【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种用于分析微光刻微结构化样品的图像的方法和设备。优先权申请de 10 2023 113 273.3的内容通过引用整体并入本文。
技术介绍
1、微光刻用于生产微结构部件，例如集成电路。使用包括照明系统和投射系统的光刻装置来执行微光刻工艺。借助于照明系统照明的掩模(掩模版)的图像在此借助于投射系统投射到基板(例如硅晶片)上，该基板涂覆有光敏层(光致抗蚀剂)并且布置在投射系统的像平面中，以便将掩模结构转印到基板的光敏涂层。
2、受集成电路生产中对更小结构的需求的驱动，目前正在开发使用波长在0.1nm至30nm范围内(特别是13.5nm)的光的euv光刻装置。
3、随着光刻工艺中使用的掩模和微光刻结构化晶片的结构尺寸变得越来越小，这些部件的分析和处理或修复在实践中变得越来越苛刻。
4、出于分析微结构化样品(例如微结构化光刻掩模及晶片)的目的，尤其评估以显微镜方式捕获的图像，以便确定相应经测量图像与包含样品的预期结构的设计图像之间存在的差异。特别地，显微镜捕获的图像是基于电子束或离子束捕获的图像...
【技术保护点】
1.一种用于分析微光刻微结构化样品(100)的图像(300)的方法，其中，所述样品(100)包括至少一个第一区段(112)和至少一个第二区段(114)，所述至少一个第二区段(114)具有边缘(110)并且相对于所述第一区段(112)凸起，并且其中，所述图像(300)包括多个像素(302)和取决于所述像素(302)的二维强度分布(304)，所述方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述图像(300)的所述一维强度分布(320)的所述第一区域(306’)基于所述样品(100)的所述至少一个第一区段(112)的图像表示，并且所述图像(300)的...
【技术特征摘要】
1.一种用于分析微光刻微结构化样品(100)的图像(300)的方法，其中，所述样品(100)包括至少一个第一区段(112)和至少一个第二区段(114)，所述至少一个第二区段(114)具有边缘(110)并且相对于所述第一区段(112)凸起，并且其中，所述图像(300)包括多个像素(302)和取决于所述像素(302)的二维强度分布(304)，所述方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述图像(300)的所述一维强度分布(320)的所述第一区域(306’)基于所述样品(100)的所述至少一个第一区段(112)的图像表示，并且所述图像(300)的所述一维强度分布(320)的所述第二区域(308’)基于所述样品(100)的所述至少一个第二区段(114)的图像表示。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述样品(100)的所述至少一个第一区段(112)包含第一材料，且所述样品(100)的所述至少一个第二区段(114)包含不同于所述第一材料的第二材料。
4.根据权利要求3所述的方法，其中，由于所述样品(100)的所述至少一个第一区段(112)和所述至少一个第二区段(114)之间的材料差异，所述图像(300)的所述一维强度分布(320)的所述第二区域(308’)中的所述第二平均强度值(i2)大于所述图像(300)的所述一维强度分布(320)的所述第一区域(306’)中的所述第一平均强度值(i1)。
5.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述样品(100)的所述至少一个第一区段(112)和所述至少一个第二区段(114)包括相同的材料。
6.根据权利要求5所述的方法，其中，由于与所述样品(100)的所述至少一个第二区段(114)的所述边缘(110)相邻形成的阴影(326)，所述图像...
【专利技术属性】
技术研发人员：J·奥斯特，R·舍恩伯格，M·兰格尔，
申请(专利权)人：卡尔蔡司SMT有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。