用于沉积覆盖层的方法、EUV光刻系统和光学元件技术方案

本发明专利技术涉及一种在用于反射EUV辐射的光学元件(M1)上沉积覆盖层的方法。在该方法中，在光学元件(M1)上沉积含磷(P)的覆盖层。为了沉积，光学元件(M1)设置在EUV光刻系统的壳体(36)的内部(39)中，并且为了沉积覆盖层，从设置在内部(39)外部或内部(39)内的至少一个磷源(42、43)释放磷(P)。本发明专利技术还涉及EUV光刻系统和用于反射EUV辐射的光学元件(M1)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及一种将覆盖层沉积到用于反射euv辐射的光学元件上的方法，涉及一种euv光刻系统，并且涉及一种用于反射euv辐射的光学元件，该光学元件具有反射涂层和施加到反射涂层的覆盖层。

技术介绍

1、出于本申请的目的，euv光刻系统被理解为意指可以在euv光刻领域中使用的光学系统。除了用于制造半导体部件的用于euv光刻的投射曝光设备之外，euv光刻系统可例如为用于检查用于此投射曝光设备中的光掩模(在下文中也称为掩模版)、用于检查待结构化的半导体基板(在下文中也称为晶片)的检查系统，或用于测量用于euv光刻的投射曝光设备或其部分(例如用于测量投射光学单元)的计量系统。

2、在euv光刻系统中，氢气通常用作吹扫气体。氢气与euv辐射的相互作用形成氢等离子体，特别是以氢离子和/或游离氢自由基的形式。氢离子和/或游离氢自由基与euv光刻系统内的真空环境中存在的组分反应，所述组分包含所谓的hio(＝氢诱导放气)元素形式的材料。hio元素在与氢等离子体的反应中形成挥发性氢化物形式的气态污染物，其也称为hio产物。hio产物可以特别地沉积在euv反射镜的形式本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种将覆盖层(35)沉积到用于反射EUV辐射(16)的光学元件(M1)上的方法，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述覆盖层(35)具有至少95at％、优选至少98at％的磷含量。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述覆盖层(35)的厚度(d)在0.3nm和5nm之间，优选地在0.3nm和2.5nm之间。

4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，将所述覆盖层(35)沉积到保护层(34)上，所述保护层(34)包括至少一种金属，优选至少一种贵金属，特别是钌。

5.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，为了沉积所述...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种将覆盖层(35)沉积到用于反射euv辐射(16)的光学元件(m1)上的方法，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述覆盖层(35)具有至少95at％、优选至少98at％的磷含量。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述覆盖层(35)的厚度(d)在0.3nm和5nm之间，优选地在0.3nm和2.5nm之间。

4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，将所述覆盖层(35)沉积到保护层(34)上，所述保护层(34)包括至少一种金属，优选至少一种贵金属，特别是钌。

5.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，为了沉积所述覆盖层(35)，经由至少一个气体入口(44)将至少一种含磷(p)的气体(45)供给到所述内部(39)。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述含磷(p)的气体(45)与至少一种吹扫气体，特别是氢气(h2)混合。

7.根据权利要求5或6所述的方法，其中，供给的所述磷(p)在所述内部(39)中具有至少10-6毫巴、优选至少10-3毫巴的分压。

8.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，通过将所述磷源(42、43)暴露于氢等离子体(h+、h*)来释放所述磷(...

【专利技术属性】
技术研发人员：D·埃赫姆，M·贝克，S·施密特，
申请(专利权)人：卡尔蔡司SMT有限责任公司，
类型：发明
国别省市：