卡尔蔡司SMT有限责任公司专利技术

卡尔蔡司SMT有限责任公司共有751项专利

  • 本发明关于一种修复光刻掩模(200、400、500、600、700、800、900、1100、1200、1300、1600、1800)的至少一个缺陷(240、750、940、1140、1240、1330、1630、1840)的方法(19...
  • 一种用于确定由衍射光学元件(24)所产生的波前(54)的方法包含以下步骤:提供n维非周期性图案(58),其代表配置在衍射光学元件上的衍射结构(34),其中n具有1或2的数值;以及通过计算来确定由衍射光学元件所产生的波前(54),同时考虑...
  • 本发明关于用以在一样品台(100)上确定掩模(270、410、700)的对准的方法(1700、1800),样品台(100)可沿平行于样平台(100)的夹盘表面(195、265)的至少一轴移位且对垂直于夹盘表面(195、265)的至少一轴...
  • 用于光刻掩模(100)、特别是用于非透射式EUV光刻掩模的粒子束诱导蚀刻的方法具有以下步骤:a)在工艺气体环境(ATM)中提供(S1)光刻掩模(100),b)将聚焦粒子束(110)发射(S2)到光刻掩模(100)上的目标位置(ZP)上,...
  • 本发明关于包含投射物镜(408,107,200)的投射曝光装置(400,100),投射物镜(408,107,200)包含光学装置(1),光学装置(1)包含具有光学有效表面(2a)的光学元件(2)以及可通过所施加的控制电压产生变形的至少一...
  • 用于投射曝光系统的场分面镜的场分面(21)具有由两个场分面坐标(x
  • 光学测量系统用于在使用照明光照射物体时再现成像光学制造系统的目标波前。光学测量系统包括物体保持器和光学部件。初始指定起始致动器位置集合,其中每个致动器被分配有起始致动器位置。确定近似目标波前的预期设计波前,并且光学测量系统产生该预期设计...
  • 本发明关于一种用于设定光刻掩模(150,200,700)的至少一个图案元素(120,220,230,250,260,280,290)的至少一个侧壁角度(170,670,1970,2470,2770,2780)的方法(2800),其包括以...
  • 光瞳分面反射镜为投射曝光设备的照明光学单元的构成部分,其除了光瞳分面反射镜之外,还包含具有多个可切换场分面(20)的场分面反射镜。照明通道(25)借助于场分面反射镜的一个相应场分面(21)和光瞳分面反射镜的一个相应光瞳分面(23)来指定...
  • 本发明关于用于决定至少一个元件(130、540、940)在样品上的位置的设备(200),该设备包含:(a)至少一个扫描粒子显微镜(210),其包含第一参考物体(240),其中第一参考物体(240)设置在扫描粒子显微镜(210)上,使得扫...
  • 本发明涉及一种用于表征光学元件的表面形状的方法和设备。根据本发明的方法包括以下步骤:通过在不同情况下在由电磁辐射在至少一个衍射元件处的衍射产生并在光学元件处反射的测试波上叠加未在所述光学元件处反射并经由参考元件传播的参考波,在所述光学元...
  • 在用于表征光学元件的光学表面的表面形状的方法中,联合评估不同测量系列的第一测量值和第二测量值,其中迭代实行以下步骤:(A)计算第一图形;(B)从第一测量值中减去第一图形,以便确定第一测试设置误差;(C)使用第一测试设置误差来计算经校正的...
  • 本发明涉及一种生产用于EUV投射曝光设备的光学元件的方法,其中,成形层(221)被施加到衬底(20)上,使得所述成形层在被施加到衬底(20)上之后立即具有至多0.5nmrms的表面粗糙度。度。度。
  • 公开了一种采用粒子束修复光刻掩模的缺陷的方法。此方法可包括下列步骤:采用具有第一组处理参数的粒子束处理缺陷;采用具有第二组处理参数的粒子束处理缺陷;其中出自该第一组处理参数的至少一个参数不同于该第二组处理参数。理参数。理参数。
  • 一种微光刻光掩模(100)的缺陷(D、D')的粒子束诱导处理方法,包括以下步骤:a1)提供(S1)光掩模(100)的至少一部分的图像(300),b1)将图像(300)中缺陷(D、D')的几何形状确定(S2)为修复形状(302、302')...
  • 用于确定一物体(5)的图像,该图像在该物体(5)使用来自一部分相干光源(17)的照明光(1)照射时显现,该部分相干光源具有一目标照明设定,该目标照明设定具有一照明侧数值孔径NA_illu及一成像侧数值孔径NA_detection,执行以...
  • 本发明涉及一种光学系统,特别是光刻系统(100A),包括:孔径光阑(202),其具有带边缘(206)的孔径(204),用于界定该光学系统(100A)的光路(200)的外周界(200a);以及热光阑(208),其布置在孔径光阑(202)的...
  • 本发明涉及一种微光刻投射曝光系统,特别是用于DUV范围(400)或EUV范围(100)的微光刻投射曝光系统,包括照明单元(102;402)和具有至少一个元件(370,372,380,382,390,396,397,399,391,392...
  • 本发明涉及一种反射镜,特别是用于微光刻的反射镜,包括反射镜衬底(110)、用于反射入射到光学有效表面(101)上的电磁辐射的反射层系统(120)和至少一个连续的压电层(130、230、330),该压电层布置在反射镜衬底和反射层系统之间,...
  • 本发明涉及一种用于半导体光刻的投射曝光设备的光学装配件(30),其包括光学元件(31)和用于使光学元件(31)变形的致动器(33),其中由存在的控制器向致动器(33)施加偏压。此外,本发明涉及用于半导体光刻的投射曝光设备(1),其包括根...