卡尔蔡司SMT有限责任公司专利技术

卡尔蔡司SMT有限责任公司共有565项专利

  • 本发明涉及用于测试表面(2)上的粒子污染的粒子测试系统(1),包括用于接收粒子(5)的采样带(7)和采样装置(3)。采样装置(3)包括辊体(9),该辊体(9)设置成在辊体的外表面(10)上引导采样带(7)。采样装置(3)被设计用于将辊体...
  • 为了确定光学系统的、在由光学系统的待测量光瞳内的照明光照明时的成像质量和/或为了确定测试结构的相位效应,在光学系统的物平面中初始地布置在至少一个维度中周期性的测试结构。指定用于用初始光瞳区域照明测试结构的初始照明角度分布,初始光瞳区域的...
  • 本发明涉及一种用于分析微光刻微结构部件的图像的方法和设备,其中,在图像中,多个像素中的每一个在各个情况下被分配强度值。根据本发明的方法包括以下步骤:分离图像中的多个边缘片段(步骤S130);将所分离的边缘片段中的每一个分类为相关边缘片段...
  • 在检查用于EUV光刻的掩模期间提供基于机器学习的潜在掩模缺陷预分类。器学习的潜在掩模缺陷预分类。器学习的潜在掩模缺陷预分类。
  • 一种光学系统(200)包括至少一个反射镜(210)以及至少一个致动器装置(220),该反射镜(210)具有反射镜主体(212)和反射镜表面(214),该至少一个致动器装置(220)耦合到反射镜主体(212)且用于使反射镜表面(214)变...
  • 本发明涉及用于测试物(14
  • 本发明涉及一种半导体光刻的掩模(8)的检验装置(4),其包括成像掩模(8)的成像装置(9)和图像记录装置(10),其中展示用于成像的照明辐射(6)的至少一个子范围的色散行为的一个或多个校正主体(21、21
  • 本发明涉及一种双光束设备和三维电路图案检查技术,通过对半导体晶片表面以下超过1μm的大深度延伸的检查体积进行截面测量,并且更具体地,涉及一种方法、计算机程序产品和装置,用于在不从晶片移除样品的情况下生成晶片内部的深检查体积的3D体积图像...
  • 用于计量系统的照明光学单元的光瞳光阑(7),所述计量系统用于确定待测量的物体的空间像,作为在照明和成像条件下的照明和成像的结果,该照明和成像条件对应于光学生产系统的照明和成像条件。光瞳光阑(7)具有两个极通道开口(10,11),用于指定...
  • 本发明公开一种修补平版印刷掩膜缺陷、特别是修补EUV掩膜的缺陷的方法、设备和计算机机程序。修补平版印刷掩膜(特别是EUV掩膜)缺陷的方法包含以下的步骤:(a.)以第一修补剂量对缺陷执行第一修补步骤,使该缺陷从初始拓扑转变成第一缺陷拓扑;...
  • 在用于干涉式测量测试物体的表面的形状的测量方法中,提供了具有不同波长的两个输入波。对于输入波的每一个,通过在衍射式光学元件处衍射,产生测试波和参考波,该测试波指引至测试物体处并且具有至少部分适配于光学表面的期望形状的波前,该参考波指引至...
  • 本发明涉及一种半导体光刻的投射曝光设备(1),包括用于确定光学元件(25、25.1)的区域中等离子体(29)中原子氢浓度的装置,其中该装置包括传感器(32、32.1、32.2、32.3、32.4)。在这种情况下,该装置包括布置在等离子体...
  • 一种微光刻投射曝光设备(10、80)包括用于通过曝光辐射(18)将掩模(12)的结构投射到基板平面(30)中的投射镜头(26),其中投射镜头(26)的至少一个光学元件(38、40、82)配备有操纵器(M4、M5),该操纵器被配置用于将热...
  • 一种用于激光器模块(20、21)的频率控制的控制系统(19、29、33、58),包括用于生成激光辐射的至少一个激光器模块(20、21)、耦合或可耦合到激光器模块(20、21)的至少一个控制装置(1),以及耦合或可耦合到控制装置(1)的至...
  • 本发明关于一种用于追踪与识别光刻系统,特别是用于半导体光刻的投射曝光装置(100,200,400)的部件(1)的方法。所述部件(1)中的每一个具有至少一个转发器(2)。该转发器(2)具有数据存储器(3),其上储存有关各部件(1)的数据。...
  • 本发明涉及用于反射辐射,特别用于反射EUV辐射(2)的光学元件(1),包括:基板(3),具有其上施加反射涂层(5)的表面(4),其中基板(3)中形成至少一个通道(6),其中冷却介质(7)优选地能够流过所述通道(6),并且其中基板(3)由...
  • 本发明涉及用于安装特别是光刻设备(100A、100B)的光学系统(104)的方法,包括以下步骤:a)测量(S700、S702)光学系统(104)的部件K1
  • 一种用于投射印刷系统的照明光学单元的多分面反射镜具有多个可移位的单独分面(8
  • 本发明涉及一种连接器布置(200),其包括:第一连接器元件(202);第二连接器元件(204),其能够与第一连接器元件(202)在插入方向(E)上插接在一起以便形成电连接;支撑元件(210),其支撑第一连接器元件(202);以及接受器(...
  • 本发明涉及一种用于半导体光刻的投射曝光设备(1),其包括光学校正元件(20)和用于通过电磁加热辐射(44.x)至少部分地辐照校正元件(20)的光学活性区域(22)的构件,其中光学校正元件(20)在光学活性区域(22)外部配备有至少一个电...