光学系统、投射曝光系统和方法技术方案

技术编号:41845762 阅读:23 留言:0更新日期:2024-06-27 18:24
本发明专利技术涉及一种用于投射曝光系统(1)的光学系统(100、200),包括光阑(110、112、212、224、302),特别是遮蔽光阑(112、302)、用于数值孔径的光阑(110、212)或遮蔽眩光光阑(224),其至少部分布置在光学系统(100、200)的光束路径(114、218)中,以便遮蔽光束路径(114、218)的至少部分;用于将热量(Q)引入光阑(110、112、212、224、302)的加热装置(324),其中所述光阑(110、112、212、224、302)能够使用热量(Q)的引入从起始形状(Z1)变形为设计形状(Z2);以及温度传感器(334)、光元件(336)和/或红外相机(338),其中所述光学系统(100、200)的开环和闭环控制单元(340)被设计成使得基于所述温度传感器(334)、所述光元件(336)和/或所述红外相机(338)的测量信号和/或基于与另外的光学元件(124、M1‑M6)的温度分布有关的信息,它确定光阑(110、112、212、224、302)的局部光阑温度分布,并控制加热装置(324),使得可以实现光阑(110、112、212、224、302)的目标光阑温度分布,所述另外的光学元件布置在光束路径(114、218)中与所述光阑(110、112、212、224、302)相当的位置处。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及一种用于投射曝光设备的光学系统、一种具有这种光学系统的投射曝光设备以及一种用于操作这种光学系统的方法。优先权申请de 10 202 1 212 971.4的内容通过引用全部并入本文。


技术介绍

1、微光刻用于生产微结构部件,例如集成电路。使用包括照射系统和投射系统的光刻设备来执行微光刻工艺。借助于照射系统照射的掩模(掩模版)的图像在此借助于投射系统投射到基板(例如硅晶片)上,该基板涂覆有光敏层(光致抗蚀剂)并且布置在投射系统的像平面中,以便将掩模结构转印到基板的光敏涂层。

2、受集成电路生产中对更小结构的需求的驱动,目前正在开发使用波长在0.1nm至30nm范围内(特别是13.5nm)的光的euv光刻设备。在这种euv光刻设备的情况下,由于大多数材料对该波长的光的高吸收,因此必须使用反射光学单元(即反射镜)来代替如前所述的折射光学单元(即透镜元件)。

3、此外,除了反射镜之外,如上所述的投射系统还可以包括能够遮蔽投射系统的光束路径的至少部分的光阑。这些光阑用于以孔径和遮蔽光阑的形式形成出射光瞳,并且作为外来光光阑,用于本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于投射曝光装置(1)的光学系统(100,200),包括

2.根据权利要求1所述的光学系统,其中,所述加热装置(324)包括辐射加热器(326),所述辐射加热器(326)用于利用电磁辐射、特别是利用红外辐射(IR)照射所述光阑(110、112、212、224、302)。

3.根据权利要求1或2所述的光学系统,其中,所述加热装置(324)包括附接到所述光阑(110、112、212、224、302)的加热结构(328)。

4.根据权利要求3所述的光学系统,其中,所述加热结构(328)经由所述光阑(110、112、212、224、302)的保持器(3...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种用于投射曝光装置(1)的光学系统(100,200),包括

2.根据权利要求1所述的光学系统,其中,所述加热装置(324)包括辐射加热器(326),所述辐射加热器(326)用于利用电磁辐射、特别是利用红外辐射(ir)照射所述光阑(110、112、212、224、302)。

3.根据权利要求1或2所述的光学系统,其中,所述加热装置(324)包括附接到所述光阑(110、112、212、224、302)的加热结构(328)。

4.根据权利要求3所述的光学系统,其中,所述加热结构(328)经由所述光阑(110、112、212、224、302)的保持器(306、308、310、312)被供电。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的光学系统,其中,所述加热装置(324)被配置为将不同量的热量(q)引入到所述光阑(110、112、212、224、302)的不同区域(330、332)中。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的光学系统,其中,来自所述温度传感器(334)和/或所述光元件(336)的测量信号能够经由所述光阑(110、112、212、224、302)的保持器(306、308、310、312)传输,和/或其中,来自所述温度传感器(334)和/或所述光元件(336)的测量信号能够无线传输。

7.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员:M·冯霍登伯格T·格鲁纳
申请(专利权)人:卡尔蔡司SMT有限责任公司
类型:发明
国别省市:

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