一种折射投射镜头(PO)，其通过工作波长在超过280nm的紫外线范围中的电磁辐射将配置在投射镜头的物平面(OS)中的图案成像到投射镜头的像平面(IS)中，所述折射投射镜头包含多个透镜元件，这些透镜元件沿光轴(OA)配置在物平面(OS)和...

提供了一种具有提高的吞吐量的用于半导体晶圆的体积检查的系统和方法。该系统和方法被配置用于检查体积中的合适的横截表面的减小的数量和区域铣削和成像，并且从多个横截表面图像确定3D对象的检查参数。该方法和装置可被用于定量测量、缺陷检测、过程监...

本发明提供一种用于对增加产率的晶圆内的半导体对象的参数值进行测量的系统和方法。该测量方法利用改进的机器学习算法，从半导体对象的实例提取测量结果。本发明提供一种用于训练该改进的机器学习算法的训练方法，其中使用者互动降到最低。该方法相比于现...

提供了一种对具有提高产率的半导体晶片进行体积检测的系统和方法。该系统和方法被配置成用于对检测体积中的适当横截面表面的减少的数量或面积进行磨削和成像，并从该横截面表面图像确定3D对象的检测参数。该方法和装置可以用于半导体晶片内集成电路的定...

本发明揭露用于在反射镜基板形式的工件(25)中产生中空结构(28)的方法，特别是用于EUV反射镜(M4)，利用脉冲激光辐射(35)进行材料去除加工，该方法包含：将来自辐射入射侧(27)的脉冲激光辐射(35)辐射进入工件(25)，其由对脉...

一种用于检查样品(2)的电子显微镜(1)。电子光学单元(3)用于将感兴趣的样品区域的图像传递至检测装置(5)。移除装置(6)用于在准备成像该样品区域时移除该感兴趣的样品区域中的该样品(2)的材料。光阑(10)用于分隔该感兴趣的样品区域与...

本发明涉及一种用于透镜(114)的安装件(126)，包括：具有保持元件(316)的环形元件(300)，保持元件(316)与环形元件(300)整体连接，使得保持元件在周边方向(U)上相互间隔开，并且保持元件被设计成保持透镜(114)；以及...

本发明涉及一种用于校准微光刻投射曝光设备(110)的可操纵光学模块(12)的方法，该模块包括至少一个操纵元件(16)，用于设置光学模块的光学特性的至少一维局部变化轮廓(18)。该方法包括以下步骤:将随时间变化的激励信号(43)施加到所述...

本发明涉及一种用于产生用于反射辐射、特别是用于反射EUV辐射的涂层(26)的局部厚度变化(Δ(x,y))的方法，所述EUV辐射被施加到反射镜(M4)的基板(25)上，所述方法包括：通过将局部能量输入(E(x,y))引入到涂层(26)中来...

一种光学系统包含多个光学模块(100)，其中相应光学模块(100)具有：多个可移动光学元件(101)，用于在该光学系统(200)中引导辐射；多个致动器/传感器装置(102)，其中所述致动器/传感器装置(102)中的至少一者分配给相应光学...

本发明涉及一种光学系统，该光学系统具有：用于在光学系统(100)中引导辐射(16)的多个光学部件(101)；多个N1个组件(111‑114)，其中N1≥2，所述N1个组件(111‑114)中的每一个包括至少一个致动器/传感器设备(102...

本发明涉及一种用于投射曝光系统(1)的光学系统(100、200)，包括光阑(110、112、212、224、302)，特别是遮蔽光阑(112、302)、用于数值孔径的光阑(110、212)或遮蔽眩光光阑(224)，其至少部分布置在光学系...

本发明涉及一种以显微镜测量样品的方法，该方法包括使用相对于该样品的顶面具有第一角度的聚焦平面扫描该样品，并基于该第一角度计算置信距离。该方法还包括选择该样品上的多个对准标记中的至少一个，用于执行该扫描步骤的横向对准10和/或用于执行该扫...

本发明涉及一种在用于反射EUV辐射的光学元件(M1)上沉积覆盖层的方法。在该方法中，在光学元件(M1)上沉积含磷(P)的覆盖层。为了沉积，光学元件(M1)设置在EUV光刻系统的壳体(36)的内部(39)中，并且为了沉积覆盖层，从设置在内...

本发明基于实现光子集成电路(901)的简单且可靠的接触的目的。这通过使用可提供探针卡功能的光电电路板(300)成为可能。该光电电路板(300)包含至少一个导电体线路(381、385、386、387)和至少一个光束路径(371)。

本发明关于用于处理光刻掩模(500)的多余材料(590,595)的方法，其中方法包含以下步骤：(a)扩大多余材料(590,595)的表面；(b)使用扫描探针显微镜(300、400)的至少一个第一探针(100,150,190,212,22...

一种用于光刻装置(1)的光学系统，特别是微镜配置，包括：多个可致动的个别反射镜(101‑106)；真空密封壳体(150)；及电子装置(110)，其整合于该真空密封壳体(150)中且配置用于每一个别反射镜(101‑106)的个别致动，其中...

本发明提供了一种校正的扫描电子显微镜(CSEM)和一种操作CSEM以选择性地将材料对比度与形貌对比度分离的方法。所述显微镜和所述方法能够利用由低能量初级电子产生的反向散射电子实现高成像分辨率。CSEM和方法适用于具有在低nm范围或甚至更...

本发明涉及一种用于反射VUV波长范围内的辐射的光学元件(4)，包括：基板(41)；和反射涂层(42)，该反射涂层被施加到该基板(41)并且具有至少一个铝层(43)。将用于分解分子氢(Ha)的至少一个氢催化层(45)施加到铝层(43)上。...

在获取样品结构的3D图像的方法中，最初在有限数量的原始样品平面处获取样品结构的2D图像的第一原始2D集合。根据该第一原始2D集合，计算由3D体积图像数据集表示的样品结构的3D图像，并且从3D体积图像数据集提取测量参数。这样的测量参数被分...