本发明涉及一种用于在原子层处理过程中处理光刻系统(1)、特别是EUV光刻系统的光学元件(101)的表面(102)的设备(100)，包括：用于在处理过程期间保持光学元件(101)的样品保持器(110)；处理头(120)，所述处理头(120...

本发明涉及一种用于热稳定光学组件(30.1、30.2、30.3)的两个部件(Mx,117、33、38、34)之间的粘合连接部(37)的方法，包括以下方法步骤：‑建立部件(Mx,117、33、38、34)之间的粘合连接部(37)，‑固化粘...

用于半导体技术的设备(100)中的粘合剂层(203)的化学和/或物理性质的基于传感器的测量的装置(200)，包括：一个待粘接的第一元件(201)，一个待粘接的第二元件(202)，粘合剂层(203)，其分别通过第一边界表面(204)和通过...

本发明涉及用于表征微光刻掩模的设备和方法。根据一个方面，根据本发明的设备包括：发射相干光的至少一个光源(105、205、405a、405b、605)；照明光学单元(110、210、310、311、410、510、610、710、810)...

一种提供来自光刻装置（1）的光学系统（4、10）的N个传感器（301‑30N）（其中N≥1）的传感器数据的装置（100），包含模拟数字转换器（500），其配置成将经由N个频道（K1‑KN）提供并包括来自该光学系统（4、10）的所述N个传...

本发明涉及一种用于半导体光刻的投射曝光系统(1、101)的光学元件(Mx、117)，该光学元件包括基座元件(30)和连接到基座元件(30)的至少一个致动器(40)，其中致动器(40)被设计为环形致动器。本发明还涉及一种用于半导体光刻的投...

本发明涉及一种测量布置结构(1)，其用于确定第一和第二光学元件(2、3)之间的至少一个距离，其中，第一元件(2)透光地设计为测量阵列并且具有部分反射性的第一表面(7)，其中，第二光学元件(3)设计为EUV镜并且具有至少部分反射性的第二表...

衍射光学元件(DOE)具有第一和第二结构部分，用于限定入射在DOE上的使用的辐射的第一和第二光学路径长度，第一和第二光学路径长度彼此不同。第一结构部分和第二结构部分交替地出现在DOE的使用表面上。在衍射光学元件的表征期间，首先提供原始D...

一种用于投射曝光装置的反射镜，其具有光谱滤波器，实施为光栅结构(30)并用于由该反射镜反射的光。该光栅结构(30)具有至少两个光栅层并因此指定该反射的光的至少两个光路长度。该光栅结构(30)的整体侧面部(35)在每种情况下都设置在该光栅...

本发明涉及一种具有光学元件（Mx,117）的光学组件（30），其中光学元件（Mx,117）包括主体（31），并且其中用于使主体（31）变形的至少一个致动器（35）布置在主体（31）的后侧上，并且其中至少一个致动器（35）在第一连接表面处...

本发明涉及一种用于干涉测量地确定测试对象的表面形状的方法和测量组件，测试对象特别是微光刻投射曝光系统的光学元件。在根据本发明的方法中，由计算机生成的全息图(CGH)(110、210、211、310、410)上的衍射电磁辐射生成的测试波被...

一种用于将物场(5)成像到像场(11)的成像EUV光学单元(10)。该光学单元具有多个反射镜(M1至M6)，用于沿着成像射束路径从该物场(5)将波长短于30nm的EUV成像光(16)引导到该像场(11)。所述多个反射镜包含至少两个NI反...

一种用于将物场(5)成像到像场(11)的成像EUV光学单元(24)。该EUV光学单元(24)具有多个反射镜(M1至M4)，用于沿成像射束路径从该物场(5)将波长短于30nm的EUV成像光(16)引导朝向该像场(11)。该成像EUV光学单...

本发明涉及：一种加热光学系统中的光学元件的方法，特别是微光刻投射曝光系统中的光学元件的方法；以及光学系统。在根据本发明的方法中，热操纵器(210)用于将加热功率引入到光学元件(200)中，以便产生热致变形，其中，在开始有用光入射在光学元...

一种测量设备(10；110；210；310；410；510；610；710)，用于干涉地确定被测物体(14)的测试表面(12)的形状(50)的特性(50；52)，包括用于产生输入波(24)的照射装置(22)；配置成从所述输入波生成两个平...

照明光学单元(1)是与EUV照明光(3)一起使用的掩模检查系统的一部分。中空波导(11)用于引导照明光(3)。针对照明光(3)，中空波导(11)具有在入射平面(13)中的入射开口(12)和在出射平面(14)中的出射开口(14)。输入耦合...

一种折反射式投影物镜，用于将布置在投影物镜的物面(OS)中的图案成像到投影物镜的与物面平行的像面中，折反射式投影物镜包括多个光学元件，这些光学元件包括多个透镜和凹面镜(CM)并且沿光轴布置在物面(OS)与像面(IS)之间。投影物镜(PO...

本发明涉及一种操作用于微光刻的投射曝光设备的方法，包括：在操作中断期间，通过用加热辐射照射光学元件的表面(30)来加热投射曝光设备的至少一个光学元件，在所述中断期间，光学元件的表面未被曝光辐射照射。在中断操作中的加热期间，在光学元件的表...

本发明的目的是为镜面基板(2)涂覆多层涂层，所述多层涂层对于有效波长呈高反射性并且具有数个需要按顺序施加的单层，为此首先按照涂层序列将所述单层中的多个单层施加在镜面基板(2)上，以产生第一部分多层涂层。在至少一个测量位置上测量涂层序列的...

一种获得晶片的测量部位的一序列相互平行的多个剖面图像的方法，该方法包括以下步骤：1a)以一重合配置提供聚焦离子束(FIB)柱和带电粒子束(CPB)成像柱，在该重合配置中，该FIB柱的FIB光轴和该CPB成像柱的CPB光轴在晶片表面重合，...