一种折射投射镜头(PO)，其通过工作波长在超过280nm的紫外线范围中的电磁辐射将配置在投射镜头的物平面(OS)中的图案成像到投射镜头的像平面(IS)中，所述折射投射镜头包含多个透镜元件，这些透镜元件沿光轴(OA)配置在物平面(OS)和像平面(IS)之间，并且实施为使得布置在物平面中的图案能够利用透镜元件成像到像平面中，其中光阑平面(BE)适于附接孔径光阑(AS)，光阑平面位于物平面和像平面之间，成像的主射线在光阑平面中与光轴(OA)相交。投射镜头设计为物场半径至少为52mm的大场透镜，并且具有成像比例为1:1且相对于光阑平面(BE)镜像对称的结构。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术有关一种折射投射镜头，其借助于工作波长在大于280nm的紫外线范围内的电磁辐射将配置在投射镜头的物平面中的图案成像到投射镜头的像平面中；一种具有投射镜头的投射曝光装置；以及一种能够借助于该投射镜头执行的投射曝光方法。
技术介绍
1、微光刻投射曝光方法现阶段主要用于生产半导体部件和其他精细结构化部件，例如用于光学光刻的掩模。在此，使用掩模(掩模版)或其他图案生成器件，其承载或形成待成像结构的图案，例如半导体部件的层的线图案。该图案位于投射曝光装置中的照明系统和投射镜头之间的投射镜头的物平面区域中，并且由照明系统提供的照明辐射进行照明。由图案修改的辐射作为投射辐射传播通过投射镜头，所述投射镜头将图案成像到待曝光的基板上。基板的表面配置在投射镜头的像平面中，像平面与物平面光学共轭。基板通常涂覆辐射敏感层(抗蚀剂、光刻胶)。
2、通常，半导体部件制造商对临界结构和非临界结构的曝光要求不同。目前，临界结构，即精细结构，主要使用折射或折反射浸没系统生产，其以深紫外线范围(duv)的工作波长工作，特别是约193nm。到目前为止，最精细的结构是使用e本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种折射投射镜头(PO)，其通过工作波长在大于280nm的紫外线范围内的电磁辐射将配置在投射镜头的物平面(OS)中的图案成像到投射镜头的像平面(IS)，该折射投射镜头(PO)包含：多个透镜元件，所述透镜元件沿光轴(OA)配置在该物平面(OS)和该像平面(IS)之间，并且实施为使得配置在该物平面的图案(PAT)能够通过所述透镜元件成像到该像平面，其中一光阑平面(BE)适于附接位于该物平面和该像平面之间的孔径光阑(AS)，一成像主射线在该光阑平面中与该光轴(OA)相交；
2.如权利要求1所述的投射镜头，其特征在于该物场半径OBH至少为84mm。
>3.如权利要求1或...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种折射投射镜头(po)，其通过工作波长在大于280nm的紫外线范围内的电磁辐射将配置在投射镜头的物平面(os)中的图案成像到投射镜头的像平面(is)，该折射投射镜头(po)包含：多个透镜元件，所述透镜元件沿光轴(oa)配置在该物平面(os)和该像平面(is)之间，并且实施为使得配置在该物平面的图案(pat)能够通过所述透镜元件成像到该像平面，其中一光阑平面(be)适于附接位于该物平面和该像平面之间的孔径光阑(as)，一成像主射线在该光阑平面中与该光轴(oa)相交；
2.如权利要求1所述的投射镜头，其特征在于该物场半径obh至少为84mm。
3.如权利要求1或2所述的投射镜头，其特征在于物侧和像侧数值孔径小于0.3，该数值孔径优选在0.1和0.2之间的范围内。
4.如前述权利要求中任一项所述的投射镜头，其特征在于该投射镜头具有物场半径obh、物侧数值孔径nao、以及几何光展量llw＝obh*nao，nao至少为10mm，该几何光展量优选为15mm或更大。
5.如前述权利要求中任一项所述的投射镜头，其特征在于该投射镜头具有在该物平面(os)和该像平面(is)之间测量的安装长度tt、物场半径obh和物侧数值孔径nao，并且在于适用条件(obh*nao)/tt>0.01。
6.如前述权利要求中任一项所述的投射镜头，其特征在于所述透镜元件包含至少一个燧石透镜元件，其由具有相对低阿贝数的第一材料制成；以及至少一个冕牌玻璃透镜元件，其由阿贝数高于该第一材料的第二材料制成，优选在该光阑平面的每一侧上配置不超过两个燧石透镜元件，特别是在该光阑平面(be)的每一侧上仅配置单个燧石透镜元件。
7.如前述权利要求中任一项所述的投射镜头，其特征在于该单个燧石透镜元件(l6、l8)具有负折射力。
8.如权利要求7所述的投射镜头，其特征在于具有负折射力的该单个燧石透镜元件(l6、l8)配置在该光阑区域(bb)中，特别是在射线高度比为|crh/mrh|<0.5的区域中，和/或在于该单个燧石透镜元件是双凹透镜元件。
9.如前述权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：A·埃普尔，
申请(专利权)人：卡尔蔡司SMT有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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