一种用于光刻装置(100A、100B)的分面系统(300A、300B、300C)，包含具有光学有效表面(306)的分面元件(304)、用于使分面元件(304)绕第一空间方向(x)倾斜的第一压电致动器配置(364)、以及用于使分面元件(3...

系统(1)用于通过带电粒子(4)检查、修改或分析样本(3)的感兴趣区域(2)。系统(1)的检测器装置(14)产生具有水平像素分辨率和垂直像素分辨率的像素图像。带电粒子偏转装置(9)在可以放置感兴趣区域(2)的扫描区域中产生扫描带电粒子束...

用于制造极紫外光波长范围的反射光学元件，在基板上具有多层系统形式的反射涂层，其中该多层系统具有至少两个不同材料的相互交替层，所述不同材料在极紫外波长范围内的波长处具有不同的折射率实部，其中所述至少两个材料之一的层与随着与该基板的距离增加...

可以例如在在线质量检查中研究半导体结构。X射线散射测量，例如CD

一种用于光刻设备(100A、100B)的安装设备(200)的光学系统(208)，包括：相机(210)，用于记录测量对象(202)的至少一部分的图像(218)，背景体(224)，具有荧光涂层(226)并且被配置为从相机(210)看时布置在...

本发明涉及一种制造用于EUV光刻的反射光学元件的衬底(30)的方法，包括以下步骤：提供金属主体(31)和通过包括至少一个原子层沉积步骤的沉积过程在金属主体(31)上沉积平滑层(32)，在该原子层沉积步骤中，通过原子层沉积来沉积平滑层(3...

本发明涉及一种用于光刻设备(100A、100B)的光学系统(200)，具有光学元件(202)，该光学元件包括衬底(204)、设置在衬底(204)上的光学有效区域(210、210

本发明涉及用于反射辐射、特别是用于反射EUV辐射的光学元件(M4)，包括：基板(25)，其具有在界面(27)处被放置在一起的第一部分主体(26a)和第二部分主体(26b)；施加到第一部分主体(26a)的表面(28)上的反射涂层(29)；...

本发明关于一光学系统，特别是用于EUV光刻的光学系统，包含：用于使用照明辐射来照明一照明表面的照明源、用于照明辐射的空间分辨检测的具有检测表面(36)的检测器(35)、构造为将照明表面成像到检测表面(36)上的投射系统、以及构造为基于检...

本发明涉及一种用于制造用于微光刻的投射曝光设备(1)的反射镜(26)的方法，其中，提供至少一个坯料(34)，该坯料由具有非常低的热膨胀系数的材料构成并且具有断裂带(33)，在该断裂带内，至少一个材料参数与指定值的偏差超过最小偏差。具有第...

本发明涉及一种制造用于光刻系统的光学元件(2)的方法，该方法在使用该光学元件(2)的光刻系统之外进行，在该方法中，在加工过程(15)之前检查和/或表征和/或清洁主体(3)的初始表面(4)、更具体是所述初始表面(4)上异物(7)的存在，并...

本发明涉及一种光学系统和一种用于操作光学系统的方法，特别是微光刻投射曝光设备中的光学系统。根据本发明的一个方面，一种光学系统包括：至少一个具有光学有效表面(101、201、301、401、501、601)和反射镜基板(110、210、3...

本发明涉及一种滤波器组件，特别是用于用于控制至少一个元件的位置的控制回路。根据本发明的滤波器组件具有：第一滤波器，用于抑制待滤波的信号中的不期望的分量，所述第一滤波器在第一频率范围中产生第一信号延迟；和至少一个第二滤波器，其中第二滤波器...

本发明涉及一种用于加热微光刻投射曝光设备中光学元件的方法以及一种光学系统。在用于加热微光刻投射曝光设备中光学元件的方法中，使用加热装置(25)将加热功率引入光学元件中，其中基于设定点值来调节所述加热功率，并且其中所述设定点值在投射曝光设...

本发明有关用于处理光刻物体的方法、设备及计算机程序。更具体而言，本发明有关一种用于去除材料的方法、一种对应的设备及一种用于晶片光刻处理的方法、以及一种用于执行所述方法的计算机程序。用于处理光刻物体的方法例如包含：提供含有第一分子的第一气...

一种光学系统，包括包含含氟(F)光学材料的块体材料。当块体材料处于极紫外(EUV)、真空紫外(VUV)、深紫外(DUV)和/或UV辐射下时，块体材料暴露于压力范围从大气压到真空的环境中。该环境包括至少一种气体或蒸汽。至少一种气体或蒸汽包...

本发明涉及一种修复光刻掩模缺陷的方法，该方法包括下列步骤：(a.)引导粒子束到缺陷上，以引起缺陷处的局部蚀刻工艺；(b.)使用反向散射粒子、和/或二次粒子、和/或由蚀刻工艺所产生另一自由空间信号来监控蚀刻工艺，以检测从缺陷处的局部蚀刻工...

本发明涉及一种用于调节光学系统、特别是用于微光刻的光学系统的方法，该光学系统包括多个光学元件，每个光学元件都设有光学有效层系统，该方法包括以下步骤：确定在操作期间由光学系统在预定义平面中提供的系统波前；确定所确定的系统波前与目标系统波前...

本发明揭示一种处理用于光刻的物体的方法、装置和计算机程序。一种处理用于光刻的物体的方法包含：(a)提供第一气体；(b)提供第二气体，该第二气体包括能够进行反转振荡的第二分子；(c)在该物体的工作区域中提供粒子束，用于在该工作区域中至少部...

本发明涉及一种清洁用于EUV光刻系统的部件(25)的表面(26)的方法，包括：在将部件(25)集成到EUV光刻系统中之前，清洁部件(25)的表面(26)以从表面(26)去除污物(27)。部件(25)的表面(26)的清洁包括：分析部件(2...