本发明涉及一种用于生产光学元件的方法、以及一种光学元件和一种涂覆设备。在根据本发明的方法中，从至少一个源（901）向至少一个基板（101、300、400、800、903）供应涂层材料，以分别在基板上沉积层系统，其中，通过对沉积的涂层材料...

自适应光学模块（38）具有至少一个致动器（36‑1），用于改变光学模块的光学表面（32）的形状。该致动器包括：可通过电场（55）变形的介电介质（48），以及用于通过施加工作电压（60）在介电介质中产生电场的电极（54）。该自适应光学模块...

本发明涉及一种用于微光刻投射曝光设备（600、700）的反射镜装置（100），其具有至少一个反射镜（101）。所述反射镜（101）包括反射镜主体（102）和形成在所述反射镜主体（102）上的反射表面（103），其中存在至少一个凹陷（10...

本发明涉及一种用于反射VUV波长区域中的辐射（2）的光学元件（1），包括：表面（4a，4a'），和施加到表面（4a，4a'）上的电介质多层涂层（5）。电介质多层涂层（5）被设计用于VUV波长区域中的辐射（2）的反射，特别是宽带反射。所述...

本发明关于一种处理具有铝表面(3)、用于VUV波长范围的反射光学元件(1)的方法。该反射光学元件(1)的处理包括：以氢等离子体喷流(10)照射该反射光学元件(1)，以去除形成于该铝表面(3)上的氧化铝层(4)。本发明也涉及一种用于经此方...

在一种用于制造EUV微光刻设备的光学成像系统的方法中，多个光学模块安装在力框架的分配安装位置，其中每个光学模块承载反射镜。所述光学模块中的至少一个设计为可交换的更换模块，其具有被选定为校正反射镜的反射镜。该方法包括下列步骤：A)通过部件...

为了增加透射或反射，本发明提出了一种用于紫外（UV）波长范围的光学元件，其包括基板和配置为介电层系统的光学涂层。所述介电层系统包括交替布置的至少两种不同基础材料的层（56，57），所述至少两种不同基础材料在UV波长范围内的波长处具有不同...

本发明涉及MEMS芯片（100）的后处理方法和MEMS芯片（100）的处理方法。在MEMS芯片（100）的后处理方法中，MEMS芯片（100）包括布置在载体材料（104）上的MEMS结构（102），并且具有突出材料的至少一个突出区域，突...

一种用于分析和/或处理样品(10)的柱体(102)，该样品为例如用于光刻设备的掩模，该柱体包含粒子源(104)，其配置成沿第一方向(R1)将粒子束(106)发射到该样品(10)上；检测器装置(214、216)，其配置成检测沿与第一方向(...

本发明涉及一种用于操作微光刻投射曝光设备中的至少一个固态致动器的方法，包括以下步骤：•请求用于所述至少一个固态致动器的目标变量（S1），•使用存储的或可存储的校正模型来确定控制变量，所述校正模型包括用于蠕变的校正函数（S2），以及•使用...

本发明关于一种用于在真空环境中加工基板（103）的表面（102）装置（100）、方法及包括指令的计算机程序。该装置包括：流体施加器（104），设定为将一流体（105a、105b）施加到该表面（102）的一区域；操纵器（106），设定为在...

本发明有关于一种工件，其包含：至少一个中空结构(27)，其在工件(25)中延伸并且配置成允许流体(28)流过其中。该中空结构(27)具有第一区段及相邻的第二区段，其相对于彼此以60°与120°之间的角度(γ)取向。该中空结构(27)具有...

本发明涉及一种用于投射曝光设备（1）的照明光学单元（4）或投射光学单元（7）的光学组件，其包括至少一个光学部件（20）、承载结构（60）和支承装置，其中至少一个光学部件（20）通过支承装置安装在承载结构（60）上，且其中支承装置包括一个...

本发明涉及一种用于投射曝光设备（1）的照明光学单元（4）的分面反射镜（13；14）的可枢转安装的单独反射镜（20），其具有与方向相关的枢转范围。

本发明显示及描述了一种用于调整微光刻的投射曝光系统(1)中的远心的方法，其包含以下步骤：a)提供投射曝光系统(1)，其中投射曝光系统(1)具有照明系统(3)、投射系统(4)、掩模(6)、辐射源(2)、和/或孔径光阑(23)，其中投射曝光...

本发明涉及一种用于评估微光刻投射曝光设备（10）的投射镜头（22）的至少一个像差的测量值（50）的方法。测量值已在投射镜头的场平面中的多个场点（52）处确定，其中投射镜头包括用于引导曝光辐射（14）的多个光学元件（E1‑E4）并且包括操...

本发明有关于一种用于获得晶片(72)上半导体结构(30)的测量的方法(10)，包含：获得晶片(72)的体积成像数据集(22)，其包含多个2D剖面图像(24、26)；获得2D剖面图像(24、26)中的半导体结构(30)的轮廓(32)；指出...

一种用于将物场(5)成像至像场(11)的成像EUV光学单元(10)。成像光学单元(10)具有多个反射镜(M1至M5)，用于沿成像束路径引导波长短于30nm的EUV成像光(16)。成像EUV光学单元(10)具有至少0.3的像侧数值孔径。多...

本发明涉及用于检查和/或处理样品（400、2010）的设备（2400、2600），所述设备包括：（a）用于提供带电粒子束（840）的扫描粒子显微镜（2410），该带电粒子束可以被指引在样品（400，2010）的表面上；（b）具有可偏转探...

一种用于将物场(5)成像至像场(11)的成像EUV光学单元(10)。多个反射镜(M1到M8)用于沿成像束路径从物场(5)朝向像场(11)引导波长短于30nm的EUV成像光(16)。多个反射镜(M1到M8)对EUV成像光(16)的总体传输...