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卡尔蔡司SMT有限责任公司专利技术
卡尔蔡司SMT有限责任公司共有751项专利
照明系统、投射照明设备和投射照明方法技术方案
一种用于微光刻投射照明设备的照明系统(ILL),该照明设备用于利用从来自初级光源(LS)的光产生的照明光来照明布置在下游投射镜头(PO)的物平面(OS)的区域中的样品,该照明系统设计为双场照明系统,该双场照明系统用于接收来自初级光源(L...
特别是用于微光刻投射曝光系统的反射镜技术方案
本发明涉及一种反射镜,特别是用于微光刻投射曝光系统的反射镜,该反射镜具有有效光学表面、用于反射入射到有效光学表面上的工作波长的电磁辐射的反射层系统、由反射镜基板材料制成并且其中布置有在折射率方面与周围的反射镜基板材料不同的结构(106、...
光学元件、和组件及其光学系统技术方案
一种结合到固持装置中形成用于构成光学系统(PO)的组件(BG)的光学元件(OE),包含主体(K),该主体对于所使用波长范围的光为透明,在该主体上形成第一光通道面(LF1)和相对的第二光通道面(LF2)。所述光通道面(LF1、LF2)中的...
用于投射光刻的照明光学单元制造技术
一种照明光学单元(4),用于投射光刻,照明光学单元(4)用于用来自EUV光源的照明光(16<subgt;i</subgt;)照明下游成像光学单元的物场(5),在所述物场中可布置待照明的物体。第一分面反射镜(20)具有多个相邻...
用于分析微光刻微结构化样品的图像的方法和设备技术
一种用于分析微结构化样品(100)的图像(300)的方法,所述微结构化样品(100)包括至少一个第一区段(112)和至少一个第二区段(114),所述第二区段(114)具有边缘(110)并且相对于所述第一区段(112)凸起,其中,所述图像...
具有增加处理量与准确度的半导体晶片3D体积检查制造技术
本发明涉及用于在半导体晶片的检查部位处的检查体积的三维电路图案检查方法,更具体地,涉及用于以增加的精度和准确度来确定半导体晶片的检查体积中诸如HAR结构的3D对象的参数的方法、计算机程序产品和相应的半导体检查系统。该方法采用对检查体积中...
校准分面反射镜的配置、方法、与计算机程序产品技术
本发明涉及用于微光刻照明系统(20)的分面反射镜(18、19)的系统集成校准的装置(100)、方法和计算机程序产品。借助于分面反射镜(18、19)产生辐射源(101)和辐射检测器(102)之间的光束路径(103),在每种情况下,每个分面...
用于检测在晶片的成像数据集中的异常的计算机实施方法与使用此方法的系统技术方案
本发明关于一种用于检测异常(15)的计算机实施方法(10、10’),该计算机实施方法包含:选择一晶片(120)的成像数据集(12)和一定义机器学习模型(16)用于异常检测的超参数值;通过计算一目标函数值来训练和评估该机器学习模型(16)...
控制装置、光学系统、光刻设备和方法制造方法及图纸
一种用于控制和测量致动器(200)的控制装置(100),所述致动器(200)用于致动光学系统(300)的光学元件(310),所述控制装置(100)具有:电压测量单元(130),所述电压测量单元(130)用于提供指示基于特定模型(M)借助...
用于表面的化学处理的方法和设备技术
本发明涉及一种通过施加化学反应流体(38)化学处理表面,特别是用于半导体光刻的投射曝光装置(1,101)的部件(MX,117)的衬底(31)的表面(32)的方法,该方法的显著之处在于,通过向预定区域(36)施加另外的流体(39),将由反...
驱动装置、光学系统、与光刻设备制造方法及图纸
一种驱动装置(100),用于驱动和测量致动器(200),致动器用于致动光学系统(300)的光学元件(310),驱动装置包括:驱动单元(110),其具有频率相关第一转移函数(G1),第一转移函数(G1)配置成放大具有至少第一频率范围(F1...
光学设备、用于测量光学元件的光学表面的实际倾斜的方法和光刻系统技术方案
本发明涉及一种光学设备(1),特别是用于光刻系统(100、200),包括:具有至少一个光学表面(3)的至少一个光学元件(2);具有用于倾斜光学元件(2)的光学表面(3)的一个或多个致动器(4);以及具有用于感测光学表面(3)从静止位置的...
用于极紫外波长范围内的波长的反射光学元件制造技术
本发明涉及一种用于极紫外波长范围内的波长的反射光学元件,其包括基板和被设计为多层系统的反射涂层,其中所述多层系统具有由至少两种不同基材(56、57)制成的层,所述至少两种不同基材(56、57)对于极紫外波长范围内的波长具有不同的折射率实...
用于加工工件的方法技术
本发明涉及一种用于在加工过程中,优选在光刻结构化过程中加工工件(17)的方法,其中工件(17)的加工包括控制工件(17)的温度。在该方法中,工件(17)是温度控制的,因为流体(27)流过形成在工件(17)内的至少一个通道(26)。
用于从基板移除单一微粒的装置与方法制造方法及图纸
本发明涉及一种用于从基板(310,402)移除至少一个单一微粒(320)的装置(300、400)及方法(2000),其中该基板尤其是用于极紫外光光刻的光学元件,其中所述装置(300、400)包括:(a)分析单元(330),设计为确定至少...
具有气体结合部件的EUV光刻系统技术方案
本发明涉及一种EUV光刻系统,包括:壳体(25),其内部(24)包含残余气体(27);以及至少一个气体结合部件(29),其布置在内部(24)中并且包括用于结合污染物质(28)的气体结合材料。所述气体结合部件(29)包括至少一个流动管道(...
用于测试光子集成电路的设备、测试卡及方法,以及光子集成电路技术
提供了一种用于测试光子集成电路的设备和测试卡、相应系统和光子集成电路。在这种情况下,测试卡(24)通过光学单元(20)成像到待测光子集成电路(22)上。该光子集成电路(22)在不同位置的平行照明以这种方式是可实现的。
用于晶片的成像数据集中异常的检测与分类的计算机实施方法以及使用此方法的系统技术方案
本发明揭示一种用于检测以及分类包括多个半导体结构的晶片的成像数据集(66)中异常(15)的计算机实施方法(28、28')。该方法包含:确定该成像数据集(66)中多个异常(15)的当前检测,以及获得该多个异常(15)的当前检测的无监督或半...
在掩模上校准操作的方法和装置制造方法及图纸
本发明是关于一种用于在掩模上校准操作的方法和装置。一种使用粒子束在用于光刻的物体上产生校正标记的方法,特别是用于校准操作,该方法包括:(a)产生校正标记的第一组;(b)产生校正标记的第二组;(c)其中在该第一组和该第二组中的该校正标记的...
投射镜头、投射曝光装置及投射曝光方法制造方法及图纸
本发明揭露一种折射投射镜头(PO),其通过来自超过280nm的紫外线范围的电磁辐射将配置在投射镜头的物平面(OS)中的图案成像到投射镜头的像平面(IS),该折射投射镜头包含多个透镜元件,所述透镜元件沿光轴(OA)配置在物平面(OS)和像...
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