟化或全氟化的C1至C6烷基，部分氟化或全氟化的C1至C6烷氧基，部分氘化或全氘化的C1至C6烷基，部分氘化或全氘化的C1至C6烷氧基，卤素，CN，或PY(R
10
)2；其中Y选自O，S或Se，优选O，并且R
10
独立地选自C6至C
12
芳基，C3至C
12
杂芳基，C1至C6烷基，C1至C6烷氧基，部分氟化或全氟化的C1至C6烷基，部分氟化或全氟化的C1至C6烷氧基，部分氘化或全氘化的C1至C6烷基，部分氘化或全氘化的C1至C6烷氧基；
[0029]‑
其中Ar2上的每个C6至C
12
芳基取代基和Ar2上的每个C3至C
11
杂芳基取代基可被C1至C4烷基或卤素取代；
[0030]‑
Z独立地选自C6至C
30
芳基，
[0031]‑
其中每个Z可被一个或两个独立地选自下列中的取代基取代：C6至C
12
芳基，C1至C6烷基，D，C1至C6烷氧基，C3至C6支链烷基，C3至C6环状烷基，C3至C6支链烷氧基，C3至C6环状烷氧基，部分氟化或全氟化的C1至C6烷基，部分氟化或全氟化的C1至C6烷氧基，部分氘化或全
氘化的C1至C6烷基，部分氘化或全氘化的C1至C6烷氧基，卤素，CN，或PY(R
10
)2；其中Y选自O，S或Se，优选O，并且R
10
独立地选自C6至C
12
芳基，C3至C
12
杂芳基，C1至C6烷基，C1至C6烷氧基，部分氟化或全氟化的C1至C6烷基，部分氟化或全氟化的C1至C6烷氧基，部分氘化或全氘化的C1至C6烷基，部分氘化或全氘化的C1至C6烷氧基；
[0032]‑
其中Z上的每个C6至C
12
芳基取代基可被C1至C4烷基或卤素取代；
[0033]‑
选择G，使得化合物G
‑
苯基的偶极矩为≥1D且≤7D；并且
[0034]‑
所述第一电子传输层和所述第二电子传输层不含电掺杂剂；
[0035]其特征在于
[0036]‑
所述有机发光二极管还包含p型层；
[0037]‑
所述p型层布置在阳极和第一发光层之间；并且
[0038]‑
所述p型层包含轴烯化合物。
[0039]所述目的还通过包含本专利技术的有机发光二极管的器件来实现，其中所述器件是显示器件或照明器件。
[0040]技术效果
[0041]本专利技术人惊异地发现，根据本专利技术的单发光层或多发光层的顶部发光型有机发光二极管(OLED)显示出优于现有技术中已知的OLED的性能改善，特别是在稳定性改善和寿命改善方面。对于本文中公开的实施方式和实施方式的组合，这些改善更加明显。因此，本文中公开的一个或多个实施方式的任何组合是实现本专利技术的素材。
[0042]p型层
[0043]所述轴烯化合物可以是3
‑
轴烯化合物或4
‑
轴烯化合物，优选3
‑
轴烯化合物。
[0044]Radiesn([n]轴烯)是含有n个交叉共轭的环外双键的脂环族有机化合物。所述双键通常是烯烃基团，但带有羰基(C＝O)基团的双键也称为轴烯。示例性轴烯核心结构如下
[0045][0046]其中标记“n”是指环原子，相应地是环外双键的数目。
[0047]可以适合于本专利技术的器本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种有机发光二极管，所述有机发光二极管包含：基底、阳极、阴极、第一发光层、电子注入层、和第二电子传输层叠层结构，其中所述第二电子传输层叠层结构布置在所述第一发光层和所述电子注入层之间；其中
‑
所述第一电子传输层叠层结构和所述第二电子传输层叠层结构中的至少一个独立地包含第一电子传输层和第二电子传输层；
‑
所述第一电子传输层包含式(I)的化合物(Ar1‑
A
c
)
a
‑
X
b
ꢀꢀꢀꢀ
(I)；
‑
a和b独立地为1或2；
‑
c独立地为0或1；
‑
Ar1独立地选自C6至C
60
芳基或C2至C
42
杂芳基，
‑
其中每个Ar1可被一个或两个独立地选自下列中的取代基取代：C6至C
12
芳基，C3至C
11
杂芳基，C1至C6烷基，D，C1至C6烷氧基，C3至C6支链烷基，C3至C6环状烷基，C3至C6支链烷氧基，C3至C6环状烷氧基，部分氟化或全氟化的C1至C6烷基，部分氟化或全氟化的C1至C6烷氧基，部分氘化或全氘化的C1至C6烷基，部分氘化或全氘化的C1至C6烷氧基，卤素，CN，或PY(R
10
)2；其中Y选自O，S或Se，优选O，并且R
10
独立地选自C6至C
12
芳基，C3至C
12
杂芳基，C1至C6烷基，C1至C6烷氧基，部分氟化或全氟化的C1至C6烷基，部分氟化或全氟化的C1至C6烷氧基，部分氘化或全氘化的C1至C6烷基，部分氘化或全氘化的C1至C6烷氧基；
‑
其中Ar1上的每个C6至C
12
芳基取代基和Ar1上的每个C3至C
11
杂芳基取代基可被C1至C4烷基或卤素取代；
‑
A独立地选自C6至C
30
芳基，
‑
其中每个A可被一个或两个独立地选自下列中的取代基取代：C6至C
12
芳基，C1至C6烷基，D，C1至C6烷氧基，C3至C6支链烷基，C3至C6环状烷基，C3至C6支链烷氧基，C3至C6环状烷氧基，部分氟化或全氟化的C1至C6烷基，部分氟化或全氟化的C1至C6烷氧基，部分氘化或全氘化的C1至C6烷基，部分氘化或全氘化的C1至C6烷氧基，卤素，CN，或PY(R
10
)2；其中Y选自O，S或Se，优选O，并且R
10
独立地选自C6至C
12
芳基，C3至C
12
杂芳基，C1至C6烷基，C1至C6烷氧基，部分氟化或全氟化的C1至C6烷基，部分氟化或全氟化的C1至C6烷氧基，部分氘化或全氘化的C1至C6烷基，部分氘化或全氘化的C1至C6烷氧基；
‑
其中A上的每个C6至C
12
芳基取代基可被C1至C4烷基或卤素取代；
‑
X独立地选自C2至C
42
杂芳基和C6至C
60
芳基，
‑
其中每个X可被一个或两个独立地选自下列中的取代基取代：C6至C
12
芳基，C3至C
11
杂芳基，C1至C6烷基，D，C1至C6烷氧基，C3至C6支链烷基，C3至C6环状烷基，C3至C6支链烷氧基，C3至C6环状烷氧基，部分氟化或全氟化的C1至C6烷基，部分氟化或全氟化的C1至C6烷氧基，部分氘化或全氘化的C1至C6烷基，部分氘化或全氘化的C1至C6烷氧基，卤素，CN，或PY(R
10
)2；其中Y选自O，S或Se，优选O，并且R
10
独立地选自C6至C
12
芳基，C3至C
12
杂芳基，C1至C6烷基，C1至C6烷氧基，部分氟化或全氟化的C1至C6烷基，部分氟化或全氟化的C1至C6烷氧基，部分氘化或全氘化的C1至C6烷基，部分氘化或全氘化的C1至C6烷氧基；
‑
其中X上的每个C6至C
12
芳基取代基和X上的每个C3至C
11
杂芳基取代基可被C1至C4烷基或卤素取代；
‑
式(I)的化合物的分子偶极矩为≥0D且≤4D；
‑
所述第二电子传输层包含式(II)的化合物(Ar2)
m
‑
(Z
k
‑
G)
n
ꢀꢀꢀꢀ
(II)；
‑
m和n独立地为1或2；
‑
k独立地为0，1或2；
‑
Ar2独立地选自C2至C
42
杂芳基和C6至C
60
芳基，
‑
其中每个Ar2可被一个或两个独立地选自下列中的取代基取代：C6至C
12
芳基，C3至C
11
杂芳基，C1至C6烷基，D，C1至C6烷氧基，C3至C6支链烷基，C3至C6环状烷基，C3至C6支链烷氧基，C3至C6环状烷氧基，部分氟化或全氟化的C1至C6烷基，部分氟化或全氟化的C1至C6烷氧基，部分氘化或全氘化的C1至C6烷基，部分氘化或全氘化的C1至C6烷氧基，卤素，CN，或PY(R
10
)2；其中Y选自O，S或Se，优选O，并且R
10
独立地选自C6至C
12
芳基，C3至C
12
杂芳基，C1至C6烷基，C1至C6烷氧基，部分氟化或全氟化的C1至C6烷基，部分氟化或全氟化的C1至C6烷氧基，部分氘化或全氘化的C1至C6烷基，部分氘化或全氘化的C1至C6烷氧基；
‑
其中Ar2上的每个C6至C
12
芳基取代基和Ar2上的每个C3至C
11
杂芳基取代基可被C1至C4烷基或卤素取代；
‑
Z独立地选自C6至C
30
芳基，
‑
其中每个Z可被一个或两个独立地选自下列中的取代基取代：C6至C
12
芳基和C1至C6烷基，D，C...

【专利技术属性】
技术研发人员：马克斯，
申请(专利权)人：诺瓦尔德股份有限公司，
类型：发明
国别省市：