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卡尔蔡司SMT有限责任公司专利技术
卡尔蔡司SMT有限责任公司共有751项专利
用于追踪与识别光刻系统的部件的方法及光刻系统技术方案
本发明关于一种用于追踪与识别光刻系统,特别是用于半导体光刻的投射曝光装置(100,200,400)的部件(1)的方法。所述部件(1)中的每一个具有至少一个转发器(2)。该转发器(2)具有数据存储器(3),其上储存有关各部件(1)的数据。...
光学元件和光刻系统技术方案
本发明涉及用于反射辐射,特别用于反射EUV辐射(2)的光学元件(1),包括:基板(3),具有其上施加反射涂层(5)的表面(4),其中基板(3)中形成至少一个通道(6),其中冷却介质(7)优选地能够流过所述通道(6),并且其中基板(3)由...
用于安装光学系统的方法技术方案
本发明涉及用于安装特别是光刻设备(100A、100B)的光学系统(104)的方法,包括以下步骤:a)测量(S700、S702)光学系统(104)的部件K1
用于投射曝光设备的照明光学单元的多分面反射镜制造技术
一种用于投射印刷系统的照明光学单元的多分面反射镜具有多个可移位的单独分面(8
连接器装配件、系统和光刻设备技术方案
本发明涉及一种连接器布置(200),其包括:第一连接器元件(202);第二连接器元件(204),其能够与第一连接器元件(202)在插入方向(E)上插接在一起以便形成电连接;支撑元件(210),其支撑第一连接器元件(202);以及接受器(...
半导体光刻的投射曝光设备制造技术
本发明涉及一种用于半导体光刻的投射曝光设备(1),其包括光学校正元件(20)和用于通过电磁加热辐射(44.x)至少部分地辐照校正元件(20)的光学活性区域(22)的构件,其中光学校正元件(20)在光学活性区域(22)外部配备有至少一个电...
制造方法和测量方法技术
本发明涉及一种光学元件的制造方法,其中,光学元件(2、52、61)具有的主体(18)具有基板(19、53、64)和反射表面(20、54、62),并且其中,用于接收冷却剂(22)的至少一个冷却通道(21、45、46、47、56、57、58...
反射镜组件和包括其的光学组装件制造技术
本发明涉及反射镜组件(30),包括基板(31),该基板包括正面(31a)和背面(31b),正面(31a)具有用于反射辐射(5)的反射面(32a)并且背面(31b)背对正面(31a),以及在背面(31b)上存在用于产生反射面(32a)的变...
集成半导体样本中三维结构之间的接触区域尺寸确定制造技术
本发明揭露了一种用以确定在集成半导体样本中的第一3D结构与第二3D结构之间的接触区域的尺寸的方法,其包含以下步骤:获得至少第一横截面图像和平行于第一横截面图像的第二横截面图像,其中获得第一横截面图像和第二横截面图像包含随后使用聚焦离子束...
用于测量HAR结构的形状偏差的FIB-SEM3D断层成像术制造技术
本发明涉及一种用于在半导体晶片的检查体积中检查半导体特征的3D断层成像检查方法。获得3D断层成像图像并且选择多个2D横截面图像。识别HAR结构的轮廓并且提取偏差参数。偏差参数描述制造误差,诸如位移、半径或直径偏差、面积或形状。面积或形状...
用于表征光学元件表面形状的方法和装置制造方法及图纸
本发明涉及一种用于表征光学元件的表面形状的方法和装置。根据本发明的方法包括以下步骤:在干涉测量测试装置中,通过将由电磁辐射在衍射元件上的衍射生成的并且在光学元件处反射的测试波与未在光学元件处反射的参考波叠加,在光学元件上执行至少第一干涉...
测试干涉仪的衍射光学元件制造技术
本发明涉及一种用于测量光学表面(102)的形状的测试干涉仪(100)的衍射光学元件(10),其包括:衍射形状测量结构(16),其布置在衍射光学元件的使用表面(14)上并且被配置为当衍射光学元件布置在测试干涉仪中时生成用于照射待测量的光学...
半导体光刻的投射曝光设备制造技术
本发明涉及用于具有投射光学单元(9)的半导体光刻的投射曝光设备(1),其包括传感器框(30)、携载框(40)、模块(50),该模块(50)具有光学元件(52)以及用于定位和/或取向光学元件(52)的致动器(53),其中模块(50)布置在...
用于干涉测量确定表面形状的测量设备制造技术
一种用于干涉确定测试物(14)的表面(12)的形状的测量设备(10)包括:用于提供输入波(42)的辐射源;多重编码衍射光学元件(60),其被配置为通过衍射从输入波生成测试波(66)和至少一个校准波(70),该测试波指向测试物(14)且具...
用于引导EUV辐射的光学照明系统技术方案
本发明涉及光学照明系统,用于在源区域(4)、EUV光源(2)与物场(18)之间引导EUV辐射(3),在物场(18)中可以布置待成像的物体(23)。照明系统具有至少两个(7、14)EUV反射镜部件(5、7、14、19),它们反射EUV辐射...
使用多扫描电子显微镜的晶片对准制造技术
一种方法包括控制多扫描电子显微镜mSEM(32),以在电动装卸台(90)处于第一定位的同时拍摄附接到电动装卸台(90)的晶片的第一影像(601)。第一影像(601)包括晶片(100)的凹槽(201)的至少一部分。该方法也包括基于第一影像...
晶片检验方法和系统技术方案
晶片检验方法和系统包括将经获取图像转换为多边形链表示(21)。多边形链表示被转换为特征向量(23)。将特征向量与基于设计数据(26)获得的其他特征向量进行比较。获得的其他特征向量进行比较。获得的其他特征向量进行比较。
具有氢阻挡件的反射镜装配件和光学装配件制造技术
本发明涉及一种反射镜装配件(30),其包括:基板(31),其具有正面(31a)和背面(31b),正面(31a)具有用于反射辐射(5)的反射镜表面(32a)并且背面(31b)背对正面(31a);以及至少一个致动器(27),用于产生反射镜表...
场分面系统、光学布置和光刻装置制造方法及图纸
一种用于光刻装置(100A、100B)的场分面系统(300A、300B、300C、300D、300E),包括:光学元件(302),其中该光学元件(302)包括具有光学有效表面(304)的基座区段(308),和配置在该基座区段(308)的...
光学系统技术方案
所公开的是一种光学系统(200),其包括:第一光学控制回路(233a),其配置为调节第一光学元件(124)相对于第一模块传感器框架(208a)的位置和/或对准;以及第一模块控制回路(2l6a),其配置为调节第一模块传感器框架(208a)...
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