用于产生涂层的局部厚度变化的方法、反射镜和EUV光刻系统技术方案

本发明专利技术涉及一种用于产生用于反射辐射、特别是用于反射EUV辐射的涂层(26)的局部厚度变化(Δ(x,y))的方法，所述EUV辐射被施加到反射镜(M4)的基板(25)上，所述方法包括：通过将局部能量输入(E(x,y))引入到涂层(26)中来产生局部厚度变化(Δ(x,y))，所述局部能量输入使得涂层(26)致密或膨胀，用于产生与反射镜(M4)的局部目标反射率(R<subgt;S</subgt;(x,y))相对应的涂层(26)的局部目标厚度(D<subgt;S</subgt;(x,y))。该方法还包括通过将局部能量输入(E(x,y))引入到基板(25)中来改变基板(25)的表面形状，其中在改变基板(25)的表面形状之前和/或之后产生涂层(26)的局部厚度变化(Δ(x,y))。本发明专利技术还涉及一种反射镜(M4)和一种具有至少一个这种反射镜(M4)的EUV光刻系统。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

技术介绍

1、用于反射辐射(例如用于反射euv辐射)的涂层的局部厚度可以偏离局部目标厚度或设计层厚度轮廓。局部厚度与目标厚度的偏差可以例如是由于当将涂层施加到基板时的涂覆误差。当在光学装置中(例如在euv光刻设备的投射系统中)操作反射镜时，偏差可能不利地影响其光学性能，例如其成像特性。

2、如果涂层是多层涂层，其具有指定数量的子系统(例如，以层对的形式)，每个子系统具有相同的厚度，其中相应子系统的厚度影响涂层的反射率，特别是涂层具有最大反射率时的波长，则情况尤其如此。因此，涂层的(局部)总厚度与(局部)目标厚度的偏差导致影响涂层的反射率或光谱响应的特定子系统的厚度(周期长度或周期厚度)的相应偏差。

3、us 6,635,391 b2和us 7,049,033 b2提出通过直接调制多层涂层的复值反射率来生产用于euv光刻的掩模(掩模版)。为了实现这一点，使用局部定位的能量源，例如以聚焦的电子或离子束的形式，其直接将图案写入反射多层涂层中。这利用了以下事实：由于能量输入，多层涂层的层之间发生局部有限的相互扩散，这导致致密并因此导致多层本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于产生用于反射辐射、特别是用于反射EUV辐射(16)的涂层(26)的局部厚度变化(Δ(x,y),Δ``(x,y))的方法，所述涂层(26)被施加到反射镜(M4)的基板(25)，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：

3.根据权利要求1或2所述的方法，还包括：

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述局部厚度变化(Δ(x,y))对应于所述局部目标厚度(DS(x,y))与所述局部实际厚度(DI(x,y))之间的差值。

5.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，确定当改变所述基板(25)的表面形状时预期的所述涂层(2...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种用于产生用于反射辐射、特别是用于反射euv辐射(16)的涂层(26)的局部厚度变化(δ(x,y),δ``(x,y))的方法，所述涂层(26)被施加到反射镜(m4)的基板(25)，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：

3.根据权利要求1或2所述的方法，还包括：

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述局部厚度变化(δ(x,y))对应于所述局部目标厚度(ds(x,y))与所述局部实际厚度(di(x,y))之间的差值。

5.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，确定当改变所述基板(25)的表面形状时预期的所述涂层(26)的附加局部厚度变化(δs,e(x,y))，并且其中，当产生所述局部厚度变化(δ“(x,y))时，补偿由于所述基板(25)的表面形状的变化而预期的所述附加局部厚度变化(δs,e(x,y))。

6.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，用处理射束(28)照射所述涂层(26)和/或所述基板(25)，以局部引入所述能量输入(e(x,y))。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述处理射束选自包括以下各...

【专利技术属性】
技术研发人员：M·凯斯，M·诺亚，
申请(专利权)人：卡尔蔡司SMT有限责任公司，
类型：发明
国别省市：